在光電應(yīng)用中，使用氯化銦酞菁(InClPc)薄膜。

然而，這些電影并沒有得到廣泛的研究。

采用熱真空蒸發(fā)技術(shù)在清潔的摻氟氧化錫(FTO)襯底上沉積了InClPc薄膜。

采用x射線衍射和原子力顯微鏡對樣品的結(jié)構(gòu)和形貌進(jìn)行了檢測。

結(jié)果表明，隨著薄膜厚度從48 nm增加到137 nm，顆粒尺寸從79 nm增加到126 nm，薄膜由分布在薄膜表面的球形顆粒組成。

從250 ~ 2500 nm波長范圍內(nèi)的反射光譜和透射光譜中提取了InClPc薄膜的線性光學(xué)常數(shù)。

InClPc薄膜有兩個能隙，分別為Eg1 = 1.37 eV和Eg2 = 2.84 eV，其能隙隨薄膜厚度的變化而略有變化。

根據(jù)米勒定律，計算了非線性光學(xué)參數(shù)。

采用兩個獨(dú)立的激光源(紅色He-Ne激光器和綠色二極管激光器)進(jìn)行光限幅測試。

以及紅色He-Ne激光功率強(qiáng)度性能高。

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