鹵化鉛鈣鈦礦量子點(diǎn)LHP-QDs/CsPbX PQDs/CsPbI3-鈣鈦礦定制廠家

鹵化鉛鈣鈦礦量子點(diǎn)（LHP-QDs）在發(fā)光二極管背光顯示方面顯示出巨大的潛力。利用LHP量子點(diǎn)具有發(fā)光性能高、發(fā)射可調(diào)、合成方便等優(yōu)點(diǎn)。然而，LHP量子點(diǎn)的不穩(wěn)定性和大規(guī)模合成等缺點(diǎn)仍然制約著其實(shí)際應(yīng)用。這篇綜述集中于這些障礙的解決辦法。

本文對(duì)LHP量子點(diǎn)的優(yōu)化設(shè)計(jì)提供了啟示，促進(jìn)了其在寬色域背光照明中的應(yīng)用，為當(dāng)前和未來的顯示解決方案做出了貢獻(xiàn)。

當(dāng)前，兩個(gè)主要的障礙制約著QLCDs的實(shí)際應(yīng)用，特別是低成本的QLCDs。一是它們的穩(wěn)定性問題，包括在氧氣、水分、熱和光照下的不穩(wěn)定性；粉末狀淬滅的可能性；以及不同成分混合物的顏色偏析。二是大規(guī)模合成，這是LHP量子點(diǎn)背光源產(chǎn)業(yè)化的必要條件。

提高穩(wěn)定性的方法主要集中在外部保護(hù)上，可分為四種方法：表面配體鈍化、包覆、帶隙屏蔽和陶瓷玻璃。這些涂層方法已被廣泛研究，可分為以下五類：聚合物、介孔材料、氧化物、無機(jī)鹽和ALD殼�？偟膩碚f，在這些方法中，陶瓷-玻璃在消除上述三種不穩(wěn)定性方面較為**，尤其是當(dāng)應(yīng)用于類似陶瓷的LHP量子點(diǎn)時(shí)。高溫固相法是滿足QLCD應(yīng)用高穩(wěn)定性要求的較有前途的技術(shù)。在高溫（500?800℃）下的改性使LHP量子點(diǎn)具有剛性和緊湊的封裝結(jié)構(gòu)。

然而，對(duì)反應(yīng)參數(shù)和量子效率的**控制應(yīng)該得到更多的關(guān)注。微流控法具有重復(fù)性好、合成連續(xù)性好等優(yōu)點(diǎn)，是大規(guī)模合成LHP量子點(diǎn)的可靠方法。我們相信，通過努力解決LHP量子點(diǎn)過去和未來發(fā)展中的兩個(gè)關(guān)鍵問題，LHP量子點(diǎn)在寬色域背光照明中的實(shí)際應(yīng)用已近在眼前。

此外，隨著穩(wěn)定性和可擴(kuò)展性綜合障礙的解決，LHP量子點(diǎn)的實(shí)際應(yīng)用將引發(fā)一場(chǎng)革命。例如，基于LHP-QD的圖像傳感器，利用對(duì)光的敏感響應(yīng)，將提高在弱光下拍攝的照片和視頻的質(zhì)量，改進(jìn)面部識(shí)別技術(shù)，并使紅外光電探測(cè)成為可能以目前不可預(yù)測(cè)的方式進(jìn)入我們的日常生活。微型LED/Micro-LED與LHP量子點(diǎn)的結(jié)合，將使顯示技術(shù)向**、高對(duì)比度、低功耗、長(zhǎng)壽命、快速響應(yīng)的方向發(fā)展。大量應(yīng)用取決于面板尺寸和分辨率，包括**顯示應(yīng)用程序，如智能手機(jī)、可穿戴手表、微處理器、AR/VR、汽車抬頭顯示器和超高清晰度電視。膠體納米晶的電致發(fā)光預(yù)示著新一代高性能、可溶液處理的發(fā)光二極管。

同時(shí)，考慮到環(huán)境的影響，低毒性、高穩(wěn)定性、高PLQY、自吸收的無鉛（或無鉛）鈣鈦礦量子點(diǎn)將引起人們的廣泛關(guān)注，較終為未來的光電應(yīng)用提供實(shí)現(xiàn)，包括照明、顯示器、探測(cè)器、太陽能電池等。綜上所述，我們相信鈣鈦礦量子點(diǎn)以其優(yōu)越的窄帶發(fā)射特性，將引領(lǐng)其在高色域發(fā)光二極管顯示中的應(yīng)用。

圖1。不同因素引起的LHP量子點(diǎn)不穩(wěn)定性示意圖：（a）氧、水、熱和光照；（b）粉末中的猝滅；以及（c）不同混合物的顏色偏析。

圖2。提高LHP量子點(diǎn)穩(wěn)定性的解決方案：（a）表面配體鈍化，（b）包覆，（c）帶隙屏蔽，（d）陶瓷玻璃。

圖3。無機(jī)鹽涂層：（a）MAPbBr3?NaNO3的合成過程示意圖，（b）熱穩(wěn)定性，以及（c）光穩(wěn)定性；（d）CsPbBr3-NCC（載子上的納米晶）/NaBr和PL強(qiáng)度與加熱/冷卻循環(huán)溫度的關(guān)系的示意圖；（e）制備的CsPbX3?CaF2復(fù)合材料的PL光譜，具有藍(lán)色、綠色和紅色發(fā)射以及（f）PL強(qiáng)度與輻照時(shí)間的函數(shù)關(guān)系。

