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          Cu2Se插層材料納米片陣列儲鈉性能研究
          
						
          
							發(fā)布時間：2020-09-01     作者：harry   分享到：
							
          
								
          
								
							
          
						
          
						
          
						
          插層材料隨著二維材料研究，而再次吸引了人們的廣泛關注。調節(jié)插層劑和插層工藝可**調控材料在相變、超導、催化、儲能等方面的應用。在電化學儲能領域，插層材料，通過插層劑來改變層間距，從而可以**降低離子在電化學反應過程中擴散能壘，可實現(xiàn)提高材料倍率性能。但對于插層材料在**可控插層技術與合成工藝方面依然存在挑戰(zhàn)。



          中國科學院金屬研究所李峰研究員團隊聯(lián)合鄭州輕工業(yè)大學方少明教授團隊等采用綠色室溫插層合成技術，在銅箔表面生長了**的單斜Cu2Se插層納米片陣列。將該材料應用于儲鈉中，可獲得較高的倍率與循環(huán)穩(wěn)定性能。金屬硒化物 (MxSey) 具有較硫化物更高的電導率和晶格體積，在鈉離子電池應用中具有一定的潛力。而直接生長在作為集流體銅表面上的納米片陣列，存在定向通道將有助于電解質離子快速傳輸，并減少導電劑和粘結劑使用。作為插層劑CTAB，進入層狀Cu2Se可進一步擴大層間距，進一步降低離子傳輸阻力，并**緩沖電化學過程中的體積形變。同時 CTAB也一定程度上，減緩了多硒化物穿梭效應與Cu納米粒子的生長速率。這種結合層間距調控和納米片陣列的策略將有助于新材料探索，并為相關的研究提供新的思路。相關結果發(fā)表在Advanced Energy Materials (DOI：10.1002/aenm.202000666)上。


          
						
          
						
          
							
							
						
          
					
          
				
          
			
          
		
          
	
          

    







          
		
          
			
			
			
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