AginS2量子點(diǎn)

I-II-VIAIS作為一種直接帶間隙的三元硫化合物，在跳躍過程中不需要聲子的參與，具有較高的發(fā)光效率。低溫時(shí)形成方形黃銅礦結(jié)構(gòu)，帶間隙為1.87ev；高溫時(shí)形成正交相結(jié)構(gòu)，帶間隙約2.03ev，體材的激子波爾半徑約5.5nm。Ag+具有較高的反應(yīng)活性，在低溫下可以改變前驅(qū)體的比例。反應(yīng)溫度溫度�；钚詣┝俊；旌闲纬晒倘荏w或核殼結(jié)構(gòu)，獲得粒子半徑為5.5nm，具有不同的結(jié)構(gòu)�？梢姽庾V區(qū)**熒光AIS量子點(diǎn)顏色亮度可調(diào)。

與二元半導(dǎo)體相比，AIS量子點(diǎn)作為一種三元半導(dǎo)體材料，其合成制備的可變因素更加豐富。由于Ag+和In3+的反應(yīng)活性差異很大，它們與S之間形成的鍵能不同，容易產(chǎn)生缺陷，缺陷對(duì)量子點(diǎn)的發(fā)光性能有重要影響。因此，通過控制不同的組件，可以影響所得量子點(diǎn)的發(fā)光性能。同時(shí)，由于AIS量子點(diǎn)尺寸僅為幾納米，量子限域效應(yīng)強(qiáng)，具有尺寸可調(diào)的光學(xué)性質(zhì)，但同時(shí)具有較高的比表面積，大量懸掛鍵和缺陷成為載流子的非輻射流子的非輻射跳躍通道，降低了熒光量子改進(jìn)措施是將另一種半導(dǎo)體材料包裹在量子點(diǎn)表面，形成核殼結(jié)構(gòu)。殼體結(jié)構(gòu)在發(fā)光核與外部環(huán)境之間提供了物理屏障，大大提高了核納米晶體的敏感性，從而大大提高了核納米晶體的敏感性。

因此，如何**平衡兩個(gè)陽(yáng)離子之間的反應(yīng)活性，使用適量的表面涂層劑。表面活性劑�；旌闲纬珊藲そY(jié)構(gòu)，控制形成缺陷。粒徑均勻。結(jié)晶性能好、熒光效率高的AIS量子點(diǎn)已成為該領(lǐng)域研究的熱點(diǎn)和難點(diǎn)。目前，研究人員通常與Zn（Zns）混合，形成Zn-Ag-In-S（ZAIS）固溶體或核殼結(jié)構(gòu)。近年來，AIS量子點(diǎn)的制備取得了長(zhǎng)足的發(fā)展。

目前，**的有機(jī)相AIS系統(tǒng)量子點(diǎn)主要采用單前驅(qū)體熱解法和熱注入法。

4.1.1單一前驅(qū)熱解法以日本**古屋大學(xué)T.Torimot研究小組為代表，采用單一前驅(qū)熱解法13.18:將含有Ag.In.S的前驅(qū)體合成為單一前驅(qū)體Ag.Ine-e)S.CN(CH)23-2.)或引人Zn，通過控制前驅(qū)體比例(改變X值)，在一定溫度下分解。

量子點(diǎn)(quantumdots一種由多個(gè)原子組成的準(zhǔn)零維納米結(jié)構(gòu)，半徑小于或接近體材料的激子玻爾半徑。其小尺寸使準(zhǔn)連續(xù)能帶演變成類似分子的分立能級(jí)結(jié)構(gòu)，表現(xiàn)出強(qiáng)烈的量子限域效應(yīng)，使材料的光學(xué)、電學(xué)等性質(zhì)可以調(diào)和，從而具有一系列新的光電性能。

從1981年量子點(diǎn)的發(fā)現(xiàn)到短短30年的時(shí)間里，量子點(diǎn)從制備到應(yīng)用都取得了快速的發(fā)展。在半導(dǎo)體量子點(diǎn)的眾多可觀性質(zhì)中，其獨(dú)特的光學(xué)性能(發(fā)光.斯托克斯位移大.發(fā)光效率高.發(fā)光穩(wěn)定性好)成為近年來研究的焦點(diǎn)，取得了重大進(jìn)展。特別是二元CDSE.PBS等量子點(diǎn)已廣泛應(yīng)用于LCD.LED.生物.太陽(yáng)能電池.光催化.非線性設(shè)備等領(lǐng)域。

然而，重金屬CD.PB等元素不環(huán)保，毒性大，**地限制了其應(yīng)用。因此，人們將目光轉(zhuǎn)向AIS.CuInS2(CIS)等低毒三元I-II-VI系統(tǒng)量子點(diǎn)材料，不含重金屬元素。這種量子點(diǎn)不僅具有量子點(diǎn)的**性能，而且有望取代CD系量子點(diǎn)在各個(gè)領(lǐng)域的應(yīng)用，具有低毒環(huán)保的優(yōu)勢(shì)。

產(chǎn)地：西安

純度：99%

用途：僅用于科研

以上資料來自小編lh 2022年4月8日

溫馨提示：僅用于科研，不能用于人體實(shí)驗(yàn)！

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