具有拓?fù)浒虢饘俸蜏?zhǔn)二維的特性的五碲化鋯材料
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新型可解離準(zhǔn)二維拓?fù)浒虢饘俨牧?/span>
線性色散形成的朗道能級與允許的光學(xué)躍遷。
與根號磁場線性關(guān)系回旋共振，無質(zhì)量費米子的**現(xiàn)象。
五碲化鋯非平庸的拓?fù)湫再|(zhì)和微小的**質(zhì)量。
通過強(qiáng)磁場下的光譜和輸運研究，證明五碲化鋯材料同時具有拓?fù)浒虢饘俸蜏?zhǔn)二維的特性。拓?fù)浒虢饘俚脑ぐl(fā)準(zhǔn)粒子，具有線性色散和無質(zhì)量特性的狄拉克費米子，導(dǎo)致其高磁阻，**散射，高遷移率等優(yōu)越的電學(xué)特性。
五碲化鋯強(qiáng)烈的二維特征和準(zhǔn)二維費米面。只有垂直于二維平面的磁場分量才對體系產(chǎn)生影響。
五碲化鋯強(qiáng)烈的各項異性。面外方向電子**質(zhì)量比面內(nèi)大兩個數(shù)量級。
該材料可以被解離成長寬比過千的納米帶。分析原因是二維層內(nèi)碲-碲鍵的作用力也很弱。這就提供了用機(jī)械剝離的方法，來獲得準(zhǔn)一維材料的機(jī)會，為研究低維性質(zhì)提供全新的思路。
產(chǎn)品列表：
撲絕緣體材料 | As2Te4（碲化砷） | As2Te4碲化砷單晶 |
碲化砷As2Te4(Se1-xTex)3 | ||
Bi2Se3（硒化鉍） | 藍(lán)寶石基底CVD Bi2Se3連續(xù)膜 | |
Bi2Se3 硒化鉍晶體 | ||
單層/少層硒化鉍(Bi2Se3)薄膜 | ||
Bi2Se3/C納米復(fù)合材料 | ||
Bi2Se3硒化鉍單晶薄膜 | ||
多功能硒化鉍納米復(fù)合物 | ||
Bi2Se3 硒化鉍孤立晶粒 | ||
硒化鉍Bi2Se3二維層狀拓?fù)浣^緣體材料 | ||
少層硒化鉍納米片及其納米金-硒化鉍復(fù)合材料 | ||
In摻雜Bi2Se3(Bi2–xInxSe3)單晶 | ||
硒化鉍與摻銅硒化鉍薄膜 | ||
BSA-Bi2Se3硒化鉍 | ||
Bi2Se3硒化鉍納米復(fù)合熱電材料 | ||
分子束外延生長Bi2Se3拓?fù)浣^緣體 | ||
硒化物CuGaSe2和Bi2Se3復(fù)合物 | ||
少數(shù)層硒化鉍納米片 | ||
少層拓?fù)浣^緣體硒化鉍(Bi2Se3) | ||
拓?fù)浣^緣體硒化鉍納米復(fù)合物 | ||
Bi2Te3（碲化鉍） | Bi2Te3 碲化鉍晶體材料 | |
Bi2Te3 碲化鉍粉體材料 | ||
Bi2Te3 碲化鉍半導(dǎo)體材料 | ||
熱電納米材料碲化鉍(Bi2Te3) | ||
單層/多層/少層Bi2Te3碲化鉍材料 | ||
光熱協(xié)同致電的碲化鎘/碲化鉍 | ||
碲化鉍改性BiOCl形成光響應(yīng)型花狀催化劑 | ||
Bi2Te3 碲化鉍拓?fù)浣^緣體材料 | ||
Bi2Te3塊體熱電材料 | ||
碲化鉍基熱電薄膜 | ||
聚苯乙烯磺酸/碲化鉍氣凝膠復(fù)合熱電材料 | ||
摻雜Ag,Au,SiO2的納米碲化鉍 | ||
納米碲化鉍Bi2Te3 | ||
Sb2Te3（碲化銻） | Sb2Te3碲化銻薄膜材料 | |
Sb2Te3 碲化銻晶體材料 | ||
碲化銻(Sb2Te3)硅摻雜的晶化材料 | ||
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Sb2Te3 碲化銻紅外量子點 | ||
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熱電材料高純碲化銻Sb2Te3 | ||
二維碲化鉍晶體材料 | ||
多孔碳/碲(RHPC/Te)復(fù)合材料 | ||
原位電子束誘導(dǎo)碲化銻(Sb2Te3) | ||
氟化鍶和碲化銻納米材料 | ||
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Sb2Te3體系拓?fù)浣^緣體 | ||
Bi2Se5Te15（硫酸鉍） | Bi2Se5Te15硫酸鉍晶體材料 | |
Bi2Se5Te15硫酸鉍粉末材料 | ||
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Bi4Te15S5粉末材料 | ||
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BiTITe | BiTITe薄膜材料 | |
BiTITe粉末材料 | ||
BiTITe晶體材料 | ||
絕緣體材料 | MICA白云母 | 片狀/層狀MICA白云母晶體薄片 |
六方晶體細(xì)粒MICA白云母 | ||
薄片無色透明MICA白云母 | ||
白云母（10片裝） MICA muscovite V1 | ||
白云母（5片裝） MICA muscovite V1 (Muscovi | ||
白云母（1片裝） MICA muscovite V1 (Muscovi |
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