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          半導(dǎo)體芯片-集成電路制造的必需原材料濺射靶材
          發(fā)布時(shí)間:2021-01-21     作者:axc   分享到:

          在作為高技術(shù)制高點(diǎn)的芯片產(chǎn)業(yè)中,濺射靶材是超大規(guī)模集成電路制造的必需原材料。它利用離子源產(chǎn)生的離子,在高真空中經(jīng)過(guò)加速聚集,而形成高速度能的離子束流,轟擊固體表面,離子和固體表面原子發(fā)生動(dòng)能交換,使固體表面的原子離開(kāi)固體并沉積在基底表面,被轟擊的固體是用濺射法沉積薄膜的原材料,稱為濺射靶材。靶材是濺射過(guò)程的核心材料。

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          集成電路中單元器件內(nèi)部由襯底、絕緣層、介質(zhì)層、導(dǎo)體層及保護(hù)層等組成,其中,介質(zhì)層、導(dǎo)體層甚至保護(hù)層都要用到濺射鍍膜工藝,因此濺射靶材是制備集成電路的核心材料之一。集成電路領(lǐng)域的鍍膜用靶材主要包括鋁靶、鈦靶、銅靶、鉭靶、鎢鈦靶等,要求靶材純度很高,一般在5N99.999%)以上。

          靶材分類濺射靶材種類繁多,依據(jù)不同的分類標(biāo)準(zhǔn),可以有不同的類別。濺射靶材可按形狀分類、按化學(xué)成份分類以及按應(yīng)用領(lǐng)域分類。

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          高純金屬濺射靶材主要應(yīng)用在晶圓制造和**封裝過(guò)程,以芯片制造為例,我們可以看到從一個(gè)硅片變成一個(gè)芯片需要經(jīng)歷7大生產(chǎn)過(guò)程,分別是擴(kuò)散(ThermalProcess),光刻(Photo-lithography),刻蝕(Etch)、離子注入(IonImplant),薄膜生長(zhǎng)(DielectricDeposition)、化學(xué)機(jī)械拋光(CMP),金屬化(Metalization),每個(gè)環(huán)節(jié)需要用到的設(shè)備,材料和工藝一一對(duì)應(yīng)。濺射靶材就是被用在”金屬化“的過(guò)程中,通過(guò)薄膜沉積設(shè)備使用高能的粒子轟擊靶材然后在硅片上形成特定功能的金屬層,例如導(dǎo)電層,阻擋層等。

          以下是客戶經(jīng)常購(gòu)買(mǎi)的金屬濺射靶材產(chǎn)品

          金屬靶材產(chǎn)品目錄:

          鉍靶材Bi純度,4N,5N

          鉛靶材Pb,純度,4N

          鉿靶材Hf,純度:3N,3N5,3N8,4N

          鐿靶材Yb,純度:3N5

          鈥靶材Ho,純度:3N,3N5

          鏑靶材Dy,純度:3N5

          鋱靶材Tb,純度:3N5

          釓靶材Gd,純度:2N,3N,3N5

          銪靶材Eu,純度:3N5

          銪靶材Eu,純度:3N5

          釤靶材Sm,純度:3N5

          釹靶材Nd,純度:3N5

          鐠靶材Pr,純度,:3N5

          鈰靶材Ce,純度:3N5

          鑭靶材La,純度;3N,3N5

          鋇靶材Ba純度:3N

          碲靶材Te,純度:4N5,5N

          銻靶材Sb,純度,4N,5N

          鎘靶材Cd,純度:4N

          釔靶材Y純度:3N,3N5,4N

          硒靶材Se純度:4N,5N

          鈧靶材Sc純度:4N,4N5

          鈣靶材Ca純度:2N5

          銠靶材Rh純度:3N5,4N

          鉑靶材Pt純度:3N5,4N,4N5

          鉺靶材Er純度:2N5,3N,3N5

          錳靶材Mn純度:3N,3N5,4N

          鋅靶材Zn純度:4N,4N5,5N

          鎂靶材Mg純度:3N8,4N,5N


          合金靶材產(chǎn)品目錄:

          銥錳合金靶材Ir+Mn純度:3N

          鉑鐵合金靶材Pt+Fe純度:3N

          鉑鎳合金靶材Pt-Ni純度:3N5

          鉑鈷合金靶材Pt+Co純度:3N5

          釕鉭合金靶材Ru+Ta純度:3N5

          釕鉻鈦合金靶材Ru+Cr+Ti,純度:3N

          釕鈷鉻合金靶材Ru+Cr+Co純度:3N5

          金銅合金靶材Au+Cu,純度:4N

          金鎳合金靶材Au+Ni純度:4N

          鈀鐵合金靶材Pd+Fe純度:3N

          鈀銀合金靶材Pd+Ag純度:4N

          銀鋅合金靶材Ag+Zn,純度:4N

          銀銦合金靶材Ag+In純度:4N

          銀錫合金靶材Ag+Sn純度:4N

          銀金合金靶Ag+Au,純度4N

          銀銅合金靶材Ag +Cu純度:4N

          鋨釕合金靶材Os+Ru純度:3N

          鋨鎢合金靶材Os+W純度:3N

          鋨錸合金靶材Os+Re 純度:3N

          鋨銥合金靶材Os+ Ir純度,3N5

          金鎳合金靶材Au+Ni純度:3N~5N

          金錫合金靶材Au+Sn純度:3N~5N

          金銀合金靶材Au+Ag,純度:3N~5N

          金鍺合金靶材Au+Ge,純度,3N~5N

          陶瓷靶材產(chǎn)品目錄:

          CAS 12069-32-8碳化硼陶瓷靶材 

          CAS 409-21-2碳化硅陶瓷靶材 

          CAS 12070-12-1碳化鎢陶瓷靶材 

          CAS 24304-00-5氮化鋁陶瓷靶材 

          CAS25583-20-4氮化鈦陶瓷靶材 

          CAS 12033-89-5氮化硅陶瓷靶材 

          CAS 24621-21-4氮化鈮陶瓷靶材 

          CAS 12033-62-4氮化鉭陶瓷靶材 

          CAS 10043-11-5氮化硼陶瓷靶材 

          CAS 13760-80-0氟化鏑陶瓷靶材

          CAS 7783-40-6氟化鎂陶瓷靶材

          CAS 1317-40-4硫化銅陶瓷靶材 

          CAS 1314-90-0硫化錫陶瓷靶材 

          CAS 1314-98-3硫化鋅陶瓷靶材 

          CAS 2158-89-3銅鋅錫硫陶瓷靶材 

          CAS 12138-09-9硫化鎢陶瓷靶材 

          CAS 1317-33-5硫化鉬陶瓷靶材 

          CAS 1345-04-6硫化銻陶瓷靶材 

          CAS 1317-37-9硫化鐵陶瓷靶材 

          CAS 12008-21-8 六硼化鑭陶瓷靶材 

          CAS12007-25-9二硼化鎂陶瓷靶材 

          溫馨提示:靶材形狀:板材,圓片,矩形,方形,圓環(huán),圓棒,臺(tái)階圓片,臺(tái)階矩形,三角形,管狀靶,套靶等或按客戶要求訂做,可根據(jù)客戶提供的圖紙要求加工. 并可以為客戶提供部分靶材的定制服務(wù).

          西安pg電子官方生物提供的所有產(chǎn)品僅用于科研,axc.2021.01.21



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