氟摻雜石墨相氮化碳量子點(diǎn)(F-C3N4-R)的制備方法及其步驟
碳量子點(diǎn)是一種尺寸在2～10nm之間的新型納米材料，由于其無(wú)上轉(zhuǎn)換能力、優(yōu)良的電子轉(zhuǎn)移性能和電子儲(chǔ)存性能而備受關(guān)注。石墨相氮化碳是一種具有類石墨結(jié)構(gòu)的聚合物材料，可看作氮原子有規(guī)律取代石墨中部分碳原子后的產(chǎn)物。因其獨(dú)特的電子結(jié)構(gòu)和能級(jí)結(jié)構(gòu)，石墨相氮化碳被應(yīng)用于光電轉(zhuǎn)換、光催化、細(xì)胞分析成像、電化學(xué)發(fā)光傳感等領(lǐng)域。
本文通過一種氟摻雜氮化碳量子點(diǎn)及其制備方法，按照下列步驟制備：
(1)石墨相氮化碳在150℃的氟氣氣氛中常壓反應(yīng)2h，得到具有孔洞結(jié)構(gòu)的氟摻雜氮化碳；
(2)按照可以充分溶解的量，將氟摻雜氮化碳加入去離子水中，水浴超聲1-2h以上，再用更強(qiáng)功率的超聲裝置超聲4-8h以上；
(3)將(2)中得到的分散液離心并去除大塊沉淀；
(4)將(3)中得到的濾液冷凍干燥，得到氟摻雜氮化碳量子點(diǎn)產(chǎn)物。
氟摻雜氮化碳量子點(diǎn)的透射電鏡圖；
聚乙二醇(PEG)鈍化的g-CNQDs(g-CNQDs-PEG)
環(huán)糊精(CD)修飾的量子點(diǎn)(QDs)
透明質(zhì)酸修飾的AgInS2/ZnS量子點(diǎn)
CdTe量子點(diǎn)偶聯(lián)腺嘌呤（CdTe-adenine）
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