硅(Si)基片晶體基片|半導(dǎo)體材料
硅片鍍膜、通訊、激光光電和紅外光學(xué)等行業(yè)提供高品質(zhì)、高精度的單晶硅（多晶硅）晶體元器件，以及在產(chǎn)品設(shè)計(jì)及應(yīng)用方面為客戶提供**的技術(shù)支持。
公司產(chǎn)品包括直拉（CZ）單晶硅、區(qū)熔（FZ）單晶硅切割片（as cut）以及研磨片（lapped），可根據(jù)用戶需求，選擇合適的材料，并加工成各種形狀（圓形，方形，長方形等）。
產(chǎn)品信息：
硅（Si）基片
硅（Si）基片用途：用作半導(dǎo)體材料，大功率晶體管，整流器，太陽能電池等。
晶體結(jié)構(gòu) | 面心立方 | ||
熔點(diǎn)（℃） | 1420 | ||
密度 | 2.4（g/cm3） | ||
摻雜物質(zhì) | 不參雜 | 摻B | 摻P |
類 型 | N或P | ||
電 阻 率 | >1000Ωcm | 10-3~40Ωcm | 102~104Ωcm |
E P D | ≤100∕cm2 | ≤100∕cm2 | ≤100∕cm2 |
氧含量（∕cm3） | ≤1~1.8×1018 | ≤1~1.8×1018 | ≤1~1.8×1018 |
碳含量（∕cm3） | ≤5×1016 | ≤5×1016 | ≤5×1016 |
尺寸 | 10×10mm、15×15mm、Dia50.8mm、Dia76.2mm、Dia100mm可按照客戶需求，定制特殊方向和尺寸的基片 | ||
厚度 | 0.3-0.5mm、1.0mm | ||
尺寸公差 | <±0.1mm | ||
厚度公差 | <±0.015mm特殊要求可達(dá)到<±0.005mm） | ||
拋光 | 單面或雙面 | ||
晶面定向精度 | ±0.5° | ||
邊緣定向精度 | 2°（特殊要求可達(dá)到1°以內(nèi)） | ||
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小編：wyf 03.23
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