近紅外二區(qū)（PbS）量子點(diǎn)光電探測(cè)廣泛應(yīng)用于成像、通信和生物傳感等領(lǐng)域。市場(chǎng)上的光電探測(cè)器主要是基于硅材料和其他III–V族半導(dǎo)體材料，但是這些材料面臨著成本高，不易柔性化等問題。PbS量子點(diǎn)具有帶隙可調(diào)范圍寬（0.6~1.6 eV）、摩爾吸光系數(shù)高（106 M-1 cm-1），制備工藝簡(jiǎn)單以及穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn)，因此被認(rèn)為是新一代柔性光電探測(cè)器的優(yōu)秀候選材料�，F(xiàn)有的單層PbS量子點(diǎn)光電探測(cè)器面臨著漏電流大、開關(guān)比低、響應(yīng)速度慢等問題。也有報(bào)道將金屬納米粒子、有機(jī)材料和石墨烯等材料與PbS量子點(diǎn)結(jié)合，形成雜化型光電探測(cè)器件，此類方法**地增強(qiáng)了器件的響應(yīng)度，但也帶來了非常高的暗電流等問題，使得器件的性能無法全面提升。因此，如何克服單層PbS量子點(diǎn)和雜化PbS量子點(diǎn)光電探測(cè)器面臨的問題是一個(gè)亟待解決的問題。

PbS量子點(diǎn)的TEM表征圖、吸收譜、UPS、以及能級(jí)分布

紅外二區(qū)（PbS）量子點(diǎn)圖譜

(a) 油酸修飾過的PbS量子點(diǎn)的TEM圖；

(b) 原始油酸修飾的PbS量子點(diǎn)、PbS-TBAI量子點(diǎn)和PbS-EDT量子點(diǎn)的吸收譜；

(c) PbS-TBAI量子點(diǎn)薄膜的紫外光電子能譜（UPS），插圖為二次電子截止區(qū)放大圖；

(d) PbS-EDT量子點(diǎn)薄膜的紫外光電子能譜（UPS），插圖為二次電子截止區(qū)放大圖；

(e) PbS-TBAI和PbS-EDT的能級(jí)分布圖，虛線為費(fèi)米能級(jí)，上邊實(shí)線為導(dǎo)帶底下邊實(shí)線為價(jià)帶頂。

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