單層二硫化鎢（WS2）作為類石墨烯二維過渡金屬硫化物（TMDCs）一員，以其強(qiáng)軌道自旋偶合、能帶分裂和非線性高敏感性等一系列獨(dú)特的性質(zhì)收到了廣大學(xué)者的關(guān)注。單層WS2因其較寬的直接帶隙寬度、高理論電子遷移率和光致發(fā)光量子產(chǎn)率等特性在半導(dǎo)體光電子和微/納電子器件中具有廣大的應(yīng)用潛力。

通過控制硫源（升華硫粉）的引入時(shí)間和鎢源（三氧化鎢）與生長基板之間的距離，來制備合成高均勻性的單層三角形WS2單晶片。通過透射電子顯微鏡和拉曼光譜來表征WS2樣品的微觀形貌和結(jié)構(gòu)；測試結(jié)果顯示，該方法所制備的三角形WS2單晶片（邊長可達(dá)233μm）具有**的化學(xué)結(jié)構(gòu)和均勻的單晶性。

圖一 **高均勻性單層WS2單晶片的合成

（a）在SiO2/Si基板上大面積合成WS2片的示意圖；

（b）合成WS2片的溫度曲線；

（c）（d）在SiO2/Si基板上生長出的WS2片的低/高倍率光學(xué)顯微照片；

（e）生長出的WS2片的AFM表征圖，厚度為0.77nm。

圖二 合成出的WS2樣品的XPS光譜和PL光譜表征

（a）WS2樣品的XPS全譜圖；

（b）WS2樣品中W元素的XPS精細(xì)光譜圖；

（c）WS2樣品中S元素的XPS精細(xì)光譜圖；

（d）WS2樣品的PL光譜圖。

圖三 合成出的WS2樣品的拉曼光譜表征

（a）WS2樣品的拉曼光譜圖；

（b）三角形WS2樣品的光學(xué)顯微鏡照片；

（c）（d）三角形WS2樣品的2LA和A1g振動(dòng)峰的拉曼mapping照片。

圖四 合成出的三角形WS2樣品的透射電子顯微鏡（TEM）表征

（a）三角形WS2樣品的低倍TEM圖；

（b）三角形WS2樣品邊緣的低倍TEM圖；

（c）三角形WS2樣品的EDS 能譜圖；

（d）三角形WS2樣品的高倍TEM圖；

（e）（f）（g）（h）選區(qū)電子衍射圖，對應(yīng)著圖中的1、2、3和4區(qū)域。

圖五 合成出的三角形WS2單晶片的電學(xué)性能表征

（a）WS2-FET的低倍光學(xué)顯微鏡照片；

（b）WS2-FET的高倍掃描電子顯微鏡照片；

（c）WS2-FET的轉(zhuǎn)移特性曲線；

（d）WS2-FET的輸出特性曲。

通過控制調(diào)控硫源（升華硫粉）的引入時(shí)間和鎢源（三氧化鎢）與生長基板之間的距離，成功制備合成出了大尺寸（邊長可達(dá)233μm）**的單層三角形WS2單晶片�；�于單層三角形WS2單晶片所制備的FET展現(xiàn)出了環(huán)境穩(wěn)定的電學(xué)特性；自然環(huán)境下（常溫常壓），WS2-FET的場效應(yīng)遷移率可達(dá)37.6 cm2/Vs，開關(guān)比為106；在低溫低壓環(huán)境下，WS2-FET的場效應(yīng)遷移率可達(dá)50.5 cm2/Vs，開關(guān)比為107。該項(xiàng)研究結(jié)果為單層WS2單晶片廣泛應(yīng)用于2D電子器件打下了良好的基礎(chǔ)。

西安pg電子官方生物供應(yīng)硫化鉍Bi2S3納米棒、硫化鉍Bi2S3納米顆粒、硫化鉍Bi2S3納米片、硫化鉍Bi2S3熒光量子點(diǎn)、硫化鉬-殼聚糖納米片、硫化鎢-還原氧化石墨烯-殼聚糖(WS2-Gr-CS)、馬來酰亞胺修飾二硫化鉬(MoS2-MAL)、納米金負(fù)載二硫化鉬納米片Au-MoS2、納米金修飾二氧化鈦納米顆粒、納米金銀核殼復(fù)合顆粒、納米片狀硫化錫-鉑納米粒子復(fù)合物、納米銀修飾量子點(diǎn)復(fù)合納米顆粒、葡萄糖修飾二硫化鉬納米材料、巰基修飾二硫化鉬(MoS2-SH)、三角形銀納米顆粒等等產(chǎn)品。

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