通過水輔助法CVD工藝制備在SiO2/Si襯底上快速生長(zhǎng)單層石墨烯薄膜 

西安pg電子官方生物可以提供各種進(jìn)口或者國(guó)產(chǎn)的薄膜，尺寸可定制；各種基底以及外延的薄膜；品質(zhì)高；有關(guān)技術(shù)資料歡迎咨詢。同時(shí)提供各種二維材料；石墨烯、氮化硼、二硫化鉬、CVD生長(zhǎng)的薄膜、晶體、異質(zhì)結(jié)、薄膜（藍(lán)寶石、PET、銅膜、石英、云母、銀膜、SOI基底、Si玻璃基底）等材料。

通過水輔助法CVD工藝制備在SiO2/Si襯底上快速生長(zhǎng)單層石墨烯薄膜 

通過化學(xué)氣相沉積（CVD）在介質(zhì)基板上無(wú)金屬生長(zhǎng)**單層石墨烯膜對(duì)于開發(fā)基于高性能石墨烯的電子和光電器件具有重要意義。然而，由于介質(zhì)基板的催化活性很低（基本可以忽略不計(jì)），現(xiàn)有CVD工藝的結(jié)構(gòu)均勻性（生長(zhǎng)質(zhì)量）差，生長(zhǎng)速率緩慢。

近日,有課題組報(bào)告了一種水輔助法CVD工藝，可以在不使用金屬催化劑，不需要超高溫的條件下，在SiO2/Si襯底上快速生長(zhǎng)出單層石墨烯薄膜。即使只有微量的水存在，也能夠形成結(jié)構(gòu)缺陷明顯減少的優(yōu)良石墨烯單層薄膜。

具體實(shí)驗(yàn)過程：用丙酮和異丙醇依次沖洗SiO2/Si（SiO2的厚度為290nm）基板1小時(shí)，然后裝入水平熔融石英管（內(nèi)徑為22mm）中, 在Ar中退火10分鐘以除去殘留的有機(jī)物質(zhì)，然后將CH4 / H2的氣體混合物以流速為17.5 / 75sccm通入石英管中，用于石墨烯的生長(zhǎng)。通過使用0~20sccm的Ar氣流將水蒸氣注入管中以輔助石墨烯的生長(zhǎng)。生長(zhǎng)后，關(guān)閉CH4 / H2氣流（和用于水輔助生長(zhǎng)的Ar氣流）并在Ar中將樣品快速冷卻至室溫。

在SiO2 / Si襯底上水輔助CVD法生長(zhǎng)石墨烯的示意圖。通過使用氬氣流將水蒸氣注入石英管中。水浴用于將水源的溫度保持在25℃。

水能夠同時(shí)提高石墨烯薄膜的結(jié)構(gòu)均勻性和生長(zhǎng)速率，可能因?yàn)槠錅睾偷难趸�作用和加速�(gòu)腟iO 2 / Si基底釋放氧的作用，并且通過降低生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)勢(shì)壘使單層石墨烯快速生長(zhǎng)。這項(xiàng)工作為介質(zhì)基板上**石墨烯的**可控CVD生長(zhǎng)提供了有利基礎(chǔ)。

西安pg電子官方生物提供的定制產(chǎn)品有：

Al2O3上鍍Si薄膜

γ-Al2O3/Si硅基外延薄膜

γ-Al2O3/Si異質(zhì)結(jié)構(gòu)薄膜

Si/Al2O3/Si薄膜

Si+SiO2+Si(SOI基片)

Si/SiO2/Si復(fù)合材料

Si/SiO2/p-Si結(jié)構(gòu)材料

Pt/Ti/SiO2/Si  Au/Cr/Si基片

Pt/Ti/SiO2/Si基片

Au/Cr/Si基片

4H-SiC上鍍4H-SiC薄膜P型

4H-SiC上鍍4H-SiC薄膜P型（4H-SiC?Epitaxial?Film?on?4H-SiC,?P?type)

p型4H-SiC單晶

4H-SiC同質(zhì)外延薄膜

4H-SiC材料p型摻雜材料

SiC 3C薄膜

PECVD生長(zhǎng)3C結(jié)構(gòu)SiC外延薄膜

3C-SiC（100）薄膜

Si+SiO2薄膜

Si/SiO2薄膜

Si襯底SiO2薄膜

Si/SiO2/Ta/Cu薄膜

常規(guī)厚度300nmSiO2

LaAlO3+SrTiO3薄膜

LaAlO3/SrTiO3鈣鈦礦結(jié)構(gòu)氧化物薄膜

SrTiO3/LaAlO3/SrTiO3(001)異質(zhì)結(jié)

SrTiO3(001)襯底上外延制備10晶胞層厚度的LaAlO3薄膜

Al2O3+YBCO薄膜10x10x0.5 mm

Al2O3+YBCO薄膜10x5x0.5 mm

Al2O3+YBCO薄膜3" dia.x0.5 mm

Al2O3/YBCO功能外延薄膜

YBCO/CeO2/Al2O3雙面超導(dǎo)外延薄膜

YIG單晶外延薄膜GGG襯底

釔鐵石榴石YIG外延薄膜GGG襯底

釔鐵石榴石（Yttrium Iron Garnet）在GGG襯底外延薄膜

Al2O3+ZnO薄膜

Al2O3/ZnO薄膜

CVD生長(zhǎng)ZnO/GaN/Al2O3薄膜

Al2O3襯底上外延生長(zhǎng)ZnO薄膜

SrRuO3薄膜

SrTiO3基底SrRuO3薄膜50nm

SrTiO3襯底上生長(zhǎng)SrRuO3薄膜

SrRuO3/SrTiO3人工薄膜

SrRuO3/SrTiO3薄膜

TiO2薄膜

鈉鈣玻璃基底TiO2薄膜

二氧化鈦(TiO2)薄膜(鈉鈣玻璃基底)

ZnO/Au納米復(fù)合物

ZnO +Au+Cr

ZnO/Au/Cr復(fù)合薄膜

ZnO/Au/ZnO多層膜

ZnO+SiO2薄膜

熔融石英基底ZnO/SiO2薄膜

ZnO/SiO2復(fù)合薄膜

SiO2/Si襯底制備ZnO薄膜

Ge/ZnO/SiO2薄膜

ZnO+鈉鈣玻璃

鈉鈣玻璃基底ZnO薄膜

ZnS/CuInS/Mo/鈉鈣玻璃襯底上射頻濺射ZnO:Al薄膜

ZnO+Pt+Ti

Ti/Pt/ZnO復(fù)合薄膜

Ti/ZnO/Pt 復(fù)合薄膜

Pt/Ti/ZnO復(fù)合薄膜

Pt/Ti/SiO2/Si基片

以上資料來自西安pg電子官方生物小編（zhn2020.12.14）

溫馨提示：僅用于科研！