棒狀核殼結(jié)構(gòu)CdTe/SiO2熒光膠體粒子的原位制備（含圖）

將氨水刻蝕得到的搖鈴狀的介孔二氧化硅微球作為微觀反應(yīng)器，通過納米晶的原位生長就可以制備棒狀CdTe/SiO2熒光膠體粒子。CdTe NCs 的適宜生長pH條件是9.1，在回流過程中，高溫堿性條件的存在，使二氧化硅微球被刻蝕，發(fā)生結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變，得到了棒狀核殼結(jié)構(gòu)的熒光膠體粒子。圖1是所用微球以及得到的棒狀結(jié)構(gòu)熒光膠體粒子的TEM電鏡照片。從圖上我們可以看到大量棒狀結(jié)構(gòu)的存在，棒形以及大小都較為規(guī)則。從高分辨率TEM照片上，可以看到棒狀粒子具有明顯的核殼微觀結(jié)構(gòu)，而且殼層中可以清晰地看到CdTe NCs的晶格結(jié)構(gòu)。

圖2給出了棒狀CdTe/SiO2熒光膠體粒子的激光共聚焦顯微鏡照片（A)，PL譜圖(B)，以及樣品在紫外燈下的電子照片(插圖)�；亓骱螅�離心收集得到的微球宏觀上呈粉紅色，激光共聚焦顯微鏡照片顯示樣品具有良好的分散性好和明顯的熒光成像效果。從 PL譜圖上可以看出制得的棒狀CdTe/SiO2熒光膠體粒子具有較強的熒光強度，熒光半峰寬為50 nm，這是由于納米晶在熒光膠體粒子殼層中一定程度的聚集造成的。高分辨TEM圖上也證實了這種聚集的存在。

圖3是樣品的X射線粉末衍射(XRD)圖和選區(qū)電子衍射圖(SAED）圖，XRD圖上顯示出納米晶的特征峰，而SAED中的寬彌散環(huán)則是小尺寸晶體所特有的。這些參數(shù)都表明棒狀CdTe/SiO2熒光膠體粒子中 CdTe NCs具有立方閃鋅礦結(jié)構(gòu)。也證實了熒光膠體粒子中CdTe的存在。

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