我們通過(guò)連續(xù)離子層吸附反應(yīng)修飾了CdS和CdSe量子點(diǎn)的ZnO納米棒陣列運(yùn)用到了光電化學(xué)水分解領(lǐng)域，在TiO2納米棒陣列上通過(guò)連續(xù)離子層吸附反應(yīng)的方法修飾CdS量子點(diǎn)的大致流程如圖4-4所示。修飾方法如下：

（1）先將TiO2納米棒陣列浸入Cd(Ac)2的甲醇溶液中30s，取出后用甲醇進(jìn)行沖洗，

（2）然后浸入到Na2S·9H2O的水和甲醇的混合溶液中30s，取出后用甲醇沖洗，這樣反復(fù)多次即可在TiO2納米棒的表面修飾上CdS量子點(diǎn)。

（3）當(dāng)修飾PbS量子點(diǎn)時(shí)，操作步驟與修飾CdS類似，將基片浸入Pb(Ac)2的甲醇溶液中30s，取出后用甲醇進(jìn)行沖洗，然后再浸入到Na2S·9H2O的水和甲醇的混合溶液中30s，取出后用甲醇沖洗。這樣就能對(duì)覆蓋有TiO2納米棒陣列的基片進(jìn)行PbS量子點(diǎn)和CdS量子點(diǎn)的修飾。

在對(duì)TiO2納米棒陣列修飾了PbS和CdS量子點(diǎn)后，通過(guò)掃描電子顯微鏡對(duì)樣品的橫截面部分進(jìn)行了觀察如圖4-5所示。通過(guò)觀察，發(fā)現(xiàn)PbS和CdS量子點(diǎn)能對(duì)TiO2納米棒陣列表面實(shí)現(xiàn)較均勻的大面積的覆蓋。

為了證實(shí)通過(guò)連續(xù)離子吸附反應(yīng)能夠在TiO2納米棒陣列上修飾PbS和CdS，主要通過(guò)XRD圖來(lái)對(duì)成分的晶相進(jìn)行表征如圖4-6所示。在圖4-6中，可以看到圖中黑線代表的是FTO導(dǎo)電玻璃中SnO2的衍射峰。

為了觀測(cè)PbS和CdS在TiO2納米棒表面所所呈現(xiàn)的形貌，通過(guò)放大倍數(shù)更高的透射電子顯微鏡的高分辨圖像進(jìn)行觀察，如圖4-7所示。通過(guò)圖4-7的表征，PbS和CdS是以量子點(diǎn)的形式吸附在TiO2的表面上。并且量子點(diǎn)在TiO2納米棒的表面呈現(xiàn)出較高的覆蓋率。量子點(diǎn)的尺寸在5-10nm。這樣就能表明通過(guò)連續(xù)離子層吸附反應(yīng)能夠?qū)?/span>TiO2納米棒陣列修飾上PbS量子點(diǎn)和CdS量子點(diǎn)。

其他量子點(diǎn)定制產(chǎn)品：

CdSe/CdS復(fù)合量子點(diǎn)修飾P3HT/CdSe/CdS/TiO2雜化太陽(yáng)能電池

PbS QDs修飾多壁碳納米管(MWCNT)

Cu2S QDs修飾多壁碳納米管(MWCNT)

巰基丙酸修飾CdTe@ZnS量子點(diǎn)

巰基化合物修飾CdTe量子點(diǎn)

巰基乙酸,TGA修飾CdTe量子點(diǎn)(TGA-CdTeQDs)

L-半胱氨酸,L-Cys修飾CdTe量子點(diǎn)

還原型谷胱甘肽,GSH修飾CdTe量子點(diǎn)

硫脲修飾Cd摻雜ZnO水溶性量子點(diǎn)

巰基丙酸 (MPA)修飾CdTe量子點(diǎn)(CdTeQDs)

聚丙烯酸-1,2-二硬脂酰-sn-丙三醇-3-磷脂酰乙醇胺修飾CdSe量子點(diǎn)（CdSe/PAA-DSPE）

單-(6-巰基)-β-環(huán)糊精修飾CdTe量子點(diǎn)（mono-6-thio-β-CD-CdTeQDs）

葉酸修飾AgInS2量子點(diǎn)

葉酸修飾碳量子點(diǎn)(C-dots-FA)

二巰基辛酸修飾CdSe/ZnS量子點(diǎn)

PEG修飾ZnO量子點(diǎn)

環(huán)糊精修飾CdSe量子點(diǎn)

L-Cys/MPA共修飾CdTe量子點(diǎn)

L-半胱氨酸(L-Cys)和巰基丙酸(MPA)共修飾CdTe量子點(diǎn)

肼修飾的石墨烯量子點(diǎn)(HM-SGQDs)

GSH-TGA共修飾CdTe量子點(diǎn)

巰基化殼聚糖修飾CdTe量子點(diǎn)粉末

以上資料來(lái)自小編axc,2022.03.07

以上文中提到的產(chǎn)品僅用于科研，不能用于人體。