西安pg電子官方生物科技有限公司可以對(duì)各種材質(zhì)的熒光量子點(diǎn)進(jìn)行修飾和改性以及偶聯(lián)和特殊定制，我們可以做各種聚合物修飾，多糖修飾，蛋白修飾以及復(fù)合類(lèi)產(chǎn)品的量子點(diǎn)復(fù)雜定制。

我們以硅片、二氧化硅和B2O3作為靶材在Ar氣氛下濺射可以得到摻硼的富硅氧化硅薄膜。然后在N2氣氛中1100℃加熱30分鐘可以得到鑲嵌在硼硅酸鹽玻璃(BSG)中的硼摻雜的硅量子點(diǎn)。將B2O3靶材替換為P2O5并采用相同的工藝可以得到鑲嵌在磷硅酸鹽玻璃(PSG)中的磷摻雜的硅量子點(diǎn)。同時(shí)采用B2O3和P2O5兩種靶材還能夠得到鑲嵌在硼磷硅酸鹽玻璃(BPSG)中的硼-磷共摻的硅量子點(diǎn)。

通過(guò)控制靶材中硅片的含量和熱處理溫度，可以調(diào)控硅量子點(diǎn)尺寸的大小。對(duì)于鑲嵌在二氧化硅中的硅量子點(diǎn)，硼、磷摻雜基本不影響硅量子點(diǎn)的晶體結(jié)構(gòu)和形狀。這主要是由于制備的硅量子點(diǎn)的摻雜濃度較低，雖然其理想摻雜濃度超過(guò)了硼、磷原子在硅中的固溶度，圖1.11為未摻雜、0.59at。%和5.43at。%理想硼摻雜的硅量子點(diǎn)的透射電子顯微鏡圖像�？梢钥吹剑�未摻雜的硅量子點(diǎn)基本呈橢圓形分布在二氧化硅介質(zhì)中。摻硼以后硅量子點(diǎn)仍具有金剛石結(jié)構(gòu)，但其形狀分布變得更為離散。當(dāng)摻硼濃度達(dá)到5.43at%時(shí)，出現(xiàn)了許多呈三角形、四邊形分布的硅量子點(diǎn)，同時(shí)硅量子點(diǎn))晶面間距由0.314nm減小到0.310nm。

通過(guò)電子自旋共振(ESR)研究了硼、磷摻雜前后硅量子點(diǎn)表面懸掛鍵的變化。對(duì)于摻雜的硅量子點(diǎn)，g=2.006和1.998的共振響應(yīng)分別對(duì)應(yīng)表面缺陷(如懸掛鍵)和摻磷引入的電子態(tài)。發(fā)現(xiàn)磷摻雜能夠**減少硅量子點(diǎn)表面的懸掛鍵，而硼摻雜反而會(huì)輕微增加表面的懸掛鍵(如圖1.12所示)。這表明對(duì)于鑲嵌在二氧化硅中的硅量子點(diǎn)，磷原子容易鈍化硅量子點(diǎn)表面(即硅/二氧化硅界面)的懸掛鍵，而硼原子不會(huì)鈍化懸掛鍵。

產(chǎn)品目錄：

紅細(xì)胞膜負(fù)載黑磷量子點(diǎn)(BPQD-EMNVs)

/product/86640

硅量子點(diǎn)摻雜二氧化鈦薄膜復(fù)合材料(TiO2/Si QDs)

/product/86639

磷摻雜硅量子點(diǎn)(Si QDs)

/product/86638

PbS硫化鉛包覆鈣鈦礦CsPbI3量子點(diǎn)

/product/86636

純度：98%

包裝：mg級(jí)和g級(jí)

貨期： 一周

地址：西安

廠家：西安pg電子官方生物科技有限公司