量子點(diǎn)-碳基復(fù)合材料(ZnO@ZnO QDs/C,石墨烯QDs修飾的核-殼結(jié)構(gòu)的NiO微球)的制備
量子點(diǎn)與碳質(zhì)材料的結(jié)合以提高電導(dǎo)率并防止團(tuán)聚已被認(rèn)為是提高容量和改善循環(huán)穩(wěn)定性和的**方法。大量研究報(bào)告描述了制備量子點(diǎn)-碳質(zhì)復(fù)合材料的合成方法?梢詤^(qū)分兩種主要方法:一種是前驅(qū)體材料在熱處理過程后發(fā)生反應(yīng),直接在碳基材料上生成量子點(diǎn),另一種常用的方法是通過攪拌,球磨或水熱將預(yù)合成的量子點(diǎn)與其他材料結(jié)合在一起。除此之外,還有許多新穎的方法可以制備具有特定形狀或功能的電極,例如原子層沉積法,電紡絲法,微波輔助法等合成方法。另外,并不是尺寸越小的量子點(diǎn)可獲得更高的電化學(xué)性能,還需要考慮隨尺寸減小,更突出的量子限域效應(yīng),將會增加電荷傳輸電阻,同時(shí)因?yàn)楦叩谋缺砻婺,引起更?yán)重的團(tuán)聚。
圖 1. (a) ZnO@ZnO QDs/C核-殼納米棒陣列,
(b) 3D多空碳網(wǎng)結(jié)構(gòu)/SnO2 QDs,
(c) Fe3O4 QDs 修飾的MoS2 納米片陣列的合成示意圖。
圖2. (a) 3D SnO2 QDs/石墨烯的柔性結(jié)構(gòu)的示意圖和(b)穩(wěn)定性,
(c)基于CuO QDs的納米線電極,
(d)石墨烯QDs修飾的核-殼結(jié)構(gòu)的NiO微球。
圖 3. (a) 原子層沉積方法沉積的ZnO QDs/石墨烯,
(b)不同尺寸GeO顆粒及在電池上的性能差異,
(c)石墨烯QDs/MnO2納米片的異質(zhì)結(jié)構(gòu),
(d)電沉積制備多層石墨烯/Si–CuO QDs電極和(e)倍率性能,
(f)靜電紡絲制備CuO QDs嵌入碳納米纖維作為無粘結(jié)負(fù)極。
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氧化鋅ZnO量子點(diǎn)
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Si02/Si襯底上生長ZnO量子點(diǎn)
藍(lán)寶石襯底生長ZnO量子點(diǎn)
拋光Si(001)晶片生長ZnO量子點(diǎn)
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正硅酸乙酯沉積包覆SiO2的ZnO量子點(diǎn)
CuO表面修飾ZnO量子點(diǎn)
稀土Sm3+摻雜ZnO量子點(diǎn)
Ag/ZnO量子點(diǎn)復(fù)合薄膜
ZnO/MgZnO量子點(diǎn)
磷摻雜生長ZnO量子點(diǎn)
乙二胺介導(dǎo)的ZnO量子點(diǎn)
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MAA巰基乙酸修飾ZnO量子點(diǎn)
乙醇溶液中制備出ZnO量子點(diǎn)
Cu摻雜ZnO量子點(diǎn)
PEG修飾的ZnO量子點(diǎn)
PEG(聚乙二醇,Mw=2000)修飾的氧化鋅量子點(diǎn)
Gd~(3+)/Yb~(3+)摻雜ZnO量子點(diǎn)
PVP分散制備ZnO量子點(diǎn)
非晶石英襯底上立方ZnMgO基體中制備六方ZnO量子點(diǎn)
以γ-氨丙基三乙氧基硅烷(ATPES)為表面修飾劑水溶性的ZnO量子點(diǎn)
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BSA@QDS
核/殼結(jié)構(gòu)ZnO量子點(diǎn)
ZnO量子點(diǎn)/環(huán)氧樹脂復(fù)合材料
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氧化鋅量子點(diǎn)ZnO負(fù)載**阿霉素(DOX)
氧化鋅量子點(diǎn)ZnO負(fù)載**紫杉醇、喜樹堿
Mg摻雜ZnO量子點(diǎn)
乙烯基乙烯基三乙氧基硅烷(A151)改性ZnO量子點(diǎn)
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小編zhn2021.03.30