產(chǎn)品分類
單層硅鍺(Si-Ge)薄膜外延生長步驟
在溫度為６００度左右，３英寸１１型Ｓｉ（１００）襯底上生長了Ｓｉ／ＳｉＧｅ／Ｓｉ單層結(jié)構(gòu)，襯底經(jīng)過ＲＣＡ＋１０％ＨＦ酸清洗后立即送進(jìn)設(shè)備，生長室本底真空ｌｆｆ７帕，襯底以順時針１０轉(zhuǎn)每秒的速度旋轉(zhuǎn)，生長壓強(qiáng)約幾帕數(shù)量級。生長步驟如下：
１，以流量為２ｓｃｃｍ生長Ｓｉ緩沖層，生長時間為１００秒。以改善外延襯底質(zhì)量。
２，關(guān)閉流量閥，抽生長室氣體，以消除ＳｉＧｅ、Ｓｉ層生長干擾，優(yōu)化生長條件。
３，打開氣路開關(guān)，使ＳｉＨ４與Ｇｅ出氣體混合均勻，時間６０秒。
４，打開氣路開關(guān)，以Ｓｉｎ４：６ｅＨ４比為６：１ＳＣＣＭ生長ＳｉＧｅ層，生長時問５０秒。
５，關(guān)掉氣路開關(guān)，對生長室抽殘余ｓｉｌ４４，Ｇｅｌ４４氣體３０秒，以獲得成分陡峭的ＳｉＧｅ，Ｓｉ層。
６，以２ＳＣＣＭ流量生長Ｓｉ頂層，時間４５０秒。
ＨＲＸＲＤ測試表明獲得結(jié)晶良好ＳｉＧｅ外延層，ＸＴＥＭ測試（如下圖）表明獲得界面清晰，完整的層狀結(jié)構(gòu)，ｓｉ緩沖層、ＳｉＧｅ層、Ｓｉ頂層依次厚為４０ｎｍ、４５ｎｍ、１８０ｎｍ。同時發(fā)現(xiàn)購買的硅片缺陷較大，這無疑對我們的外延質(zhì)量有重大影響。
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