圖1：芳香酰亞胺AI-Cz和AI-TBCz的化學結(jié)構(gòu)
基于芳香族酰亞胺的熱激延遲熒光材料AI-Cz和Al-TBCz，可應(yīng)用于有機發(fā)光二極管（pg電子官方生物）
一種基于芳香族酰亞胺的熱激延遲熒光材料應(yīng)用于**有機發(fā)光二極管，芳香族酰亞胺具有**的光電性能和很強的吸電能力，
通過進一步優(yōu)化設(shè)計具有供體-受體-供體結(jié)構(gòu)的新型和**的TADF分子結(jié)構(gòu)，獲得的芳族酰亞胺顯示出高的PLQY，
它們的瞬態(tài)PL光譜具有明顯的溫度依賴性延遲性能，摻雜AI-Cz和Al-TBCz的OLED的性能突出，EQE分別高達23.2％和21.1％。
AI-Cz和AI-TBCz的HOMO主要位于咔唑基部分，因為它們具有強的給電能力，并且LUMO由于其強吸電子性質(zhì)而位于芳族酰亞胺部分上;這種清晰的空間電子分離可以**地破壞電荷轉(zhuǎn)移激發(fā)態(tài)的電子躍遷。
圖2：AI-Cz及其二聚體的晶體結(jié)構(gòu)
相對于芳族酰亞胺部分，兩個咔唑基彼此相鄰，AI-Cz具有大的二面角。扭曲結(jié)構(gòu)可以誘導HOMO和LUMO的電荷分離，并且還**地防止由分子間堆積引起的固態(tài)熒光猝滅。
圖3：能量密度的計算空間分布
在氧化曲線開始和還原曲線開始的基礎(chǔ)上，AI-Cz的HOMO和LUMO能級分別為-5.63和-3.55eV。同樣的，AI-TBCz的HOMO和LUMO能級分別為-5.59和-3.42eV。AI-Cz和AI-TBCz的良好耐熱性能對于器件中膜的高形態(tài)穩(wěn)定性是必不可少的，其**的電化學性能也有利于器件性能的提高。
圖4：AI-Cz和AI-TBCz的吸收和熒光光譜以及它們在77K下的熒光和磷光譜圖
在其熒光光譜中也觀察到在約455nm和465nm處的AI-Cz和AI-TBCz的短峰值波長，這可能歸因于顯示扭曲的分子內(nèi)電荷轉(zhuǎn)移的分子的局部激發(fā)態(tài)。 此外，發(fā)現(xiàn)AI-Cz和AI-TBCz的磷光帶位于498和505nm，其相應(yīng)的T1能級分別為2.49和2.46eV。
西安pg電子官方生物科技有限公司提供金屬配合物，熱激活延遲熒光(TADF)材料，聚集誘導延遲熒光（AIDF）材料，聚集誘導發(fā)光AIE材料的定制合成
TADF分子Cz-TRZ1-4
Cz-TRZ1
Cz-TRZ2
Cz-TRZ3
Cz-TRZ4
含苯甲�；鵗ADF分子
TADF分子BP-PXZ
tCz-BP-PXZ
tCz-PhBP-PXZ
中間體tCz-BP-Br
中間體tCz-PhBP-F
溫馨提示：僅用于科研
小編zhn2022.01.20
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