近紅外二區(qū)發(fā)射CuInSe2量子點(diǎn)

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CuInSe2量子點(diǎn)（QDs）是重要的無鎘熒光探針之一，通常表現(xiàn)出較低的熒光強(qiáng)度

貨號	規(guī)格	數(shù)量	價格
Q-0092895	100mg	1	詢價
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產(chǎn)品介紹

近紅外二區(qū)發(fā)射CuInSe2量子點(diǎn)

CuInSe2量子點(diǎn)（QDs）是重要的無鎘熒光探針之一，通常表現(xiàn)出較低的熒光強(qiáng)度，表明大量吸收的光子能量會隨著熱量而損失。

采用Zn摻雜和ZnSe殼層生長兩種策略合成了Cu-In-Zn-Se/ZnSe量子點(diǎn)。

結(jié)果發(fā)現(xiàn)，鋅濃度存在一個上限，超過該上限，熒光強(qiáng)度開始降低。此外，在高濃度的ZnSe前驅(qū)體中，由于過量的Zn擴(kuò)散，ZnSe/ZnSe量子點(diǎn)中的Cu發(fā)射峰也發(fā)生了藍(lán)移。

為了制備雙模熒光和PA成像探針，用PEG修飾聚（馬來酸酐-alt-1-十八烯）（PMAO）涂覆在量子點(diǎn)上，導(dǎo)致熒光輕微降低。

我們進(jìn)一步測量了Cu-in-Zn-Se/ZnSe/PMAO-g-PEG納米顆粒的體外PA成像能力，其顯示出超過1.0 mg/mL的明顯PA信號。體外PA成像表明，除了**的熒光探針之外，Cu-in-ZnSe/ZnSe/PMAO-g-PEG納米顆粒也是一種潛在的PA成像對比劑。

庫存產(chǎn)品：

CdSe/ZnS量子點(diǎn)

PbS 量子點(diǎn)

Ag2S 量子點(diǎn)

PbSe量子點(diǎn)

In2S3 量子點(diǎn)

硫化鎘量子點(diǎn)

CdS量子點(diǎn)

CdTe量子點(diǎn)

CuInS量子點(diǎn)

二硫化鉬量子點(diǎn)

MoS2 量子點(diǎn)

InGaAs量子點(diǎn)

InSb量子點(diǎn)

InAsSb量子點(diǎn)

HgCdTe量子點(diǎn)

PbSCdSe量子點(diǎn)

以上資料來自小編axc,2022.04.24

相關(guān)產(chǎn)品

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Pd-Ag@CQD是以鉑族貴金屬鈀（Pd）和銀（Ag）合金納米顆粒為核心，表面包覆碳量子點(diǎn)（CQDs）形成的核殼結(jié)構(gòu)發(fā)光納米材料，融合了貴金屬的催化活性與CQDs的熒光特性。

聚合物包裹Ag2S量子點(diǎn)載藥,聚合物包括：PLGA聚乳酸-羥基乙酸共聚物;PCL聚已內(nèi)酯

疏基丙酸(MPA)修飾碲化銀CdTe量子點(diǎn),英文名稱：MPA/Ag2TeQDs,發(fā)射波長：1300nm

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