在發(fā)光MOFs中產(chǎn)生的缺陷允許對(duì)熒光特性進(jìn)行操作，從而提高了技術(shù)應(yīng)用的檢測(cè)性能。

在此基礎(chǔ)上，提出了一種調(diào)制器誘導(dǎo)缺陷形成策略，將缺失鏈接缺陷引入到鑭系金屬有機(jī)骨架(Eu@UiO-MOFs)中，并對(duì)其增強(qiáng)的檢測(cè)性能進(jìn)行了研究。

值得注意的是，我們計(jì)算了每個(gè)Zr6聚類中的缺失鏈接子數(shù)量，以便于比較和定量解釋。

通過(guò)精心定制缺陷數(shù)量，每Zr-O簇缺失0.53個(gè)鏈接的Eu@UiO-MOFs-2傳感器的響應(yīng)斜率**增強(qiáng)，

在0-10 ppm范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)了良好的痕量檢測(cè)，超低檢測(cè)限為5.67 × 10?7 M (114 ppb)。作為一個(gè)強(qiáng)有力的信號(hào)放大器，用于Cd2+的痕量檢測(cè)。

此外，還研究了Eu@UiO-MOFs-X的結(jié)構(gòu)變化與缺陷數(shù)之間的關(guān)系，以了解改進(jìn)的富集對(duì)光學(xué)行為的積極影響。

據(jù)我們所知，這是首次在光學(xué)傳感調(diào)控的發(fā)光MOFs中進(jìn)行缺失鏈接器缺陷的實(shí)驗(yàn)演示，為探索**檢測(cè)重金屬離子污染物的創(chuàng)新技術(shù)提供了獨(dú)特的途徑。

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