II-VI族化合物半導(dǎo)體氧化鋅（ZnO）作為第三代半導(dǎo)體材料的代表，因其具有獨(dú)特的物理、化學(xué)和光學(xué)性能，正受到人們?cè)絹?lái)越廣泛的關(guān)注和研究。ZnO具有寬的帶隙、很高的化學(xué)溫度性和熱溫度性，在大氣中不易被氧化，與III一V族氮化物和Ⅱ一VI族硒化物相比，其材料的穩(wěn)定性是其它材料所無(wú)法比擬的。雖然生長(zhǎng)更**的ZnO 還有待進(jìn)一步研究，但其作為繼II一V氮化物和II一VI族的硒化物之后又一新的寬禁帶半導(dǎo)體激光器材料已經(jīng)顯示出其獨(dú)特的優(yōu)越性。目前人們對(duì)ZnO的研究還處于開(kāi)始階段，ZnO主要還是在襯底藍(lán)寶石（0001)，硅（111)，(100)晶面上進(jìn)行外延生長(zhǎng)。

我們采用硅襯底生長(zhǎng)，雖然難度大，但是根據(jù)目前的器件和集成技術(shù)，硅基上的生長(zhǎng)才更具有現(xiàn)實(shí)意義。盡管MOCVD技術(shù)能夠制備**、大面積、均勻的外延或多晶薄膜，但是利用MOCVD 工藝，在硅襯底上直接生長(zhǎng) ZnO是非常困難的。

本**的目的在于提供一種利用氧化鋅緩沖層生長(zhǎng)單晶氧化鋅薄膜的方法，該方法是在襯底硅（001）晶面上采用磁控濺射的方法**生長(zhǎng)一層氧化鋅薄膜，然后在氧化鋅薄膜上同質(zhì)外延生長(zhǎng)氧化鋅薄膜;氧化鋅薄膜沉積時(shí)襯底溫度約30 0-3 5 0 ℃，壓力約20 Torr，生長(zhǎng)厚度0 . 5 - 1 . 0 u m。同時(shí)優(yōu)化生長(zhǎng)條件，如溫度、壓力的控制，通過(guò)這些措施可以在硅襯底上得到單晶氧化鋅薄膜，并且**地提高ZnO外延膜的質(zhì)量，并提高表面的平整度。

本**-種利用氧化鋅緩沖層生長(zhǎng)單晶氧化鋅薄膜的方法，其特征在于，包括如下步驟:

( 1）取一襯底;

( 2）在該襯底上的硅（001）晶面上采用磁控濺射的方法低溫生長(zhǎng)氧化鋅緩沖層;

(3 ）在氧化鋅緩沖層上，采用MOCVD方法低溫生長(zhǎng)氧化鋅外延薄膜。

其中襯底是大失配硅襯底。

其中氧化鋅單晶外延薄膜低溫生長(zhǎng)的溫度為3 0 0 -3 5 0 ℃，生長(zhǎng)壓力為2 0 Torr，生長(zhǎng)厚度為0.5-1.0 u m.

其中氧化鋅單晶外延薄膜的表面粗糙度為6- 1 0 nm。其中氧化鋅單晶外延薄膜的XRD曲線(xiàn)半峰寬為0.3 3 °。

其中氧化鋅單晶外延膜的PL譜僅有一個(gè)紫外發(fā)光峰且半峰寬為2 1.0 3 nm。

其中氧化鋅單晶外延薄膜的RHEED圖像為規(guī)則點(diǎn)狀。

圖1是本**的單晶氧化鋅外延膜的結(jié)構(gòu)示意圖;

