二硫化鉬（MoS2）構(gòu)建柔性透明電子器件

原子薄二硫化鉬（MoS2）具有優(yōu)良的機(jī)械、光學(xué)和電學(xué)性能，是一種很有前途的集成柔性電子器件半導(dǎo)體材料。然而，大規(guī)模高密度、高性能的MoS2基柔性集成電路的制備仍然是一個(gè)挑戰(zhàn)。在這里，我們報(bào)告了用四英寸晶圓規(guī)模的MoS2單分子膜在柔性襯底上制造基于MoS2的透明晶體管和邏輯電路。

方法

使用改進(jìn)的化學(xué)氣相沉積工藝來(lái)生長(zhǎng)具有大晶粒尺寸的晶圓級(jí)單分子膜和金/鈦/金電極，以產(chǎn)生低至2.9?kΩ?μm?1的接觸電阻。場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有高器件密度（每平方厘米1518個(gè)晶體管）和成品率（97%），具有高的開(kāi)關(guān)比（1010）、電流密度（~35?μa?μm?1）、流動(dòng)性（~55?cm2?V?1?s?1）和靈活性。我們還使用這種方法來(lái)創(chuàng)建各種靈活的集成邏輯電路：反相器、NOR門(mén)、與非門(mén)、與非門(mén)、靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器和五級(jí)環(huán)形振蕩器。

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