采用電沉積方法在多孔硅（PS）光電材料上制備了排列良好的ZnO納米花和納米片。

通過循環(huán)伏安法（CV）、電流計(jì)I-t （I-t）和開路電位法對(duì)沉積產(chǎn)物進(jìn)行了表征。

x射線衍射（XRD）分析表明，PS光電材料具有較強(qiáng)的擇優(yōu)取向（1 00），掃描電鏡（SEM）觀察表明，該鍍層由直徑約100 nm的納米花和納米片組成，在納米器件和納米技術(shù)中具有潛在的應(yīng)用前景。

因此，根據(jù)開路電位（OCP）的研究，在PS光電材料上生長(zhǎng)的ZnO比硅晶片具有更大的光電效應(yīng)，可以作為光電材料。

利用紫外可見分光光度計(jì)對(duì)樣品進(jìn)行了光學(xué)帶隙測(cè)量，得到了3.35 eV的帶隙。

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