圖4。LHP量子點(diǎn)的微流控合成：（a）CsPbX3和（b）在線發(fā)射光譜；（c）CsPbX3量子點(diǎn)后交換平臺(tái)示意圖；（d）FAPb（Cl1?xBrx）3量子點(diǎn)的合成示意圖；（e）CsPbBr3-聚合物納米復(fù)合材料的合成示意圖和（f）粉末照片。

產(chǎn)品供應(yīng)：

鈣鈦礦太陽能電池(Perovskite solar cells,PSC)

有機(jī)金屬鹵化物鈣鈦礦/CH3NH3PbI3

有機(jī)-無機(jī)雜化鈣鈦礦

反式p-i-n鈣鈦礦太陽能電池

鈣鈦礦太陽能電池ABX3層

TiO2/ZnTiO3復(fù)合粉體

TiO2維度對(duì)TiO2/PVDF復(fù)合材料

石墨鎳粉PET基復(fù)合機(jī)敏材料

PS/TiO2復(fù)合球

聚乙烯/無機(jī)填料復(fù)合材料

CNT/GNs/PVDF電介質(zhì)復(fù)合材料

窄帶隙聚合物PDPP3T鈣鈦礦/BHJ雜化太陽能電池

聚合物PDTP-DFBT鈣鈦礦太陽能電池

EQE鈣鈦礦/BHJ雜化太陽能電池

碘化鉛(PbI2)混合離子鈣鈦礦薄膜

聚氧化乙烯-甲基溴化銨/溴化鉛(Ⅱ)復(fù)合材料薄膜

聚乳酸(PLA)/三碘化甲基鉛胺(MAPbI3)鈣鈦礦復(fù)合薄膜

二元/三元硫化物量子點(diǎn)材料

細(xì)胞膜包覆的介孔銅/錳硅酸鹽納米球(mCMSNs)

稀土Ho3+/Yb3+共摻SrBi4Ti4O*5陶瓷

稀土Er/Nb共摻Bi4Ti3O*2材料

無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)CsPbX 3(PQDs)

無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)(PQDs)

無機(jī)鈣鈦礦材料CsPbI2Br薄膜晶體

無機(jī)鈣鈦礦CsPbI3-CsPbBr3異質(zhì)結(jié)納米線陣列

烷基胺苯丙烯胺（PPA）鈣鈦礦量子點(diǎn)

透明質(zhì)酸修飾納米過氧化銅

銅鋅錫硫(CZTS)薄膜材料

銻基鈣鈦礦量子點(diǎn)

碳量子點(diǎn)CQD摻雜的鈣鈦礦膜

溴化物鈣鈦礦量子點(diǎn)

鈣鈦礦量子點(diǎn)納米晶

銫鉛鹵鈣鈦礦量子點(diǎn)

CsPbBr_3鈣鈦礦量子點(diǎn)

CsPbX_3鈣鈦礦量子點(diǎn)

紅光鈣鈦礦量子點(diǎn)

CsPbBr3鈣鈦礦量子點(diǎn)

Cs4PbBr6納米晶

正辛胺鈣鈦礦量子點(diǎn)

鈣鈦礦量子點(diǎn)熒光微球

鈣鈦礦量子點(diǎn)/介孔MOF?5復(fù)合發(fā)光材料

有機(jī)-無機(jī)雜化鈣鈦礦量子點(diǎn)CH3NH3PbX3

全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)CsPbX3

有機(jī)-無機(jī)雜化鈣鈦礦單晶CH3NH3PbX3

PQDs@介孔MOF納米復(fù)合材料

二氧化硅包覆鈣鈦礦量子點(diǎn)

石墨烯-鈣鈦礦量子點(diǎn)

CsPbX鈣鈦礦量子點(diǎn)(PQDs)

介孔二氧化硅包裹鈣鈦礦量子點(diǎn)

MAPbBr3鈣鈦礦量子點(diǎn)

油酸修飾CsPbI3鈣鈦礦量子點(diǎn)

AET-CsPbI3鈣鈦礦量子點(diǎn)

配體C8/C18-CsPbI3鈣鈦礦量子點(diǎn)

CsPbBr3量子點(diǎn)/氧化石墨烯復(fù)合材料

鈣鈦礦/黑磷低維納米復(fù)合材料

MAPbI3@PCN-221鈣鈦礦量子點(diǎn)金屬有機(jī)框架

MAPbI3/TiO2二氧化鈦修飾鈣鈦礦量子點(diǎn)

Cs3Bi2Br9鈣鈦礦量子點(diǎn)

