非摻雜型藍(lán)光TADF材料研發(fā)進(jìn)展（MCz-X1、PAc-XT、XAc-XT、FAc-XT、B-oCz、B-oTC、m-ACSO2）

在TADF材料的研發(fā)案例中，大部分TADF材料都需要被摻雜到寬帶隙的主體材料中，從而避免因濃度湮滅效應(yīng)而導(dǎo)致的激子損失。然而，由于純藍(lán)光TADF材料本身具有寬帶隙，為了實(shí)現(xiàn)良好的三線態(tài)激子限域，必須使用具有超寬帶隙的主體材料，這為其實(shí)際應(yīng)用帶來了巨大的困難。寬帶隙主體材料需要復(fù)雜的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，同時(shí)由于極短分子內(nèi)共軛的存在，其本征載流子遷移率通常較低，不利于低功耗OLED器件的實(shí)現(xiàn)。該類主體材料還通常包含有不穩(wěn)定的短共軛官能團(tuán)，同樣不利于穩(wěn)定型OLED的實(shí)現(xiàn)。

鑒于上面存在的問題，一類特殊的在非摻雜條件下具有的濃度湮滅效應(yīng)的材料體系被開發(fā)出來�；�于該類藍(lán)光材料，可以實(shí)現(xiàn)不需要使用主體材料的OLED器件，具有工藝（不需要共蒸技術(shù)）和結(jié)構(gòu)簡單的優(yōu)點(diǎn)。同時(shí)基于該類材料，由于整個(gè)激子復(fù)合區(qū)都可以完成發(fā)光，相比于摻雜型發(fā)光層，在相同的亮度條件下分子處于激發(fā)態(tài)的概率**降低。此時(shí)，雙分子相互作用導(dǎo)致的上轉(zhuǎn)換和濃度湮滅效應(yīng)被大幅，有利于實(shí)現(xiàn)更低的器件效率滾降和更長的器件驅(qū)動(dòng)壽命。在該部分中，作者呈現(xiàn)了目前非摻雜型藍(lán)光TADF材料的研究進(jìn)展，基于該類材料目前已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了接近20%的EQE的器件表現(xiàn)，對(duì)于器件的驅(qū)動(dòng)穩(wěn)定性也有**提高。然而，該類藍(lán)光TADF材料目前仍然很少被報(bào)道，難度更大的地方更在于實(shí)現(xiàn)具有純藍(lán)光色（CIEy<0.20）的非摻雜型TADF材料。相關(guān)的研究仍然需要繼續(xù)推進(jìn)，為簡化OLED器件結(jié)構(gòu)和工藝，提升OLED驅(qū)動(dòng)穩(wěn)定性做出貢獻(xiàn)。

非摻雜型藍(lán)光TADF材料圖片（MCz-X1、PAc-XT、XAc-XT、FAc-XT、B-oCz、B-oTC、m-ACSO2）

圖5具有高發(fā)光效率的非摻雜型藍(lán)光TADF材料設(shè)計(jì)策略、器件性能和內(nèi)在機(jī)制分析示意圖。

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小編zhn2021.12.28