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          CdSe/ZnS量子點(diǎn)摻雜聚甲基丙烯酸甲酯材料直徑為5.5nm,吸收峰位于600nm,熒光峰位于615nm
          發(fā)布時(shí)間:2022-03-17     作者:axc   分享到:

          中文名稱:CdSe/ZnS量子點(diǎn)摻雜聚甲基丙烯酸甲酯材料

          其它別稱:(CdSe/ZnS)/PMMA量子點(diǎn)摻雜光纖材料

          純度:98%

          包裝:mg級(jí)和g級(jí)

          貨期:一周

          地址:西安

          廠家:西安pg電子官方生物科技有限公司

          CdSe/ZnS(核/殼)量子點(diǎn)摻入聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA),形成(CdSe/ZnS)/PMMA量子點(diǎn)摻雜光纖材料.測量了不同摻雜濃度下的(CdSe/ZnS)/PMMA的吸收譜,發(fā)射譜和折射率.與正己烷溶劑中的CdSe/ZnS量子點(diǎn)比較,PMMA基底不改變CdSe/ZnS量子點(diǎn)的吸收和發(fā)射峰值波長.在摻雜質(zhì)量濃度范圍0.013~0.130mg·mL-1內(nèi),實(shí)驗(yàn)觀測到了光致熒光(PL)峰值強(qiáng)度具有單峰并呈指數(shù)平方變化的規(guī)律.隨摻雜濃度的增加,常溫下折射率大可提高0.0013,PL輻射峰波長出現(xiàn)紅移并逐步增大,大紅移量受限于斯托克斯頻移.紅移產(chǎn)生的原因?yàn)榱孔狱c(diǎn)的二次吸收-發(fā)射和摻雜濃度效應(yīng).

          PMMA基底中CdSe/ZnS量子點(diǎn).png

          由圖1可見,PMMA基底中CdSe/ZnS量子點(diǎn)(直徑為5.5nm)的一吸收峰位于600nm,熒光峰位于615nm,斯托克斯頻移為15nm,與先前測量的在正己烷中的吸收峰和發(fā)射峰波長一致。因此,可認(rèn)為PMMA基底沒有改變CdSe/ZnS量子點(diǎn)吸收譜和發(fā)射譜波長。

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          量子點(diǎn)定制產(chǎn)品目錄:

          氧化石墨烯量子點(diǎn)修飾氧摻雜多孔g-C3N4

          L-半胱氨酸/CdTe量子點(diǎn)修飾電極

          巰基丙酸修飾CdTe量子點(diǎn)

          單分散g-C3N4量子點(diǎn)修飾一維棒狀BiPO4微晶(g—C3N4/BiPO4)

          Ag3PO4量子點(diǎn)修飾Ag3PO4/Bi2WO6異質(zhì)復(fù)合材料

          石墨烯量子點(diǎn)修飾柔性硅納米線陣列

          碳量子點(diǎn)修飾二氧化鈦納米片陣列薄膜

          FeO量子點(diǎn)修飾BiO/gCN復(fù)合材料

          碳量子點(diǎn)修飾鋰硫電池正極材料

          氮摻雜碳量子點(diǎn)修飾富氮石墨型氮化碳復(fù)合材料

          NiP量子點(diǎn)修飾多殼CaTiO立方體

          碳量子點(diǎn)修飾氮化碳

          功能性碳量子點(diǎn)修飾AgInZnS量子點(diǎn)

          巰基乙胺修飾CdTe量子點(diǎn)

          L-半胱氨酸修飾CdTe量子點(diǎn)

          納米金修飾CdTe量子點(diǎn)

          溴化鉛銫量子點(diǎn)修飾氧化鋅復(fù)合材料

          金屬型二硫化鉬量子點(diǎn)修飾TiN納米管陣列復(fù)合材料

          石墨相碳化氮量子點(diǎn)修飾ZnS微米復(fù)合材料

          Fe摻雜黑磷量子點(diǎn)修飾鈣鈦礦

          半導(dǎo)體型MoS量子點(diǎn)修飾TiO納米棒陣列

          聚溴甲酚綠/碳量子點(diǎn)修飾玻碳電極(PBG/CQDs/GCE)

          廠家:西安pg電子官方生物科技有限公司

          以上資料來自小編axc,2022.03.15

          以上文中提到的產(chǎn)品僅用于科研,不能用于人體。


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