非均相沉淀法制備TiN-AI2O3納米復(fù)合材料

復(fù)合粉體的制備與表征

  采用非均相沉淀法制備了TiO2-a -Al2O3納米復(fù)合粉體，以此為原料采用原位氮化法制備了TiN- a-Al2O3納米復(fù)合粉體，再經(jīng)熱壓燒結(jié)制備了TiN- a -Al2O3納米復(fù)合材料。整個(gè)制備過(guò)程如圖1所示。

圖1.TiN-AlO3納米復(fù)合材料制備流程圖

  將上述得到的 TiN-a-Al2O3納米復(fù)合粉體在不同燒結(jié)溫度下，在High-Mutli-10000多功能爐中進(jìn)行熱壓燒結(jié)，燒結(jié)壓力為30MPa，燒結(jié)保溫時(shí)間為60 min，制得納米TiN-Al2O3復(fù)合材料。

  從圖2中可以看到納米TiO2顆粒均勻的分布在a-AI2O3顆粒表面上，TiO2顆粒的粒徑約為20納米。由于在c-Al2O3粉體和鈦酸丁酯混合過(guò)程中，a-Al2O3粉體顆粒表面被鈦酸丁酯分子所覆蓋，當(dāng)蒸餾水加入到α-Al2O3粉體和鈦酸丁酯混合漿料中時(shí)，鈦酸丁酯分子遇水發(fā)生水解，在a-Al2O3粉體顆粒表面生成納米TiO2顆粒。

圖2.TiO2-a-A12O3納米復(fù)合粉體的TEM照片

西安pg電子官方生物科技有限公司提供各種多孔材料、石墨烯、鈣鈦礦、量子點(diǎn)、納米顆粒、空穴傳輸材料、納米晶、化學(xué)試劑、光電化學(xué)品、有機(jī)光電和半導(dǎo)體材料、材料中間體、酶制劑、酶底物、定制類(lèi)納米管、定制氮化物等一系列產(chǎn)品。

pg電子官方供應(yīng)產(chǎn)品：

玻璃基片表面磷酸基硅烷-氮化鈦復(fù)合薄膜    

離子鍍技術(shù)在金屬鈦表面鍍上一屬氮化鈦薄膜    

鈦/氮化鈦納米復(fù)合硬質(zhì)薄膜    

Ti/TiCN/DLC復(fù)合膜層    

TiO2/SiO2復(fù)合薄膜    

氮化鈦基AlTiN和TiAlSiN超硬納米復(fù)合工具膜    

二硫化鉬氮化鈦復(fù)合薄膜    

層氮化鈦薄膜厚度增加,TiNx/SiO2/Ag/SiO2復(fù)合膜    

TiN/SiO2復(fù)合裝飾薄膜    

納米復(fù)合Ti-Si-N薄膜    

TiNx/SiO2/Ag/SiO2復(fù)合膜    

氮化鈦(TiN)引入ITO薄膜    

ITO-Ag復(fù)合薄膜    

nc—TiN/a—Si3N4納米復(fù)合薄膜    

TiO/TiN復(fù)合薄膜    

氮化鈦(TiNx)薄膜    

Si(111)基底上制備氮化鈦(TiNx)薄膜    

鋼基底上生成了金黃色氮化鈦(TiNx)膜    

TiNx/SiO2/Ag/SiO2復(fù)合膜    

石墨烯/氮化鈦(G/TiN)復(fù)合材料    

石墨烯/氮化鈦納米復(fù)合物    

Si—P(111)和Si—P(100)兩種不同Si片做基底制備TiNx薄膜    

立方氮化硼聚晶(PcBN)復(fù)合材料    

TiN/X多層結(jié)構(gòu)薄膜    

TiNx/SiO2/Ag/SiO2復(fù)合膜    

zl 03.23