光刻膠的組成（含光引發(fā)劑、光增感劑、光致產(chǎn)酸劑、光刻膠樹脂、單體、溶劑和其他助劑)

光刻膠是光刻成像的承載介質(zhì)，其作用是利用光化學(xué)反應(yīng)的原理將光刻系統(tǒng)中經(jīng)過衍射、濾波后的光信息轉(zhuǎn)化為化學(xué)能量，進而完成掩模圖形的復(fù)制。目前，集成電路生產(chǎn)中使用的光刻膠一般由聚合物骨架、光致酸產(chǎn)生劑或光敏化合物、溶劑，以及顯影保護基團、刻蝕保護基團等其他輔助成分組成 。

光刻膠是微電子技術(shù)中微細圖形加工的關(guān)鍵材料之一，特別是近年來大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路的發(fā)展，更是大大促進了光刻膠的研究開發(fā)和應(yīng)用。印刷工業(yè)是光刻膠應(yīng)用的另一重要領(lǐng)域。1954 年由明斯克等人**研究成功的聚乙烯醇肉桂酸酯就是用于印刷工業(yè)的，以后才用于電子工業(yè)。

光刻膠是一種有機化合物，它被紫外光曝光后，在顯影溶液中的溶解度會發(fā)生變化。硅片制造中所用的光刻膠以液態(tài)涂在硅片表面，而后被干燥成膠膜。

中文名：光刻膠

外文名：photoresist

別名：光致抗蝕劑

成分：感光樹脂、增感劑和溶劑

分類：負性膠和正性膠

硅片制造中，光刻膠的目的主要有兩個：光刻膠原理，小孔成像；技術(shù)源頭，古老的相機；

（1）將掩模版圖形轉(zhuǎn)移到硅片表面頂層的光刻膠中；

（2）在后續(xù)工藝中，保護下面的材料（例如刻蝕或離子注入阻擋層）。

分類：

光刻膠的技術(shù)復(fù)雜，品種較多。根據(jù)其化學(xué)反應(yīng)機理和顯影原理，可分負性膠和正性膠兩類。光照后形成不可溶物質(zhì)的是負性膠；反之，對某些溶劑是不可溶的，經(jīng)光照后變成可溶物質(zhì)的即為正性膠。

圖1 正性膠的顯影工藝與負性膠顯影工藝對比

利用這種性能，將光刻膠作涂層，就能在硅片表面刻蝕所需的電路圖形。基于感光樹脂的化學(xué)結(jié)構(gòu)，光刻膠可以分為三種類型。

光聚合型:采用烯類單體，在光作用下生成自由基，自由基再進一步引發(fā)單體聚合，后生成聚合物，具有形成正像的特點。

光分解型:采用含有疊氮醌類化合物的材料，經(jīng)光照后,會發(fā)生光分解反應(yīng),由油溶性變?yōu)樗�溶性，可以制成正性膠。

光交聯(lián)型:采用聚乙烯醇月桂酸酯等作為光敏材料，在光的作用下,其分子中的雙鍵被打開，并使鏈與鏈之間發(fā)生交聯(lián)，形成一種不溶性的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，而起到抗蝕作用，這是一種**的負性光刻膠。柯達公司的產(chǎn)品KPR膠即屬此類。

光刻膠又稱光致抗蝕劑，是一種對光敏感的混合液體。其組成部分包括：光引發(fā)劑（包括光增感劑、光致產(chǎn)酸劑）、光刻膠樹脂、單體、溶劑和其他助劑。光刻膠可以通過光化學(xué)反應(yīng)，經(jīng)曝光、顯影等光刻工序?qū)⑺�需要的微細圖形從光罩（掩模版）轉(zhuǎn)移到待加工基片上。依據(jù)使用場景，這里的待加工基片可以是集成電路材料，顯示面板材料或者印刷電路板。

光刻膠按應(yīng)用領(lǐng)域分類，可分為 PCB 光刻膠、顯示面板光刻膠、半導(dǎo)體光刻膠及其他光刻膠。**市場上不同種類光刻膠的市場結(jié)構(gòu)較為均衡，具體占比可以如下圖所示。

目前，中國本土光刻膠以PCB用光刻膠為主，平板顯示、半導(dǎo)體用光刻膠供應(yīng)量占比**。

中國本土光刻膠企業(yè)生產(chǎn)結(jié)構(gòu).