碳材料具有良好的導(dǎo)電性,被認(rèn)為是電子轉(zhuǎn)移的理想通路,其與納米ZnO復(fù)合時(shí),可**捕獲和運(yùn)輸光生電子。此外,碳材料的石墨化共軛結(jié)構(gòu)有利于減小ZnO的禁帶寬度,**提升ZnO的光催化活性。CNC具有高結(jié)晶度,作為碳前驅(qū)體可制備具有更高石墨化程度和更大比表面積的納米生物質(zhì)炭。在均勻負(fù)載納米ZnO后,進(jìn)一步對(duì)CNC/ZnO復(fù)合材料做碳化處理,可獲得CNC衍生碳材料/ZnO復(fù)合材料。
1.形貌分析
CNC負(fù)載ZnO納米復(fù)合材料的TEM圖見(jiàn)圖2。從圖2可見(jiàn),純納米ZnO呈球狀,大量團(tuán)聚,分散性較差(圖2a)。負(fù)載于CNC表面后,由于CNC結(jié)構(gòu)中的磺酸基和羥基在反應(yīng)初期即通過(guò)靜電作用吸附并固定了Zn2+,使納米ZnO在CNC表面生成 ,進(jìn)一步沉積在相互交聯(lián)的CNC(圖2b中箭頭所示)上,團(tuán)聚現(xiàn)象明顯得到**,且隨CNC的生長(zhǎng)方向呈棒狀及縱橫交錯(cuò)排列方式(圖2b中圓框所示)。隨著反應(yīng)的進(jìn)行,部分納米ZnO被包覆在CNC團(tuán)簇中,CNC覆蓋了納米ZnO表面(如圖2b插圖)。進(jìn)一步在550℃下對(duì)CNC/ZnO復(fù)合材料進(jìn)行碳化處理,該過(guò)程中CNC發(fā)生熱解碳化轉(zhuǎn)化為碳納米材料,保持了高度結(jié)晶結(jié)構(gòu),因此不易發(fā)生熔融流動(dòng),其形貌結(jié)構(gòu)得以保留,納米ZnO仍以棒狀及相互交錯(cuò)的排列方式沉積于碳化CNC上(圖2c中圓框所示),具有良好的分散性。
2.晶體結(jié)構(gòu)分析
CNC負(fù)載ZnO 納米復(fù)合材料的XRD圖譜見(jiàn)圖3。在2θ=31.8°,34.4°,36.2°,47.5°,56.6°,62.8°和67.9°處的特征衍射峰分別對(duì)應(yīng)六方纖鋅礦結(jié)構(gòu)ZnO的(100),(002),(101),(102),(110),(103)和(112) 衍射晶面。此外, 其晶面間距分別為0.280,0.264和0.249nm,與標(biāo)準(zhǔn)卡片(PDF No 361451)一致。與純ZnO相比,CNC/ZnO復(fù)合材料在2θ=14.8°,16.2°和22.6°處出現(xiàn)特征衍射峰,分別對(duì)應(yīng)于I型纖維素的(-101),(101)和(200)晶面,表明經(jīng)該沉淀法制備CNC/ZnO復(fù)合材料并未改變CNC 的晶型。C-CNC/ZnO復(fù)合材料中ZnO 峰型尖銳,表明其具有較高的純度和結(jié)晶度(75.3%),但在其圖譜中未觀察到碳材料特征峰,可能是因?yàn)?/span>CNC轉(zhuǎn)化所得碳納米材料在復(fù)合材料中含量較低,不易檢測(cè)所致。通過(guò)Debye Scherrer公式計(jì)算納米ZnO的3個(gè)主要晶面(100),(002)和(101)的平均粒徑,結(jié)果表明,純ZnO的晶粒尺寸較小,為6.3nm,CNC/ZnO復(fù)合材料中ZnO的晶粒尺寸增至8.4nm,C-CNC/ZnO復(fù)合材料中ZnO的晶粒尺寸又降低至7.8nm。
3.化學(xué)結(jié)構(gòu)分析
ZnO和CNC負(fù)載ZnO納米復(fù)合材料的FT-IR圖譜見(jiàn)圖4。從圖4可以看出:在440~460cm-1范圍內(nèi)出現(xiàn)Zn-O的特征吸收峰,在1440cm-1附近出現(xiàn)Zn-O的振動(dòng)吸收峰,其峰值存在輕微偏移,可能是由于ZnO的晶格參數(shù)發(fā)生變化;純納米ZnO在3407cm-1處有一寬峰,為—OH的伸縮振動(dòng)峰,1580cm-1處為—OH的彎曲振動(dòng)吸收峰。引入CNC后,所制得CNC/ZnO納米復(fù)合材料在3307,2919和1054cm-1處出現(xiàn)特征峰,分別對(duì)應(yīng)于CNC中—OH伸縮振動(dòng)、—CH2—伸縮振動(dòng)和吡喃糖環(huán)中不對(duì)稱(chēng)C—O—C鍵伸縮振動(dòng)。進(jìn)一步碳化處理后,所得C-CNC/ZnO納米復(fù)合材料在1151cm-1處產(chǎn)生了明顯的特征吸收峰,可能來(lái)自CNC高溫處理后的碳層表面C—O—C 伸縮振動(dòng),其中未觀察到CNC的特征峰,說(shuō)明高溫處理后CNC轉(zhuǎn)化為碳納米材料。
4.光吸收性能分析
