AAO模板組裝制備及其相關(guān)納米材料（現(xiàn)貨供應�。。。�

pg電子官方生物致力于為科研院所和高校提供**化的納米結(jié)構(gòu)材料的解決方案，尤其是表面納米結(jié)構(gòu)及納米結(jié)構(gòu)合成；為客戶提供**化研發(fā)服務和科學技術(shù)咨詢服務；不斷開發(fā)新技術(shù)、新材料和新產(chǎn)品。

AAO模板的特殊物理結(jié)構(gòu)，使它主要應用與納米材料的生長，包括納米管、納米線、納米點陣列以及量子點，并且已經(jīng)制備出了多種材料復合的（同軸電纜式）納米材料。

制備應用于高密度信息存儲的鐵電納米電容器陣列：

（1）將超薄AAO轉(zhuǎn)移到鍍有鉑（Pt）膜的MgO襯底之上，通過脈沖激光沉積（PLD）法先沉積一層Pb(Zr0.20Ti0.80)O3 （PZT）；

（2）再沉積一層Pt材料，將AAO模板除去后即得到鐵電納米電容陣列；

（3）圖中（a）為制備流程示意圖，（b,c）為AAO模板以及所制備的納米電容的SEM圖；

由于AAO的孔密度**，所以所制備的金屬/鐵電/金屬納米電容器陣列可達到176 Gb/inch2的存儲密度。

 納米電容器陣列的制備

金屬/半導體核殼納米顆粒陣列的制備

半導體納米點陣的制備圖解

(1)先將超薄AAO轉(zhuǎn)移到硅襯底上，沉積金屬In之后，除去AAO模板后即得到In納米顆粒陣列。

(2)然后在氧氣氣氛下經(jīng)過一定的加熱和保溫過程，In納米顆粒表層被氧化，從而得到In/In2O3核殼結(jié)構(gòu)納米陣列，

(3)通過調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)參數(shù)，可以調(diào)節(jié)陣列的光學性能，有望應用于納米光學器件當中。

金屬納米顆粒對陣列的制備

采用超薄AAO模板可以制備高密度的金屬納米顆粒對陣列，制備流程：

（1）先將AAO轉(zhuǎn)移到目標襯底，

（2）然后經(jīng)過兩次不同的角度沉積，在每一個孔的位置可以制備一對金屬納米顆粒陣列，其SEM圖如右上角所示。

（3）兩次沉積的金屬材料可以不同，右下所示為金、銀納米顆粒對的元素分布圖。

金屬納米顆粒對陣列制備圖

納米線陣列的制備

有序納米線陣列通常可以采用預制金屬納米顆粒作為催化劑，然后通過化學氣相沉積（CVD）等方法獲得，超薄AAO可以作為金屬顆粒催化劑制備的模板其流程如上圖所示。已有報道的使用該路線的納米線陣列包括MgO納米線，ZnO納米線，GaAs納米線和碳納米管陣列等。

納米線陣列的生長圖

產(chǎn)品列表，可定制（貨期一周）

孔口呈六邊形的多孔陽極化氧化鋁(AAO)模板

AAO模板法制備Pd-Ni合金納米線

AAO模板上制備雙面各異C_(60)薄膜

AAO模板法生長碳納米管陣列

內(nèi)壁附著納米鐵顆粒的AAO模板

AAO模板孔內(nèi)生長出兩端開口的碳納米管(CNTs)陣列

AAO模板對液相沉積TiO2納米陣列

AAO模板電沉積納米線

AAO模板制備線狀Ag納米陣列

陽極氧化鋁(AAO)模板法制備Cd(OH)2和CdO納米棒

AAO模板電沉積納米線制備鎳金屬納米線

AAO模板法制備硅納米管

納米孔平均孔徑約為100 nm的Al/AlO(AAO)模板

硅基AAO模板

Si基AAO模板法制備尖晶石型ZnAl2O4納米結(jié)構(gòu)

雙擴散AAO模板法制備AgCl納米線

硅基AAO模板內(nèi)電化學沉積ZnO納米線

200 nm的AAO模板制備EVA納米管陣列

AAO模板鈀鎳與鈀銀合金納米線陣列

AAO模板法組裝Ni亞微米陣列

AAO模板GdBO3:Tb^3+綠色發(fā)光材料薄膜

AAO模板制備多種一維聚合物納米陣列

AAO模板合成**一維介孔材料(介孔二氧化硅,介孔二氧化鈦,介孔碳)

AAO模板法自組裝磁性納米線陣列

AAO模板上制備了鐵磁性金屬Ni納米線有序陣列

AAO模板的ZnO基一維納米線陣列

AAO(Anodic Aluminum Oxide)模板中生長AgBr納米線

AAO模板制備ZnS納米線

AAO模板制備ITO準一維納米結(jié)構(gòu)

硫酸/磷酸陽極氧化制備AAO模板

AAO模板法制備釤鈷、鐵鈷合金納米線

AAO模板法制備纖維素納米纖維

AAO模板法制備鈀合金納米線

AAO模板法制備聚吡咯納米線陣列

AAO模板的聚吡咯—金屬復合納米線陣列

AAO模板法制備Si、Ge納米結(jié)構(gòu)

溫馨提示：西安pg電子官方生物供應產(chǎn)品僅用于科研，不能用于人體.