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          晶圓級(jí)單晶六方氮化硼單層
          
						
          
							發(fā)布時(shí)間：2020-09-03     作者：harry   分享到：
							
          
								
          
								
							
          
						
          
						
          
						
          超薄二維半導(dǎo)體層狀材料被認(rèn)為能夠**擴(kuò)展集成電路晶體管的摩爾定律。目前二維半導(dǎo)體面臨的關(guān)鍵挑戰(zhàn)是如何避免在鄰近電介質(zhì)中形成電荷散射和trap位點(diǎn)。越來越多的研究表明，六方氮化硼（hBN）的絕緣范德瓦爾斯層可以提供**的界面介電性，同時(shí)**減少電荷散射。然而，如何在晶圓上實(shí)現(xiàn)可靠的單晶六方氮化硼薄膜生長就成為工業(yè)上必須進(jìn)行攻關(guān)的技術(shù)難點(diǎn)。
          【成果簡介】

          臺(tái)灣國立交通大學(xué)的Wen-Hao Chang、臺(tái)積公司（TSMC）的Lain-Jong Li以及美國萊斯大學(xué)的B. I. Yakobson（共同通訊作者）等人聯(lián)合發(fā)文報(bào)道了藍(lán)寶石晶圓上成功外延生長單晶六方氮化硼單層。以往理論認(rèn)為，六方氮化硼單層無法在高對(duì)稱的銅（111）金屬表面實(shí)現(xiàn)單向生長。然而，研究人員卻意外發(fā)現(xiàn)六方氮化硼與銅（111）橫向?qū)樱╨ateral docking）之后，可以增強(qiáng)六方氮化硼的外延生長，并保證了該外延生長是單向的。研究還發(fā)現(xiàn)，由此制備的單晶六方氮化硼可以集成到二硫化鉬和二氧化鉿之間作為界面層，能夠大大增強(qiáng)晶體管的電學(xué)性能。該研究認(rèn)為，這一可用于生產(chǎn)晶圓級(jí)單晶六方氮化硼的方法為實(shí)現(xiàn)新型二維電子器件奠定了基礎(chǔ)。2020年03月04日，相關(guān)成果以題為“Wafer-scale single-crystal hexagonal boron nitride monolayers on Cu (111)”的文章在線發(fā)表在Nature上。
          【圖文導(dǎo)讀】

          圖1 藍(lán)寶石基質(zhì)上的銅（111）晶格取向

          圖2 單晶六方氮化硼的生長和原子結(jié)構(gòu)

          圖3 DFT計(jì)算

          圖4 晶圓級(jí)六方氮化硼轉(zhuǎn)移過程的示意圖以及光學(xué)照片

          文獻(xiàn)鏈接：Wafer-scale single-crystal hexagonal boron nitride monolayers on Cu (111)（Nature, 2020, DOI: 10.1038/s41586-020-2009-2）

          
						
          
						
          
							
							
						
          
					
          
				
          
			
          
		
          
	
          

    







          
		
          
			
			
			
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