鈣鈦礦量子點(diǎn)復(fù)合纖維膜

鉍基鈣鈦礦納米材料

CsPbX3/ZnS Quantum Dot量子點(diǎn)

MoS2/CsPbBr3二硫化鉬鈣鈦礦量子點(diǎn)

CsPbBr3@Ag銀修飾鈣鈦礦量子點(diǎn)

CsPbBr3@NH4Br (CPBr–NB)量子點(diǎn)

ITO/Al2O3/CsPbBr3鈣鈦礦量子點(diǎn)

CsPbBr3@PS聚苯乙烯鈣鈦礦量子點(diǎn)

CsPbBr_3/C8-BTBT復(fù)合薄膜

PbS–CsPbBr3復(fù)合材料

CsPbBr3/聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)

十二烷二酸修飾TiO2

量子點(diǎn)修飾的介孔鈣鈦礦

鈣鈦礦-量子點(diǎn)雜化薄膜

基于CuBr2二維鈣鈦礦材料

鈣鈦礦錳氧化物薄膜

二維三氧化鎢納米片

鈣鈦礦鈮酸鹽晶

PbIxCl3-x鈣鈦礦復(fù)合石墨烯

(PEA)_2BiBr_5(PEA:苯乙胺)鈣鈦礦納米片

Cs_3Bi_2Br_9納米粒子

Bi4Ti3O12鈦酸鉍基贗鈣鈦礦

Bi4Ti3O12 薄膜

層狀鈣鈦礦Bi-ErTi-3O-(12)(BErT)薄膜

鈣鈦礦BET/ZnO復(fù)合薄膜

稀土Er/Nb共摻Bi4Ti3O12材料

稀土Ho3+/Yb3+共摻SrBi4Ti4O15陶瓷

Pr/Nb共摻Bi4Ti3O(12)鉍層狀陶瓷

氧化物基上轉(zhuǎn)換發(fā)光材料

共摻氧化鋯及其復(fù)合氧化物上轉(zhuǎn)換發(fā)光材料

BNKTx薄膜 鈦酸鉍鈉鉀無鉛鐵電薄膜

鈣鈦礦鈮酸鉀納米材料(KNbO3)

鈣鈦礦MAPbI3納米片

低維鎢酸鉍基異質(zhì)結(jié)構(gòu)納米材料

鉍鉭基納米片

全無機(jī)鉛鹵鈣鈦礦CsPbX3晶體

銫鉛鹵(CsPbX_3)鈣鈦礦量子點(diǎn)

銦錫氧化物鈣鈦礦納米晶體(ITONPs)

黑色立方相CsPbBr3鈣鈦礦薄膜

CsPbBr3單晶鈣鈦礦納米材料

石墨烯鈣鈦礦量子點(diǎn)復(fù)合材料

Ag修飾石墨烯基鈣鈦礦材料

鈣鈦礦量子點(diǎn)與分子篩復(fù)合材料

MPbX3(M=CH3NH3,Cs;X=Cl,Br,I)

CH3NH3PbBr3鈣鈦礦量子點(diǎn)

CH3NH3PbCl3鈣鈦礦量子點(diǎn)

CH3NH3PbI3鈣鈦礦量子點(diǎn)

CdTe/MCM-41納米復(fù)合材料

負(fù)載型SrTiO3/HZSM-5光催化材料

BiFeO3納米顆粒

BaTiO3鈣鈦礦納米材料

PbTiO3鈣鈦礦納米材料

二維層狀鈣鈦礦型鐵電材料

BaTiO3單晶納米線

鈣鈦礦層狀化合物SrO(SrTiO3)

鈣鈦礦型氧化物SrTiO3/BaTiO3多層膜

CH3NH3PbI3(MAPbI3)鈣鈦礦

硫氰酸鹽在甲脒鈣鈦礦薄膜

鈣鈦礦氧化物LaAlO3/SrTiO3

鈣鈦礦結(jié)構(gòu)PbTiO3納米材料

鈣鈦礦結(jié)構(gòu)BaCrO3納米材料

鈦酸鍶(SrTiO3)鈣鈦礦納米材料

二氧化錫基鈣鈦礦二維納米材料

鹵素鈣鈦礦CsPbBr3單晶薄膜

有機(jī)無機(jī)鹵素鈣鈦礦MAPbX3

Sn-Pb二元鈣鈦礦材料

碘化鉛甲銨MAPbI3鈣鈦礦二維材料

多巴胺交聯(lián)二氧化鈦/鈣鈦礦薄膜

鈣鈦礦太陽能電池空穴傳輸材料

鈣鈦礦/黑磷低維復(fù)合納米材料

新型鈣鈦礦材料FAPbI3薄膜

鈣鈦礦氧化物SrTiO3（STO）

BiFeO3（BFO）鈣鈦礦薄膜

CsPbCl3納米晶

上述產(chǎn)品pg電子官方生物實(shí)驗(yàn)室均可供應(yīng)，僅用于科研，不可用于人體實(shí)驗(yàn)！

wyf 03.04