近紅外二區(qū)二硒化銅銦（CuInSe2）量子點(diǎn)作為一種半導(dǎo)體納米材料也因其獨(dú)特的性能而受到廣大研究者的關(guān)注。I-III-VI 族量子點(diǎn)具有低毒性、窄的帶隙、自吸收小、光吸收系數(shù)大、發(fā)光波長(zhǎng)可調(diào)且范圍大等優(yōu)點(diǎn)在光催化產(chǎn)氫、降解有機(jī)污染物和重金屬的移除、太陽能電池、發(fā)光二極管和生物標(biāo)記成像等方面被廣泛應(yīng)用。銅銦硒(CuInSe2)量子點(diǎn)帶隙為1.04 eV，激子玻爾半徑達(dá)到10.6 nm，光吸收邊緣達(dá)到近紅外區(qū)域。因此，以CuInSe2（CISe）量子點(diǎn)為基礎(chǔ)構(gòu)造復(fù)合材料并對(duì)其改性研究進(jìn)行光催化產(chǎn)氫和有機(jī)污染物的降解具有重要的研究?jī)r(jià)值。

近紅外二區(qū)二硒化銅銦（CuInSe2）量子點(diǎn)制備方法：

(1) CISe量子點(diǎn)的制備及其摻雜改性研究：采用熱注射方法合成出大小均一的油相 CISe 量子點(diǎn)。通過改變反應(yīng)時(shí)間，得到發(fā)射波長(zhǎng)可調(diào)的CISe 量子點(diǎn)，討論了其形成機(jī)理；其次對(duì)CISe量子點(diǎn)進(jìn)行了摻雜Zn和Ga元素的研究，改變反應(yīng)時(shí)間得到多個(gè)發(fā)射波長(zhǎng)的ZnCuInSe（ZCISe）和 CuInGaSe（CIGSe）量子點(diǎn)，隨后采用表面配體交換的方式，對(duì) ZCISe 量子點(diǎn)進(jìn)行相轉(zhuǎn)移，使其由親油性轉(zhuǎn)變?yōu)橛H水性的量子點(diǎn)，通過改變谷胱甘肽和巰基丙酸的配比，得到具有較好穩(wěn)定性和光化學(xué)性能的水相ZCISe量子點(diǎn)。最后利用透射電子顯微鏡（TEM）、多晶 X 射線衍射儀（XRD）、穩(wěn)態(tài)瞬態(tài)熒光光譜儀、紫外-可見分光光度計(jì)和熒光光譜儀等儀器對(duì)不同條件下制備的各種量子點(diǎn)進(jìn)行表征測(cè)試�！　�

(2) CISe/TiO2納米線復(fù)合電極的制備及其光電性能研究：以純鈦片為基底，采用水熱法制備TiO2納米線，隨后使用浸泡法對(duì)納米線進(jìn)行CISe量子點(diǎn)的修飾，通過改變浸泡的時(shí)間，確定 CISe **負(fù)載量。所得到的** CISe/TiO2納米線復(fù)合電極進(jìn)行掃描電子顯微鏡的表征和光電性能測(cè)試，發(fā)現(xiàn) TiO2納米線表面有大量的小顆粒負(fù)載，對(duì)該材料進(jìn)行元素分析，發(fā)現(xiàn)該顆粒為CISe量子點(diǎn)，同時(shí)復(fù)合電極擁有的電流密度比單純的納米線大約強(qiáng)10倍，在不加電壓，模擬太陽光照射的條件下對(duì)20 mg/L的甲基橙進(jìn)行光降解測(cè)試，100 min內(nèi)，降解效率達(dá)到了80%�！　�

(3) CdS/ZCISe/Ag/TiO2復(fù)合電極的制備及其裂解水研究：從光轉(zhuǎn)換效率和產(chǎn)氫的角度出發(fā)，構(gòu)造CdS/ZCISe/Ag/TiO2復(fù)合電極。分別采用光沉積法、懸滴法和連續(xù)離子層吸附法進(jìn)行 Ag 納米顆粒、ZCISe 和 CdS 量子點(diǎn)的負(fù)載，鈍化了ZCISe 量子點(diǎn)的表面缺陷，拓展了 TiO2納米線的光吸收范圍，提升了光電流密度。隨后在模擬太陽光的照射下，采用三電極體系，以復(fù)合電極作為工作電極進(jìn)行光解水測(cè)試，達(dá)到了平均1.17 mL/h的產(chǎn)氫速率。

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