中文名稱(chēng)：Mn摻雜CdS量子點(diǎn)

英文名稱(chēng)：Mn doped CdS quantum dots

其它別稱(chēng)：錳摻雜硫化鎘量子點(diǎn)

純度：98%

包裝：mg級(jí)和g級(jí)

貨期：一周

地址：西安

廠家：西安pg電子官方生物科技有限公司

量子點(diǎn)（QD:半徑約在1～10nm的半導(dǎo)體納米晶）因其獨(dú)特的物理化學(xué)性質(zhì)，如量子尺寸效應(yīng)、表面效應(yīng)和介電限域效應(yīng)等，在生物醫(yī)藥和光電子功能器件等領(lǐng)域具有誘人的應(yīng)用前景。新研究表明，在量子點(diǎn)中摻入過(guò)渡金屬離子能夠**地實(shí)現(xiàn)對(duì)其光學(xué)性能的調(diào)控和強(qiáng)化。

為此，**采用成核摻雜的方式在MnS核上包覆CdS殼層制備結(jié)構(gòu)為MnS/CdS的Mn摻雜CdS量子點(diǎn);同時(shí)首次提出增加ZnS緩沖層來(lái)制備結(jié)構(gòu)為MnS/ZnS/CdS的Mn摻雜CdS量子點(diǎn),并研究緩沖層ZnS厚度對(duì)摻雜量子點(diǎn)光學(xué)性能的影響;對(duì)制備晶核MnS時(shí)配體種類(lèi)對(duì)終Mn摻雜CdS納米晶發(fā)光性能的影響進(jìn)行了討論。此外，通過(guò)進(jìn)行表面配體交換，將量子點(diǎn)表面接上不同類(lèi)型的有機(jī)分子。通過(guò)這些方法得到我們所期望的制備出高性能并適合不同需求性能的Mn摻雜CdS量子點(diǎn)。MnS/ZnS/CdS量子點(diǎn)的制備方法如圖3-1所示，

西安pg電子官方生物供應(yīng)硫化銀水溶性Ag2S量子點(diǎn),PbS硫化鉛量子點(diǎn),Ag2Te碲化銀量子點(diǎn),Ag2Se硒化銀量子點(diǎn),硅量子點(diǎn)(SiQDs),黑磷量子點(diǎn)(BPQDs),水溶性CdTe/CdS（碲化鎘/硫化鎘）,硒化鎘/硫化鋅(CdSe/ZnS)量子點(diǎn),CdSe硒化鎘量子點(diǎn),硫化鎘CdS量子點(diǎn),碲化鎘CdTe量子點(diǎn),二硫化鉬MoS2量子點(diǎn)表面修飾分子偶聯(lián)服務(wù)（**小分子，RGD，葉酸，抗體，糖類(lèi)小分子）等等產(chǎn)品

量子點(diǎn)定制產(chǎn)品目錄：

CuO量子點(diǎn)修飾單晶TiO2納米棒陣列

碳量子點(diǎn)修飾鐵酸鐠/凹凸棒石復(fù)合材料

碳量子點(diǎn)(CQDs)修飾PrFeO<SUB>3/ATP復(fù)合材料

氧化石墨烯量子點(diǎn)修飾氧摻雜多孔g-C3N4

L-半胱氨酸/CdTe量子點(diǎn)修飾電極

巰基丙酸修飾CdTe量子點(diǎn)

單分散g-C3N4量子點(diǎn)修飾一維棒狀BiPO4微晶(g—C3N4/BiPO4)

Ag3PO4量子點(diǎn)修飾Ag3PO4/Bi2WO6異質(zhì)復(fù)合材料

石墨烯量子點(diǎn)修飾柔性硅納米線(xiàn)陣列

碳量子點(diǎn)修飾二氧化鈦納米片陣列薄膜

FeO量子點(diǎn)修飾BiO/gCN復(fù)合材料

碳量子點(diǎn)修飾鋰硫電池正極材料

氮摻雜碳量子點(diǎn)修飾富氮石墨型氮化碳復(fù)合材料

NiP量子點(diǎn)修飾多殼CaTiO立方體

碳量子點(diǎn)修飾氮化碳

功能性碳量子點(diǎn)修飾AgInZnS量子點(diǎn)

巰基乙胺修飾CdTe量子點(diǎn)

L-半胱氨酸修飾CdTe量子點(diǎn)

納米金修飾CdTe量子點(diǎn)

溴化鉛銫量子點(diǎn)修飾氧化鋅復(fù)合材料

金屬型二硫化鉬量子點(diǎn)修飾TiN納米管陣列復(fù)合材料

廠家：西安pg電子官方生物科技有限公司

以上資料來(lái)自小編axc,2022.03.15

以上文中提到的產(chǎn)品僅用于科研，不能用于人體。