為了磁性元件能夠?qū)崿F(xiàn)高頻化與微型化，基于磁性薄膜的磁性元件在近幾十年內(nèi)被廣泛研究。具體地，薄膜化的磁性元件相比基于塊材磁芯的磁性元件至少具有以下三點(diǎn)優(yōu)勢(shì)。**，薄膜化的磁性元件使得磁性元件實(shí)現(xiàn)了器件小型化、平面化，并且其制造可以通過(guò)鍍膜、光刻等目前電子工業(yè)通用的工藝實(shí)現(xiàn)，**有利于與其他電子元件一起集成;**，如果磁性薄膜的膜厚小于電磁波趨膚深度，則可以大大**渦流損耗，進(jìn)而在磁性材料的選擇上，對(duì)電阻率的要求更低，相比于塊材磁芯可以具有更廣的材料選擇范圍l5';第三，相關(guān)理論表明，對(duì)于相同的磁性材料，在磁導(dǎo)率一定的情況下，薄膜形態(tài)相比于塊材形態(tài)可以具有更高的鐵磁共振頻率,進(jìn)而可以工作于更高的頻率。以上這些優(yōu)勢(shì)決定了薄膜化的磁性元件是未來(lái)磁性元件發(fā)展的重要方向之一。

對(duì)于上述薄膜化的磁性元件的研究主要集中在兩個(gè)層面:**是基于磁性薄膜的平面化器件設(shè)計(jì)，**是研發(fā)具有優(yōu)良高頻性能的磁性薄膜。

對(duì)于器件設(shè)計(jì)，以薄膜電感為例，早在1984年日本大阪大學(xué)的Kawabe等人就開(kāi)發(fā)出了**的三種形態(tài)的薄膜電感,即環(huán)繞型(Hoop type)、螺旋型(Spiraltype）和折線形(Meander type)，其制作流程及**參數(shù)如圖1所示。之后，螺旋線圈型的薄膜電感占據(jù)了主導(dǎo)地位，主要包括了圓形螺旋型、矩形螺旋型、六（八）邊螺旋型、雙矩螺旋型等一系列的結(jié)構(gòu)。

供應(yīng)產(chǎn)品目錄：

二硒化鈀二維晶態(tài)薄膜

二碲化鈀 PdTe2薄膜

內(nèi)嵌高密度鈀納米晶的介質(zhì)薄膜

鈀/鉑納米薄膜

鈀(Ⅱ)-鋅卟啉-二氧化鈦三元復(fù)合配位聚合物薄膜

單質(zhì)鈀薄膜/鈀復(fù)合多層薄膜

鈀納米薄膜

負(fù)載鈀多層復(fù)合薄膜

三碲化鋯 ZrTe2薄膜

鋯摻雜二氧化鉿基納米薄膜

**Pb(Zr0.2Ti0.8)O3薄膜

Pb(Zr,Ti)O3薄膜

二維MoTe2薄膜

Cd1-xZnxTe多晶薄膜

二氧化鋯ZrO2薄膜

二硒化鉭TaSe2薄膜

二硫化鉭TaS2薄膜

鉭摻雜二氧化鈦TiO2薄膜

二硫化鉬/二硫化鎢多層摻鉭薄膜

納米結(jié)構(gòu)316L不銹鋼基摻鉭TiO_2薄膜

三硫化二銦（In2S3）薄膜

多孔三硫化二銦（In2S3）薄膜

硫化二銦(In2S3)緩沖層納米晶薄膜

具有納米網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的硫化銦納米晶陣列薄膜

堿式硝酸銅薄膜

均勻致密的In2S3/Cu2(OH)3(NO3)復(fù)合薄膜

多孔TiO2薄膜

銅銦鎵硒薄膜(CIGS)

