摻鐵鈦酸鍶Fe:SrTiO3晶體基片
摻鐵鈦酸鍶與鈦酸鍶單晶具有相似的結(jié)構(gòu)。目前我們可以提供摻鐵濃度為：0.05％，0.04％的Fe:SrTiO3單晶基片。
主要性能參數(shù) | |
晶系 | 立方晶系 |
生長方法 | 火焰法 |
晶格常數(shù) | a=3.905? |
摻鐵濃度(Fe%) | 0.005%,0.04% |
熔點(diǎn)（℃） | 2080 |
密度 | 5.122（g/cm3） |
硬度 | 6-6.5（mohs） |
熱膨脹系數(shù)（/℃） | 9.4×10-6 |
介電常數(shù) | ε=5.20 |
化學(xué)穩(wěn)定性 | 在水中不溶解 |
熱膨脹系數(shù) | 10.4×10-6/k |
正切損耗 | ~5×10-4（300k） ~3×10-4（77k） |
尺寸 | 10×3m、10×5m、10×10mm、15×15mm、20×15mm 可按照客戶需求，定制特殊方向和尺寸的基片 |
厚度 | 0.5mm、1.0mm |
尺寸公差 | <±0.1mm |
厚度公差 | <±0.015mm特殊要求可達(dá)到<±0.005mm） |
拋光 | 單面或雙面 |
晶面定向精度 | ±0.5° |
邊緣定向精度 | 2°（特殊要求可達(dá)到1°以內(nèi)） |
產(chǎn)品目錄：
CVD TMDC晶體： >10平方毫米
AgTaS3晶體 >25平方毫米
Ag3Sb晶體 >50平方毫米
Ag2Te晶體 >25平方毫米
Bi4Pb7Se13晶體 >10平方毫米
Cu2Se3晶體 >25平方毫米
AgInP2S6晶體 >50平方毫米
AgInP2Se6晶體 >25平方毫米
Cr2S3晶體 >25平方毫米
CrTe2晶體 >10平方毫米
CuBi3PbS6晶體 >25平方毫米
CuInP2Se6晶體 >50平方毫米
CuInS2晶體 >25平方毫米
GaGeTe晶體 >25平方毫米
GaPS4晶體 >10平方毫米
GeBi2Te4晶體 >25平方毫米
GeBi4Te7晶體 >25平方毫米
GeSb4Te7晶體 >50平方毫米
GeTe晶體 >10平方毫米
HfS3晶體 >50平方毫米
HgPSe3晶體 （單層和多層 ）厚度可定制
In2GaBi2S6晶體 >25平方毫米
In2P3S9晶體 >10平方毫米
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小編：wyf 03.23
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