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          硅納米線(SiNWs)表面銀納米粒子改性原理介紹 (含圖)
          發(fā)布時(shí)間:2021-02-25     作者:zhn   分享到:

          硅納米線(SiNWs)表面銀納米粒子改性原理介紹 

          硅納米線已開始在邏輯門和計(jì)數(shù)器、納米傳感器、場(chǎng)發(fā)射器件等領(lǐng)域取得了一定的應(yīng)用。實(shí)驗(yàn)室大量制備的硅納米線直徑一般都在 20nm 左右,受小尺寸效應(yīng)影響,表面原子比例隨直徑的減少急劇增大引起其性質(zhì)的變化,由于硅納米線表面原 子存在大量未飽和鍵,具有很強(qiáng)的表面活性,現(xiàn)已開始對(duì)其進(jìn)行表面改性研究。當(dāng)適當(dāng)?shù)貙?duì)硅納 米線表面進(jìn)行其它元素修飾時(shí),硅納米線的物理、化學(xué)性質(zhì)得到進(jìn)一步的改進(jìn),能夠廣泛應(yīng)用于 納米器件中。本文對(duì)硅納米線的表面改性影響其物理、化學(xué)性質(zhì)的改進(jìn),以及改性的一些原理, 硅納米線表面改性后的應(yīng)用研究進(jìn)行介紹。


          硅納米線表面銀納米粒子改性

          Sun 等報(bào)道了采用激光燒蝕法制備硅納米線,再用氫氟酸腐蝕表面 SiO2 層后,硅納 米線表面被氫鈍化,硅納米線在用去離子水沖洗烘干后浸入硝酸銀溶液 30s 后,通過透射電子顯微鏡(TEM)可以看到硅納米線表面沉積了一層單質(zhì)銀(如圖 2 所示)。研究表明用氫氟酸處理硅納米線后,由于硅原子和氫原子的相互作用,納米線表面生成了硅氫化合物。在硝酸銀溶液中,SiH 鍵和銀離子相作用參與化學(xué)反應(yīng),并有 H2、單質(zhì)銀、SiO2 等產(chǎn)物生成。研究者認(rèn)為反應(yīng)過程與多孔硅和貴金屬離子的反應(yīng)相類似,其原理如下。

          (1)銀離子被硅納米線表面的氫化物還原成單質(zhì)銀

          Ag+ (aq) + 4SiH(表面)Ag(s) + H2(g)+4Si(表面) + 2H+ (aq)

          (2)由于溶液中水的存在還進(jìn)行了進(jìn)一步的化學(xué)反應(yīng),銀離子被進(jìn)一步的還原并沉積在硅納

          米線外表面,同時(shí)溶液呈酸性

          Ag+ (aq) + Si(表面) + 2H2O(aq) →Ag(s) + H2(g)+SiO2 + 2H+ (aq)

          Sun [14]還對(duì)表面改性后的硅納米線進(jìn)行 X 射線吸收精細(xì)結(jié)構(gòu)光譜(XAFS)測(cè)量。通過XAFS的探測(cè)能確認(rèn)銀究竟是存在于硅納米線的外表面還是存在于晶核及其化合物中,這是因?yàn)榭傠娮赢a(chǎn)額譜(TEY)收集的是電子信號(hào),是從樣品表面發(fā)出的,而熒光產(chǎn)額譜(FLY)收集的是聲子信號(hào), 從樣品的內(nèi)部發(fā)出。SiAg XAFS 研究提供了硅納米線中SiAg的相互關(guān)系。

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          3 是對(duì)硅 納米線(直徑為 25nm) 10%HF 處理表面氧化層后置于10-4mol/L 的硝酸銀溶液中得到 Si K XAFS 波譜簡(jiǎn)圖,其中的插圖是硅納米線的 X 射線近邊結(jié)構(gòu)光譜(XANES);從圖 3(a)TEY 光譜 中可以看到未經(jīng) HF 處理的硅納米線的硅氧峰(1848eV)很明顯,并且 SiO 峰比 SiSi 峰弱,說明僅僅是樣品表面參與了化學(xué)反應(yīng)。經(jīng) HF 處理后硅氧峰(1848eV)消失,同時(shí)曲線的上升邊斜率變得平緩說明氫在化學(xué)反應(yīng)中起到了化學(xué)取代作用。當(dāng)硅納米線浸于硝酸銀溶液中,圖 3(a)中插圖 XANES 譜線顯示氧信號(hào)明顯加強(qiáng)(共振線在 1853eV),表明由于具有還原性的 Ag+ 和硅納米線的表面作用使其表面再次氧化,并且被Ag+ 再次氧化的硅納米線的氧化層比未經(jīng)HF處理的硅納米線要;從圖 3(b)FLY 光譜中可以看到在整個(gè)過程中硅納米線的內(nèi)核一直保持單晶硅結(jié)構(gòu),其內(nèi)部結(jié)構(gòu)并未受化學(xué)反應(yīng)的影響,這說明 Ag+ 僅僅是和硅納米線的表面作用。


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          圖 4 是通過對(duì)產(chǎn)品Ag 的 L3,2 邊 TEY 進(jìn)行進(jìn)一步分析,Ag 的 L3,2 邊 XANES 光譜是從內(nèi)核的 2P3/2、2Py2的電子向高于費(fèi)米能級(jí)的未占據(jù)的 d 和 s 軌道躍遷,從圖中可以看到硅納米線表面銀是面心立方晶體,這就充分說明了硅納米線的表面沉積的是單質(zhì)金屬銀,而硅納米線的內(nèi)部結(jié)構(gòu)并未受溶液中的 Ag+ 影響。


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          pg電子官方生物小編zhn2021.02.25


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