本文通過(guò)回流制備了硫化鎘摻雜的碲化鎘紅光量子點(diǎn)(CdTe/CdS)，通過(guò)檸檬酸和聚乙烯亞胺(B-PEI)熱裂解制備了藍(lán)光碳量子點(diǎn)。利用硅酸乙酯水解制備二氧化硅球并將CdTe/CdS包裹在該二氧化硅球內(nèi)，進(jìn)一步將碳量子點(diǎn)連接在二氧化硅球表面，成功制備了雙發(fā)射比率熒光探針，如圖4.1。

硫化鎘/碲化鎘(CdTe/CdS)紅光量子點(diǎn)的合成方法

①74μ山巰基丙酸加入至100mL的氯化鎘溶液中(0.5mmol)，攪拌使混勻。

②稱取20mg檸檬酸鈉加入到上述混合溶液中。攪拌10min后，用0.1M的氫氧化鈉調(diào)節(jié)溶液pH為11.2，隨后加入4.4mg碲酸鈉及20mgNaBH4攪拌。緩慢加熱到90C，加熱時(shí)間不同可以得到不同發(fā)射波長(zhǎng)(475~810nm)的CdTe/CdS量子點(diǎn)。

③通過(guò)控制反應(yīng)時(shí)間反應(yīng)到所需波長(zhǎng)后，冷卻至室溫并用乙醇離心反復(fù)洗滌，收集下層固體分散于5mL乙醇中備用。

水溶性硫化鎘/碲化鎘紅光量子點(diǎn)修飾二氧化硅微球(CdTe/CdS@SiO2)的合成方法

移取2mLCdTe/CdS量子點(diǎn)溶液分散于100mL水和乙醇混合液中(水:乙醇=1:4)，超聲至分散均勻。40°C下加入4.6mL濃氨水，460μ山硅酸乙酯，恒溫加熱3小時(shí)。冷卻后離心分離，用乙醇水交替洗，得到肉粉色的CdTe/CdS@SiO2材料自然晾干備用。

CdTe/CdS@SiO2@BPEI-CQDs的合成方法

將0.12gCdTe/CdS@SiO2溶解于120mL乙醇中，加入25.5mgBPEI-CQDs至上述溶液中，加熱至60°C，加入225μL硅酸乙酯及225μL異腈酸酯，60°C恒溫6小時(shí)。冷卻后離心，用乙醇和超純水交替洗，自然晾干。

圖4.2A為CdTe/CdS@SiO2的透射電鏡圖，結(jié)果表明大量的CdTe/CdS量子點(diǎn)被成功包覆在二氧化硅球內(nèi)。圖4.2B為CdTe/CdS@SiO2@BPEI-CQDs的透射電鏡圖。圖4.3A為該熒光探針的XPS能譜圖，圖4.4B、4.4C、4.4D分別為Cls、Nls、01s的高分辨譜，表明該碳量子點(diǎn)被成功修飾在二氧化硅球表面。

在365nm光激發(fā)下，CdTe/CdS量子點(diǎn)的熒光發(fā)射光譜波長(zhǎng)位于656nm包覆一層二氧化硅后其發(fā)射光譜發(fā)生藍(lán)移，在653nm處發(fā)射很強(qiáng)的熒光。利用二氧化硅球表面的羥基與BPEI-CQDs碳量子點(diǎn)表面氨基靜電作用，在異腈酸酯存在下發(fā)生脫水作用，成功制備了CdTe/CdS@SiO2@BPEI-CQDs雙發(fā)射熒光納米探針(圖4.4)。在365nm激發(fā)下，該探針的熒光發(fā)射光譜分別位于450nm，650nm，表明BPEI-CQDs碳量子點(diǎn)被成功修飾在二氧化硅球上。

本文小結(jié)：

在365nm光激發(fā)下，CdTe/CdS量子點(diǎn)的熒光發(fā)射光譜波長(zhǎng)位于656nm，包覆一層二氧化硅后其發(fā)射光譜發(fā)生藍(lán)移，在653nm處發(fā)射很強(qiáng)的熒光。通過(guò)將對(duì)Cu2²⁺有選擇性識(shí)別作用的BPEI-CQDs碳量子點(diǎn)與被二氧化硅球包裹的紅光量子點(diǎn)CdTe/CdS結(jié)合起來(lái)，構(gòu)建了一種新型雙發(fā)射比率熒光探針。

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以上資料來(lái)自小編axc,2022.03.07

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