圖2是本**的單晶氧化鋅外延膜的 RHEED照片。

供應(yīng)產(chǎn)品目錄：

錳鉍稀土(MnBiRE)磁光薄膜

二硫化銅銦薄膜

二硫化鎢固體潤(rùn)滑薄膜

二硫化錸(ReS2)薄膜

二維二硫化鎢薄膜

二碲化鈦(TiTe2)過(guò)渡金屬二硫化物薄膜

二維碲化鉑納米薄膜

二硒化銅銦(CuInSe2,CIS )薄膜

CIGSeS/CIGSe復(fù)合薄膜

大尺寸單層硒分區(qū)摻雜二硫化鎢薄膜

銅銦鎵硒/硫/硒硫薄膜

具有光引出層的柔性氣密性薄膜

鋯鈦酸鉛(Pb(Zn0.53Ti0.47)O3,簡(jiǎn)寫(xiě)為PZT)薄膜

鋯鈦酸鉛 (PbZr0.5Ti0.5O3) 薄膜

強(qiáng)介電 Pb(Zr, Ti)O3 薄膜

強(qiáng)誘電體/高取向度PZT鐵電薄膜

Bi2-xSbxTe3基熱電薄膜

MOCVD-Pb(Zr,Ti)O_3薄膜

Pb(Zr,Ti)O3--CoFe2O4納米復(fù)合薄膜

多鐵性磁電復(fù)合薄膜

聚酰亞胺/納米Al2O3復(fù)合薄膜

金剛石薄膜

直流磁控濺射ZnO薄膜

WO3-TiO2薄膜

超疏水多孔陣列碳納米管薄膜

仿生超疏水性薄膜

摻錫TiO2復(fù)合薄膜

TiO2-SiO2超親水性薄膜

金屬離子摻雜的TiO2薄膜

納米碳纖維膜/鈷酸鋰三維同軸復(fù)合膜

含氫類(lèi)金剛石薄膜

納米結(jié)晶金剛石碳膜

三明治結(jié)構(gòu)透明導(dǎo)電薄膜

三維納米多孔石墨烯(3D-npG)薄膜

高性能的碳納米纖維柔性薄膜

石墨烯基透明導(dǎo)電薄膜

球殼狀連續(xù)異質(zhì)結(jié)構(gòu)的3D納米多孔石墨烯(hnp-G)薄膜

聚丙烯腈納米纖維薄膜

石墨烯/多孔碳膜

三維多孔碳膜

二維氮化硼納米薄膜

高性能鈉離子薄膜

多孔石墨烯/碳納米管復(fù)合薄膜(PGNs-CNT)

石墨烯/二氧化錳復(fù)合薄膜

各向異性導(dǎo)電高分子復(fù)合薄膜

碳氮化物薄膜

微納結(jié)構(gòu)薄膜

三維階層多孔金膜

大內(nèi)徑碳納米管陣列薄膜

金納米顆粒-碳復(fù)合材料催化劑薄膜

納米反應(yīng)器陣列薄膜

鐵氧體/石墨烯基納米復(fù)合薄膜

三維網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)鐵氧體/碳材料納米復(fù)合薄膜

具有大孔-中孔多級(jí)孔結(jié)構(gòu)的自支撐碳納米管薄膜

非晶碳基納米多層薄膜

離子液體/織構(gòu)化類(lèi)金剛石碳復(fù)合潤(rùn)滑薄膜

碳納米纖維薄膜

硫化鈷鎳納米棒-靜電紡絲碳納米纖維復(fù)合薄膜

金球/多壁碳管/聚苯胺薄膜

三維多孔碳納米管/石墨烯導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)的柔性薄膜

三維鎳納米線(xiàn)薄膜

超順排碳納米管薄膜

金屬摻雜DLC(Me-DLC)納米復(fù)合薄膜

C-TiO_2和C-Ni-TiO_2復(fù)合薄膜

碳基架負(fù)載二氧化錳納米片的復(fù)合薄膜

超潤(rùn)滑非晶碳膜

網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)碳納米管薄膜

二維碳基薄膜

石墨烯基納米薄膜復(fù)合材料

超級(jí)電容器柔性可彎曲薄膜

三維石墨烯/多壁碳納米管/納米金鉑復(fù)合膜(3DGN/MWCNT/Au-PtNPs)

多孔C/TiO2納米復(fù)合薄膜

碳包覆磷酸鐵鋰薄膜

WC/類(lèi)金剛石(DLC)/WS2納米復(fù)合薄膜

yyp2021.4.1