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          ZnTe/CdSe type-II量子點(diǎn)，CdSe/ZnSe Type-I量子點(diǎn)的形貌和光學(xué)性質(zhì)
          
						
          
							發(fā)布時(shí)間：2021-07-01     作者：zhn   分享到：
							
          
								
          
								
							
          
						
          
						
          
						
          ZnTe/CdSe type-II量子點(diǎn)，CdSe/ZnSe Type-I量子點(diǎn)的形貌和光學(xué)性質(zhì)
          采用ZnTe/CdSe type-II量子點(diǎn)做光子吸收體，Type-II量子點(diǎn)光生電子和空穴在物理空間上是分開的，處在不同的核殼之中，具有非常寬的吸收范圍、非�？焖俚妮d流子分離和緩慢的復(fù)合過(guò)程，這些**的特性使其成為光子上轉(zhuǎn)換吸收體的選擇之一；
          選用CdSe/ZnSe Type-I量子點(diǎn)作為光子發(fā)射體，Type-I量子點(diǎn)光生電子和空穴限域在同一種成分里面，因此光子復(fù)合速率快、效率高、熒光量子產(chǎn)率和穩(wěn)定性高，是作為光子發(fā)射體的不二選擇。
          將這兩種量子點(diǎn)封閉成雙量子點(diǎn)體系，大幅提高了半導(dǎo)體雙量子點(diǎn)材料的上轉(zhuǎn)換發(fā)光效率。
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          為了研究上轉(zhuǎn)換發(fā)光的過(guò)程，研究人員展示了能獲得更高能量光子的三種可能途徑。共振激發(fā)需要**個(gè)吸收的光子處于共振狀態(tài)（在 820nm），這其中又可以通過(guò)如圖2a 所示的**次共振帶內(nèi)吸收（僅在 820nm 處吸收）或通過(guò)如圖 2b 所示的帶間吸收（也在 1064nm 處啟用）進(jìn)行。雙光子吸收（圖2c）與 UC 過(guò)程類似都能激發(fā)出相同的高能量發(fā)光，但它是一個(gè)瞬時(shí)過(guò)程，不涉及在激發(fā)光子處存在吸收共振，也可以拿來(lái)做對(duì)比。
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          西安pg電子官方生物可以合成各種復(fù)雜定制類的核殼型熒光量子點(diǎn)產(chǎn)品，我們的產(chǎn)品涉及到各種的多肽、蛋白、多糖；聚合物修飾的熒光量子點(diǎn)產(chǎn)品.
          Cu摻雜的InP@ZnSe+ZnS核殼量子點(diǎn)
          InP@ZnSeS熒光量子點(diǎn)
          InGaP@ZnS熒光量子點(diǎn)
          InP/CdS核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)
          InAs/InP量子點(diǎn)
          InAs/InP QDs
          InAs/InGaAsP/InP量子點(diǎn)
          GaP和AlP殼的INP量子點(diǎn)
          InAs/InGaAsP/InP疊層結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)
          InP/ZnS核殼量子點(diǎn)
          Li,zn金屬離子摻雜的InP量子點(diǎn)(分別記為L(zhǎng)i:InP和Zn:InP)
          近紅外熒光發(fā)射的InP量子點(diǎn)
          InAs/InP共面條狀量子點(diǎn)
          InP/GaP/ZnS量子點(diǎn)
          InP與ZnSe基熒光量子點(diǎn)
          溫馨提示：西安pg電子官方生物科技有限公司供應(yīng)的產(chǎn)品僅用于科研，不能用于人體和其他商業(yè)用途zhn2021.07.01

          
						
          
						
          
							
							
						
          
					
          
				
          
			
          
		
          
	
          

    







          
		
          
			
			
			
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