氮化鈦（TiN）納米纖維紙（含圖）

TiN納米纖維紙由細(xì)長(zhǎng)的TiN納米帶組成，可直接用作自支撐電極。合成該材料涉及水熱法與陽(yáng)離子置換制備H2Ti3O7納米帶、真空抽濾成膜、空氣灼燒形成TiO2納米帶、氨氣中高溫氮化生成TiN納米纖維紙（圖1a）。電鏡圖像顯示所制備的TiN納米纖維紙由大量TiN納米帶堆疊而成，纖維之間互相交錯(cuò)整體形成三維大孔結(jié)構(gòu)（圖1b、f），每根TiN納米帶結(jié)晶度高且含介孔（圖1c-e）。大孔與介孔結(jié)合不僅增加電極的比表面積，也利于電解液離子在電極中的快速擴(kuò)散。

TiN納米纖維紙的導(dǎo)電性**。單根TiN納米帶的電導(dǎo)率達(dá)4.5×105 S m-1（圖2a），遠(yuǎn)高于碳基材料（1~104 S m-1）。納米纖維紙方阻小（僅2.73 Ω sq-1），可作導(dǎo)線（圖2b）。

獨(dú)特的孔結(jié)構(gòu)和出色的導(dǎo)電性賦予了TiN納米纖維紙**的倍率性能。由兩片相同的TiN纖維納米紙為電極組裝的對(duì)稱超級(jí)電容器在0.5 M Na2SO4的中性電解液、1-100 V s-1掃速下展現(xiàn)出類矩形循環(huán)伏安曲線（圖3a-e）。此外，在1-20 V s-1的掃速內(nèi)，放電電流與掃速線性增加（圖3f）。這些結(jié)果均證明了TiN納米纖維紙電極中電子輸運(yùn)與離子遷移速率均極快，適于快速充放電應(yīng)用。

此外，TiN納米纖維紙電極的厚度和質(zhì)量均可通過(guò)真空抽濾時(shí)所傾倒的H2Ti3O7納米帶的質(zhì)量予以調(diào)控。得益于高速電子輸運(yùn)和離子傳輸特性，隨著電極載量從0.38增加到3 mg cm-2，超級(jí)電容器面積電容呈近線性的增長(zhǎng)（圖4），同時(shí)質(zhì)量比電容和體積比電容未明顯降低。

西安pg電子官方生物科技有限公司提供各種多孔材料、石墨烯、鈣鈦礦、量子點(diǎn)、納米顆粒、空穴傳輸材料、納米晶、化學(xué)試劑、光電化學(xué)品、有機(jī)光電和半導(dǎo)體材料、材料中間體、酶制劑、酶底物、定制類納米管、定制氮化物等一系列產(chǎn)品。

pg電子官方供應(yīng)定制產(chǎn)品：

TiN氮化鈦陶瓷材料    

碳鋼表面氮化鈦陶瓷    

亞微米氮化鈦陶瓷粉末    

二氧化鈦修飾碳粉    

不銹鋼317L表面制備氮化鈦(TiN)陶瓷薄膜    

氮化硅/氮化鈦陶瓷多層膜    

鐵三鋁金屬間化合物-氮化鈦陶瓷復(fù)合材料    

納米晶氮化鈦陶瓷**粉    

氮化鈦-氧化鋁復(fù)相耐磨耐高溫陶瓷材料    

鈷基合金/TiN陶瓷復(fù)合涂層    

氧化鋁和氮化鈦陶瓷復(fù)合材料    

納米TiN、AlN改性的TiC基金屬陶瓷    

氮化鈦陶瓷增強(qiáng)銅基復(fù)合材料    

碳熱-氮化制備TiN陶瓷    

LED用碳氮化鈦陶瓷基板    

丁腈橡膠/陶瓷納米氮化鈦復(fù)合材料    

TiN,AlN/Al2O3復(fù)合陶瓷材料    

TiN/Al2O3復(fù)合材料    

(TiN,AlN)/Al2O3復(fù)合材料    

TiN-Si3N4復(fù)合材料    

TiN納米粉體和TiN-AlO納米復(fù)合材料    

TiN/O'—Sialon源位復(fù)合材料    

鐵三鋁金屬間化合物-氮化鈦陶瓷復(fù)合材料    

石墨烯/氮化鈦(G/TiN)復(fù)合材料    

TiN/Si3N4陶瓷復(fù)合材料    

氮化鈦/碳復(fù)合材料（TiN/SiO2/C）    

氧化鈦/鋁 TiO2/Al    

氮化鈦/氧化鋁復(fù)合材料TiN-Al2O3    

TiN復(fù)合材料A12O3陶瓷氮化鋁氮化鈦氧鋁    

Al2O3-TiN陶瓷粉末    

TiN-Al2O3復(fù)合材料    

聚四氟乙烯/納米氮化鈦復(fù)合材料    

Ti2AlN/TiN復(fù)合材料    

SiC晶須對(duì)Al2O3/TiN/ZrO2復(fù)合材料    

Al2O3/TiN/ZrO2/SiCw復(fù)合材料    

Si3N4-SiC-TiN陶瓷    

釔穩(wěn)定氧化鋯(YSZ)修飾導(dǎo)電氮化鈦(TiN)復(fù)合材料    

氮化鈦-鐵金屬陶瓷(TiN-Fe)    

W–Ti–TiN復(fù)合材料    

Ti、TiN摻雜鎢基復(fù)合材料    

TiN改善Si3N4陶瓷    

Si3N4-TiN納米復(fù)合材料    

TiC/TiN/Al2O3復(fù)合陶瓷    

導(dǎo)電氮化鈦/氮化硅納米復(fù)合材料    

鈷基合金/TiN陶瓷復(fù)合材料    

硅與氮化鈦納米復(fù)合材料（Si/TiN）    

二氧化鈦/氮化鈦復(fù)合薄膜    

玻璃基片表面磷酸基硅烷-氮化鈦復(fù)合薄膜    

離子鍍技術(shù)在金屬鈦表面鍍上一屬氮化鈦薄膜    

鈦/氮化鈦納米復(fù)合硬質(zhì)薄膜    

Ti/TiCN/DLC復(fù)合膜層    

TiO2/SiO2復(fù)合薄膜    

氮化鈦基AlTiN和TiAlSiN超硬納米復(fù)合工具膜    

二硫化鉬氮化鈦復(fù)合薄膜    

層氮化鈦薄膜厚度增加,TiNx/SiO2/Ag/SiO2復(fù)合膜    

TiN/SiO2復(fù)合裝飾薄膜    

納米復(fù)合Ti-Si-N薄膜    

TiNx/SiO2/Ag/SiO2復(fù)合膜    

氮化鈦(TiN)引入ITO薄膜    

ITO-Ag復(fù)合薄膜    

nc—TiN/a—Si3N4納米復(fù)合薄膜    

TiO/TiN復(fù)合薄膜    

氮化鈦(TiNx)薄膜    

Si(111)基底上制備氮化鈦(TiNx)薄膜    

鋼基底上生成了金黃色氮化鈦(TiNx)膜    

zl 04.08