CNC負(fù)載ZnO納米復(fù)合材料的UV-Vis DRS圖譜見(jiàn)圖5。由圖5可見(jiàn):純納米ZnO的圖譜在350nm處出現(xiàn)特征吸收峰,對(duì)應(yīng)于ZnO的電子從價(jià)帶轉(zhuǎn)移至導(dǎo)帶( O 2p→ Zn 3d) 的基礎(chǔ)帶吸收,其在可見(jiàn)光區(qū)吸光強(qiáng)度很低;加入CNC模板后,CNC/ZnO納米復(fù)合材料在360nm處出現(xiàn)特征吸收峰,其光吸收峰產(chǎn)生了輕微紅移,可能是因?yàn)?/span>CNC的引入對(duì)納米ZnO形貌、晶粒尺寸及表面微觀結(jié)構(gòu)產(chǎn)生影響。此外,CNC/ZnO納米復(fù)合材料在可見(jiàn)光區(qū)的吸收性能有一定提高。進(jìn)一步碳化處理后,所制得的C-CNC/ZnO特征吸收峰進(jìn)一步向可見(jiàn)光區(qū)移動(dòng),在可見(jiàn)光區(qū)的吸光度得到大幅度提高,說(shuō)明CNC碳化所得的碳納米材料對(duì)促進(jìn)復(fù)合材料的光吸收性能有**提升效果。采用Kubelka Munk方程計(jì)算樣品的帶隙能(Eg),如圖5中插圖所示。經(jīng)計(jì)算,純納米ZnO的Eg值為3.15eV,與Jayaraman等的研究結(jié)果類(lèi)似;引入CNC模板后,CNC/ZnO的Eg值增至3.18eV,可能是由于CNC對(duì)納米ZnO具有部分包覆作用,在一定程度上增大了ZnO的Eg;進(jìn)一步碳化后,C-CNC/ZnO納米復(fù)合材料的Eg值降低至1.75eV,**低于純納米ZnO,**擴(kuò)大了其光響應(yīng)范圍。
5.吸附-催化協(xié)同降解機(jī)理分析
CNC負(fù)載ZnO納米復(fù)合材料對(duì)MB的吸附-光催化性能見(jiàn)圖6。由圖6a可見(jiàn),樣品在黑暗條件下攪拌60min 后,均能達(dá)到對(duì)MB的吸附-解吸平衡。純納米ZnO、ZnO、C-CNC、CNC/ZnO、C-CNC/ZnO復(fù)合材料對(duì)MB的吸附去除率分別為2%,33%,3%,58%和49%。可以看出,純納米ZnO、純CNC和純C-CNC的吸附性能均**低于復(fù)合材料,說(shuō)明CNC或C-CNC與納米ZnO復(fù)合后,對(duì)吸附性能具有協(xié)同提升作用。CNC對(duì)MB的吸附機(jī)制主要包括靜電吸引和離子交換。由于硫酸水解的CNC分子鏈上有帶負(fù)電荷的磺酸基,因此對(duì)陽(yáng)離子型染料MB有一定的靜電吸附作用,此外,單層化學(xué)吸附和離子交換等作用也在此過(guò)程中發(fā)生。按照CNC/ZnO復(fù)合材料中CNC與ZnO的實(shí)際配比,稱(chēng)取相應(yīng)質(zhì)量的純CNC和納米ZnO,混合后(CNC+ZnO)加入MB溶液中,其對(duì)MB的吸附去除率為42%,略低于CNC/ZnO復(fù)合材料,進(jìn)一步說(shuō)明經(jīng)該沉淀法制備的復(fù)合材料中,納米ZnO和CNC對(duì)吸附性能具有協(xié)同提高的作用。而經(jīng)碳化后,CNC轉(zhuǎn)化為碳納米材料,具有高比表面積、高吸附性能,也可**吸附水體中的MB。開(kāi)啟光照后,MB被光催化降解(圖6b),MB溶液也呈不同程度的褪色,如圖6c所示。純納米ZnO對(duì)MB的去除率迅速上升,光照時(shí)間為60min時(shí),其對(duì)MB的去除率為86%;CNC/ZnO復(fù)合材料在光照60min后,對(duì)MB去除率為88%,但去除速率相對(duì)較緩慢,一方面是由于CNC部分包覆了ZnO,使MB的光催化反應(yīng)難以在ZnO表面發(fā)生;另一方面,CNC的引入增大了CNC/ZnO復(fù)合材料的Eg值,對(duì)其光吸收范圍產(chǎn)生影響。但相比于CNC+ZnO(光照60min時(shí)對(duì)MB去除率為65%),CNC/ZnO復(fù)合材料對(duì)MB的去除率仍有**提高,說(shuō)明有較大一部分納米ZnO被固定于CNC表面,仍能發(fā)揮其光催化劑的作用。隨著進(jìn)一步高溫處理,CNC/ZnO復(fù)合材料中的CNC逐漸轉(zhuǎn)化為碳納米材料。該碳材料不僅可在光催化過(guò)程中起吸附作用,為ZnO光催化提供高濃度MB環(huán)境,還可以****ZnO的光生電子(e- )-空穴(h+) 復(fù)合,達(dá)到吸附?光催化協(xié)同去除MB作用。因此,在開(kāi)啟光照后,C-CNC/ZnO復(fù)合材料對(duì)MB的去除率迅速增加,光照20min時(shí)即達(dá)到93%,繼續(xù)光照至60min,其降解率為99%。
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