基于射線追跡原理，建立了較為復(fù)雜的模擬模型，模擬了離軸4H-SiC晶體中基面上位錯(cuò)的掠射同步x射線形貌對(duì)比，包括基面上位錯(cuò)、偏轉(zhuǎn)螺紋位錯(cuò)和混合位錯(cuò)。

該模型綜合了表面弛豫效應(yīng)和光電吸收效應(yīng)來預(yù)測(cè)位錯(cuò)對(duì)比。

與傳統(tǒng)的射線追蹤圖像相比，表面弛豫效應(yīng)決定了晶面附近衍射的位錯(cuò)對(duì)比。

由于光電吸收作用，隨著衍射光束在晶體內(nèi)位置的深度增加，模擬位錯(cuò)對(duì)比度逐漸減弱。

通過**滲透深度聚合得到的凈模擬位錯(cuò)圖像的**特征與實(shí)驗(yàn)地形圖像上觀察到的對(duì)比特征有很好的相關(guān)性。

深度分析顯示，在某些情況下，來自位錯(cuò)下方區(qū)域的衍射x射線可以提供以前沒有考慮到的額外對(duì)比特征。

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