GaN易與AIN、InN等構(gòu)成混晶， 能制成各種異質(zhì)結(jié)構(gòu)，已經(jīng)得到了低溫下遷移率達(dá)到105cm2/Vs的2-DEG(因?yàn)?-DEG面密度較高，**地屏蔽了光學(xué)聲子散射、電離雜質(zhì)散射和壓電散射等因素)。

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西安pg電子官方生物科技有限公司可以提供各種二維晶體材料以及晶體基片，如HfTe2 碲化鉿晶體、HfSe2 硒化鉿晶體、HfS2 硫化鉿晶體、GeSe 硒化鍺晶體、GaTe晶體、GaSe 硒化鎵晶體、Fe3GeTe2晶體、CuS 晶體、CdI2晶體>10平方毫米、BiTe晶體、BiSe 晶體、硫化鉍 Bi2S3 晶體、Bi2O2Te 晶體、AgCrSe2晶體、hBN 六方氮化硼晶體等等;  我們提供的產(chǎn)品僅僅用于科研,不能用于臨床,也提供二維晶體粉末材料.  

產(chǎn)地 ：西安

純度：99%

溫馨提示：僅用于科研，不能用于人體實(shí)驗(yàn)！

小編：ysl2022.04.28