碲化亞鐵FeTe薄膜

鉍碲硒B(niǎo)i2Te2S薄膜

鉍銻碲基熱電薄膜

N型碲化鉍基熱電薄膜

鉬鎢硒MoWSe2薄膜

大尺寸WSe2薄膜

鉬鎢碲MoWTe2薄膜

鉬硫硒MoSSe薄膜

提高柔性銅銦鎵硫硒薄膜

MoO3薄膜

鉍氧硒B(niǎo)i2O2Se薄膜

高遷移率層狀Bi2O2Se半導(dǎo)體薄膜

硒化鉍納米結(jié)構(gòu)薄膜

c軸取向鉍銅硒氧基氧化物熱電薄膜

用硫酸鉍制備硒化鉍熱電薄膜

**晶圓級(jí)硒氧化鉍半導(dǎo)體單晶薄膜

氧化鉍BiOx薄膜

鉍銅硒氧基類單晶薄膜

鉍氧碲Bi2O2Te薄膜

鉍碲硒B(niǎo)i2Te2Se薄膜

p-型Bi-Sb-Te-Se溫差電薄膜

Bi2Te3-ySey溫差電材料薄膜

鐵鍺碲Fe3GeTe2薄膜

大面積二維鐵磁性材料Fe3GeTe2薄膜

六氰亞鐵釩薄膜

室溫鐵磁硅鍺錳半導(dǎo)體薄膜

BaxSr1—xTiO3鐵電薄膜

含鐵二氧化鈦Fe^3+/TiO2復(fù)合納米薄膜

P(VDF-TrFE)鐵電薄膜

矽鍺磊晶薄膜

鍺-二氧化硅Ge-SiO2復(fù)合薄膜

納米復(fù)合堆疊鋅銻鍺碲相變存儲(chǔ)薄膜

含鐵二氧化鈦(TiO2)印跡薄膜

室溫鐵磁半導(dǎo)體Co摻雜的TiO2薄膜

（Ba,Sr)TiO3(簡(jiǎn)稱BST)鐵電薄膜

黑磷薄膜

鐵磷硫FePS3薄膜

銅錫硒(Cu2SnSe3)薄膜

金屬硒化物薄膜

銅(銦,鎵)硒及銅鋅錫硒薄膜

碘化鎳NiI2薄膜

溴化鎳NiBr2薄膜

碘化錳MnI2薄膜

銅釩磷硫CuVP2S6薄膜

二氧化釩智能溫控薄膜

銅銻硫薄膜

CulnS2薄膜

CBD硫化銦薄膜

釩氧化物薄膜

銅鉻磷硫CuCrP2S6薄膜

銅鐵錫硫(CFTS)薄膜

銅銦硫光電薄膜

鉻-氧薄膜

銅銦硒硫薄膜

鉻硅碲CrSiTe3薄膜

鎳鉻/鉻硅鈷薄膜

多元Cr-Si系硅化物薄膜

碲化鎘-硅基薄膜

嵌入多納米片的碲化鉻薄膜

三價(jià)鉻電沉積納米結(jié)構(gòu)鍍層/薄膜

鉻鍺碲CrGeTe3薄膜

鍺鎵碲硫鹵玻璃薄膜

高性能鍺銻碲相變薄膜

銀/鉻（Cr/Ag）薄膜

銅銦磷硫CuInP2S6薄膜

銅銦硫(CuInS2,簡(jiǎn)稱CIS)半導(dǎo)體薄膜

氯化鉻CrCl3薄膜

碲化鈷CoTe2薄膜

鈷摻雜TiO2薄膜

銀釩磷硒AgVP2Se6薄膜

銀納米薄膜

銀鉍硫薄膜

鉻-銀-金薄膜

石墨烯/銀復(fù)合薄膜

銀金納米線PDMS復(fù)合薄膜

聚乙烯醇/二氧化鈦(PVAmO2)納米復(fù)合薄膜

電沉積銀銦硒薄膜

冷軋鈀銀合金薄膜

三硫化二鎵Ga2S3薄膜

FeS2復(fù)合薄膜

三硒化二鎵Ga2Se3薄膜

納米砷化鎵（GaAs）薄膜

砷化鎵（GaAs）納米結(jié)構(gòu)薄膜

砷化鎵（GaAs）多晶薄膜

GaAs/Ga2O3復(fù)合多晶薄膜

鎵銦硒GaInSe薄膜

銅銦鎵硒(Cu(In,Ga)Se_2,簡(jiǎn)寫(xiě)GIGS)薄膜

大面積銅銦鎵硒(GIGS)薄膜

磷化鎵GaP薄膜

柔性銅銦鎵硒(CIGS)薄膜

硫化鋅(ZnS)緩沖層薄膜

鎵硫碲GaSTe薄膜

基于鍺鎵碲硫鹵玻璃薄膜

yyp2021.3.25