超硫化是合成季硫族化合物不可缺少的工藝嗎?對于大多數(shù)**過多硫空位的合成方法來說，答案可能是肯定的。脈沖激光沉積(PLD)是一種公認的制備復雜化學計量學薄膜的技術(shù)，是制備Cu2ZnSnS4 (CZTS)薄膜的一種很好的替代方法。

然而，為了防止蒸發(fā)損失，沉積溫度(Tis)必須限制在400°C以下，這使得后退火工藝對改善亞穩(wěn)態(tài)膜極為必要。在此，我們開發(fā)了一種室溫(RT)- pld -合成CZTS薄膜的原位熱處理技術(shù)，以避免額外的硫化過程。

根據(jù)多峰高斯擬合分析，RT-PLD實施優(yōu)化的原位處理可以拓寬CZTS薄膜的太陽吸收，這可能是由于I2-II-IV-VI4硫族化合物固有的天然中帶效應所導致的子帶隙吸收。

穩(wěn)定時安培表征與準化學計量比相結(jié)合，證明RT-PLD技術(shù)即使不硫化也能等效地**硫空位的產(chǎn)生。原位處理過程中多晶CZTS有序-無序轉(zhuǎn)變的物理機制可以解釋隨Tis變化而發(fā)生的形態(tài)“塊-光滑-孔洞”轉(zhuǎn)變。

因此，所提出的RT-PLD技術(shù)適用于制備具有揮發(fā)性元素和復雜化學計量比的多元化合物。

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