一般來(lái)說(shuō)，濺射靶材主要由靶坯、背板等部分構(gòu)成，其中，靶坯是高速離子束流轟擊的目標(biāo)材料，屬于濺射靶材的核心部分，在濺射鍍膜過(guò)程中，靶坯被離子撞擊后，其表面原子被濺射飛散出來(lái)并沉積于基板上制成電子薄膜；由于高純度金屬?gòu)?qiáng)度較低，而濺射靶材需要安裝在專用的機(jī)臺(tái)內(nèi)完成濺射過(guò)程，機(jī)臺(tái)內(nèi)部為高電壓、高真空環(huán)境，因此，超高純金屬的濺射靶坯需要與背板通過(guò)不同的焊接工藝進(jìn)行接合，背板起到主要起到固定濺射靶材的作用，且需要具備良好的導(dǎo)電、導(dǎo)熱性能。

在濺射靶材應(yīng)用領(lǐng)域中，半導(dǎo)體芯片對(duì)濺射靶材的金屬材料純度、內(nèi)部微觀結(jié)構(gòu)等方面都設(shè)定了**苛刻的標(biāo)準(zhǔn)，高純度乃至超高純度的金屬材料是生產(chǎn)高純?yōu)R射靶材的基礎(chǔ)，以半導(dǎo)體芯片用濺射靶材為例，若濺射靶材雜質(zhì)含量過(guò)高，則形成的薄膜無(wú)法達(dá)到使用所要求的電性能，并且在濺射過(guò)程中易在晶圓上形成微粒，導(dǎo)致電路短路或損壞，嚴(yán)重影響薄膜的性能。通常情況下，高純金屬提純分為化學(xué)提純和物理提純，為了獲得更高純度的金屬材料，**限度地去除雜質(zhì)，需要將化學(xué)提純和物理提純結(jié)合使用。在將金屬提純到相當(dāng)高的純度后，往往還需配比其他金屬元素才能投入使用，在這個(gè)過(guò)程中，需要經(jīng)過(guò)熔煉、合金化和鑄造等步驟：通過(guò)精煉高純金屬，去除氧氣、氮?dú)獾榷嘤鄽怏w；再加入少量合金元素，使其與高純金屬充分結(jié)合并均勻分布；最后將其鑄造成沒(méi)有缺陷的錠材，滿足生產(chǎn)加工過(guò)程中對(duì)金屬成份、尺寸大小的要求。

相較于半導(dǎo)體芯片，平面顯示器、太陽(yáng)能電池對(duì)于濺射靶材的純度和技術(shù)要求略低一籌，但隨著靶材尺寸的增大，對(duì)濺射靶材的焊接結(jié)合率、平整度等指標(biāo)提出了更高的要求。此外，濺射靶材需要安裝在濺射機(jī)臺(tái)內(nèi)完成濺射過(guò)程，濺射機(jī)臺(tái)專用性強(qiáng)，對(duì)濺射靶材的形狀、尺寸和精度也設(shè)定了諸多限制。超高純金屬及濺射靶材是電子材料的重要組成部分，濺射靶材產(chǎn)業(yè)鏈主要包括金屬提純、靶材制造、濺射鍍膜和終端應(yīng)用等環(huán)節(jié)，其中，靶材制造和濺射鍍膜環(huán)節(jié)是整個(gè)濺射靶材產(chǎn)業(yè)鏈中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。

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