光電材料銦錫氧化物（ITO）薄膜的載流子濃度可以通過(guò)添加錫摻雜劑提供額外的導(dǎo)電電子來(lái)提高。

然而，晶界周?chē)�豐富的缺陷和雜質(zhì)導(dǎo)致強(qiáng)載流子散射。

本工作對(duì)磁控濺射制備的ITO薄膜進(jìn)行超臨界co2 （SCCO2）流體處理，采用不同濃度的InCl3溶液，在晶界引入In3+離子，以調(diào)節(jié)晶界缺陷和雜質(zhì)。

經(jīng)過(guò)SCCO2流體處理后，光電材料ITO薄膜的光電性能**提高，x射線光電子能譜和正電子湮滅壽命譜的實(shí)驗(yàn)結(jié)果解釋了SCCO2對(duì)ITO薄膜微觀結(jié)構(gòu)的影響。

SCCO2流體處理后，脫水作用使晶界附近的懸垂鍵鈍化，同時(shí)銦離子向晶界擴(kuò)散，形成類(lèi)ito晶格結(jié)構(gòu)。

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