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          量子點(diǎn)-碳基復(fù)合材料(ZnO@ZnO QDs/C,石墨烯QDs修飾的核-殼結(jié)構(gòu)的NiO微球)的制備
          發(fā)布時(shí)間:2021-03-30     作者:zhn   分享到:

          量子點(diǎn)-碳基復(fù)合材料(ZnO@ZnO QDs/C,石墨烯QDs修飾的核-殼結(jié)構(gòu)的NiO微球)的制備

          量子點(diǎn)與碳質(zhì)材料的結(jié)合以提高電導(dǎo)率并防止團(tuán)聚已被認(rèn)為是提高容量和改善循環(huán)穩(wěn)定性和的**方法。大量研究報(bào)告描述了制備量子點(diǎn)-碳質(zhì)復(fù)合材料的合成方法?梢詤^(qū)分兩種主要方法:一種是前驅(qū)體材料在熱處理過程后發(fā)生反應(yīng),直接在碳基材料上生成量子點(diǎn),另一種常用的方法是通過攪拌,球磨或水熱將預(yù)合成的量子點(diǎn)與其他材料結(jié)合在一起。除此之外,還有許多新穎的方法可以制備具有特定形狀或功能的電極,例如原子層沉積法,電紡絲法,微波輔助法等合成方法。另外,并不是尺寸越小的量子點(diǎn)可獲得更高的電化學(xué)性能,還需要考慮隨尺寸減小,更突出的量子限域效應(yīng),將會增加電荷傳輸電阻,同時(shí)因?yàn)楦叩谋缺砻婺,引起更?yán)重的團(tuán)聚。

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          1. (a) ZnO@ZnO QDs/C核-殼納米棒陣列,

          (b) 3D多空碳網(wǎng)結(jié)構(gòu)/SnO2 QDs,

          (c) Fe3O4 QDs 修飾的MoS2 納米片陣列的合成示意圖。
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          2. (a) 3D SnO2 QDs/石墨烯的柔性結(jié)構(gòu)的示意圖和(b)穩(wěn)定性,

          (c)基于CuO QDs的納米線電極,

          (d)石墨烯QDs修飾的核-殼結(jié)構(gòu)的NiO微球。


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          3. (a) 原子層沉積方法沉積的ZnO QDs/石墨烯,

          (b)不同尺寸GeO顆粒及在電池上的性能差異,

          (c)石墨烯QDs/MnO2納米片的異質(zhì)結(jié)構(gòu),

          (d)電沉積制備多層石墨烯/Si–CuO QDs電極和(e)倍率性能,

          (f)靜電紡絲制備CuO QDs嵌入碳納米纖維作為無粘結(jié)負(fù)極。


          西安pg電子官方生物科技有限公司可以合成各種復(fù)雜定制類的核殼型熒光量子點(diǎn)產(chǎn)品,我們的產(chǎn)品涉及到各種的多肽、蛋白、多糖修飾的熒光量子點(diǎn)產(chǎn)品,pg電子官方生物提供產(chǎn)品的熒光量子產(chǎn)率高,質(zhì)量穩(wěn)定 ,價(jià)格較為便宜 如需要的可以可以直接聯(lián)系我們。

          氧化鋅ZnO量子點(diǎn)

          ZnO近紫外發(fā)射(發(fā)射波長380-400nm)

          水溶性ZnO量子點(diǎn)

          ZnO球形量子點(diǎn)

          PMMA修飾氧化鋅ZnO量子點(diǎn)QDs

          PVB-ZnO/CdS復(fù)合膜納米粒子

          ZnO量子點(diǎn)/有機(jī)硅納米復(fù)合材料

          氧化鋅ZnO量子點(diǎn)-環(huán)氧樹脂復(fù)合材料

          ZnO@GQDs核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)

          ZnO/CdSe@ZnS量子點(diǎn)熒光探針

          ZnO/PEMA量子點(diǎn)復(fù)合材料

          ZnO量子點(diǎn)/氧化石墨烯復(fù)合材料

          氨基修飾的ZnO量子點(diǎn)(ZnO QDs)

          NH2@ZnO QDs

          巰基修飾的ZnO量子點(diǎn)(SH-ZnO QDs)

          ZnO@(PAA-PEGFA)核/殼納米粒子(量子點(diǎn)為核,聚合物為殼)

          3-巰丙基三乙氧基硅烷包覆ZnO量子點(diǎn)

          SiO2包覆的水溶性ZnO藍(lán)色熒光量子點(diǎn)

          SiO2直接包覆的ZnO量子點(diǎn)

          ZnO量子點(diǎn)表面修飾巰基乙酸

          水溶性熒光氧化鋅量子點(diǎn)(ZnO-QDs)

          水相法制備出的Mn:ZnSe量子點(diǎn)

          ZnO寬禁帶半導(dǎo)體量子點(diǎn)

          室溫高功率激光發(fā)射量子點(diǎn)-ZnO

          Si02/Si襯底上生長ZnO量子點(diǎn)

          藍(lán)寶石襯底生長ZnO量子點(diǎn)

          拋光Si(001)晶片生長ZnO量子點(diǎn)

          水溶性SiO2包覆ZnO的量子點(diǎn)

          正硅酸乙酯沉積包覆SiO2的ZnO量子點(diǎn)

          CuO表面修飾ZnO量子點(diǎn)

          稀土Sm3+摻雜ZnO量子點(diǎn)

          Ag/ZnO量子點(diǎn)復(fù)合薄膜

          ZnO/MgZnO量子點(diǎn)

          磷摻雜生長ZnO量子點(diǎn)

          乙二胺介導(dǎo)的ZnO量子點(diǎn)

          ZnO量子點(diǎn)修飾尿酸分子

          MAA巰基乙酸修飾ZnO量子點(diǎn)

          乙醇溶液中制備出ZnO量子點(diǎn)

          Cu摻雜ZnO量子點(diǎn)

          PEG修飾的ZnO量子點(diǎn)

          PEG(聚乙二醇,Mw=2000)修飾的氧化鋅量子點(diǎn)

          Gd~(3+)/Yb~(3+)摻雜ZnO量子點(diǎn)

          PVP分散制備ZnO量子點(diǎn)

          非晶石英襯底上立方ZnMgO基體中制備六方ZnO量子點(diǎn)

          以γ-氨丙基三乙氧基硅烷(ATPES)為表面修飾劑水溶性的ZnO量子點(diǎn)

          負(fù)載ZnO量子點(diǎn)的細(xì)菌纖維素BC復(fù)合膜

          CuO/ZnO量子點(diǎn)異質(zhì)結(jié)

          牛血清白蛋白(BSA)修飾水溶性ZnO量子點(diǎn)(QDS)

          BSA@QDS

          核/殼結(jié)構(gòu)ZnO量子點(diǎn)

          ZnO量子點(diǎn)/環(huán)氧樹脂復(fù)合材料

          氧化鋅量子點(diǎn)(ZnO QDS)包覆膠體介孔二氧化硅納米粒(CMS)

          氧化鋅量子點(diǎn)ZnO負(fù)載**阿霉素(DOX)

          氧化鋅量子點(diǎn)ZnO負(fù)載**紫杉醇、喜樹堿

          Mg摻雜ZnO量子點(diǎn)

          乙烯基乙烯基三乙氧基硅烷(A151)改性ZnO量子點(diǎn)

          ZnO-A量子點(diǎn)

          小編zhn2021.03.30


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