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          硅量子點(diǎn)摻雜二氧化鈦薄膜復(fù)合材料(TiO2/SiQDs)的制備方法|pg電子官方生物分享
          發(fā)布時(shí)間:2022-03-09     作者:axc   分享到:

          產(chǎn)品名稱(chēng):硅量子點(diǎn)摻雜二氧化鈦薄膜復(fù)合材料

          簡(jiǎn)稱(chēng):TiO2/SiQDs

          純度:98%

          包裝:mg級(jí)和g級(jí)

          貨期: 一周

          地址:西安

          廠家:西安pg電子官方生物科技有限公司

          硅量子點(diǎn)摻雜二氧化鈦薄膜復(fù)合材料(TiO2/SiQDs)的制備方法該方法過(guò)程步驟包括:

          制備一、將基片和靶材清洗置入濺射室內(nèi),在真空和氬氣的保護(hù)條件下,預(yù)濺射清洗;

          步驟二、以一定的引出電流、電壓的氬離子束對(duì)二氧化鈦進(jìn)行濺射,在基片上沉積二氧化鈦薄膜,

          步驟三、經(jīng)退火后,得到納米二氧化鈦薄膜;再以一定的能量、注入劑量進(jìn)行三次硅離子的注入,得到硅摻雜的二氧化鈦薄膜經(jīng)退火后,得到硅量子點(diǎn)摻雜的納米二氧化鈦薄膜。

          image.png

          1為實(shí)例1制備的硅量子點(diǎn)摻雜的納米二氧化鈦薄膜復(fù)合材料透射形貌照片。

          本制備方法的優(yōu)點(diǎn)在于,方法簡(jiǎn)單條件溫和過(guò)程中能通過(guò)調(diào)節(jié)離子注入工藝來(lái)自由調(diào)節(jié)硅量子點(diǎn)的含量、尺寸、形態(tài)及分布并且克服了量子點(diǎn)時(shí)易團(tuán)聚的缺點(diǎn),從而調(diào)節(jié)了摻雜的二氧化鈦薄膜的光吸收特性。

          西安pg電子官方生物科技有限公司可以對(duì)各種材質(zhì)的熒光量子點(diǎn)進(jìn)行修飾和改性以及偶聯(lián)和特殊定制,我們可以做各種聚合物修飾,多糖修飾,蛋白修飾以及復(fù)合類(lèi)產(chǎn)品的量子點(diǎn)復(fù)雜定制。

          烯丙胺修飾硅量子點(diǎn)(Si QDs)

          氨基功能化硅量子點(diǎn)(Si QDs)

          水溶性綠色熒光硅量子點(diǎn)

          藍(lán)綠熒光的水溶性硅量子點(diǎn)

          硼摻雜氮化硅基硅量子點(diǎn)

          磷摻雜硅量子點(diǎn)(Si QDs)

          硼摻雜硅量子點(diǎn)(Si QDs)

          碳包覆硅量子點(diǎn)(Si QDs)

          硅量子點(diǎn)-金復(fù)合納米粒子復(fù)合材料

          硅量子點(diǎn)摻雜二氧化鈦納米復(fù)合材料(TiO2/SiQDs)

          以上資料來(lái)自小編axc,2022.03.08

          以上文中提到的產(chǎn)品僅用于科研,不能用于人體。


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