PEG-COOH修飾水溶性InP/ZnS量子點(diǎn)（520nm）|聚乙二醇羧基修飾水溶性近紅外磷化銦/硫化鋅量子點(diǎn)

【產(chǎn)品名稱】：PEG-COOH修飾水溶性InP/ZnS量子點(diǎn)

【波長】：520nm

【外觀】：液體

【質(zhì)量】：95%

【溶解物】：可分散于水中

【儲(chǔ)藏方法】：2-8℃

【保質(zhì)期】：6個(gè)月

【用途】：化工,生物產(chǎn)業(yè)

【供貨方式】：現(xiàn)貨

【是否進(jìn)口】：否

【特色服務(wù)】：**

【產(chǎn)地/廠商】：西安pg電子官方生物

【可售賣地】：全國

水溶性InP/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以InP為核心，ZnS為殼層，表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為50%，可訂制生產(chǎn)520nm～750nm任一波長的產(chǎn)品。InP/ZnSe、制備方法包括以下步驟：

步驟S1，將硅基磷前驅(qū)體、脂肪酸銦前驅(qū)體及非配位溶劑在D一溫度下混合，并升至D二溫度，得到D一InP核；

步驟S2，將氨基磷前驅(qū)體和脂肪酸銦前驅(qū)體逐滴滴加至D一InP核的反應(yīng)體系，并在D三溫度下反應(yīng)，獲得D二InP核，即獲得InP量子點(diǎn)；其中，D三溫度高于D二溫度，D二InP核的尺寸大于D一InP核尺寸。

其它量子點(diǎn)產(chǎn)品目錄：

半胱氨酸多肽修飾碲化鎘量子點(diǎn)

L-半胱氨酸多肽修飾近紅外發(fā)光CdTe量子點(diǎn)

TAT多肽修飾石墨烯量子點(diǎn)(GQDs）

CLV3信號(hào)多肽片段偶聯(lián)CdTe量子點(diǎn)

靶向TCP1H6多肽偶聯(lián)水溶性近紅外量子點(diǎn)

HAT標(biāo)簽多肽修飾量子點(diǎn)(QDs)

細(xì)胞核信號(hào)肽( NTS)修飾碲化鎘量子點(diǎn)(CdTe  QDs)

內(nèi)質(zhì)網(wǎng)信號(hào)肽( ETS)修飾近紅外發(fā)光碲化鎘量子點(diǎn)(CdTe  QDs)

多肽p160修飾CdSe/ZnS量子點(diǎn)

多肽-pei修飾碳量子點(diǎn)

多肽偶聯(lián)CdSe/ZnS核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)

抗環(huán)瓜氨酸多肽(CCP)修飾CdTe近紅外二區(qū)量子點(diǎn)

抗污染多肽(peptide)修飾硫化鎘量子點(diǎn)(CdS QDs)

下丘腦調(diào)節(jié)性多肽修飾石墨烯量子點(diǎn)

蛋白質(zhì)多肽修飾近紅外ZnO量子點(diǎn)

細(xì)胞核靶向TAT多肽修飾碳化釩(V2C)量子點(diǎn)(QDs)

谷胱甘肽修飾的CdTe量子點(diǎn)

CdTe量子點(diǎn)與CLV3信號(hào)多肽片段偶聯(lián)

碲化鎘CdTe量子點(diǎn)偶聯(lián)穿膜肽

近紅外發(fā)光碲化鎘量子點(diǎn)偶聯(lián)RGD多肽

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以上資料來自小編axc,2022.05.10