鈣鈦礦復(fù)合氧化物材料/金屬摻雜改性鈣鈦礦型氧化-pg電子官方生物定制試劑

鈣鈦礦復(fù)合氧化物具有獨特的晶體結(jié)構(gòu)，尤其經(jīng)摻雜后形成的晶體缺陷結(jié)構(gòu)和性能，廣泛應(yīng)用于固體燃料電池、固體電解質(zhì)、傳感器、高溫加熱材料、固體電阻器及替代貴金屬的氧化還原催化劑等諸多領(lǐng)域，成為化學(xué)、物理和材料等領(lǐng)域的研究熱點。   

鈣鈦礦結(jié)構(gòu)

鈣鈦礦結(jié)構(gòu)通式可用ABO3來表達(dá)，晶體結(jié)構(gòu)為立方晶系，是一種復(fù)合金屬氧化物。A 位離子：一般為堿土或稀土離子rA>0.090nm；B位離子：一般為過渡金屬離子rB>0.051nm。   

**的鈣鈦礦結(jié)構(gòu)材料為CaTiO3，其晶體結(jié)構(gòu)如下圖所示： 

鈣鈦礦結(jié)構(gòu)為氧八面體共頂點連接，組成三維網(wǎng)絡(luò)，根據(jù)Pauling的配位多面體連接規(guī)則，此種結(jié)構(gòu)比共棱、共面連接穩(wěn)定。結(jié)構(gòu)特點如下圖2所示。

（1）共頂連接使氧八面體網(wǎng)絡(luò)之間的空隙比共棱、共面連接時要大，允許較大尺寸離子填入，即使產(chǎn)生大量晶體缺陷，或者各組成離子的尺寸與幾何學(xué)要求有較大出入時，仍然能夠保持結(jié)構(gòu)穩(wěn)定；并有利于氧及缺陷的擴散遷移。   

（2）鈣鈦礦結(jié)構(gòu)中的離子半徑匹配應(yīng)滿足下面關(guān)系式：

式中RA、RB、RO分別代表A、B、O的離子半徑，t 稱為容差因子（Tolerance Factor）。t =1時為理想的結(jié)構(gòu)，此時A、B、O離子相互接觸。理想結(jié)構(gòu)只有在t接近1或高溫情況下出現(xiàn)。   

（3）t=0.77~1.1之間時，ABO3化合物為鈣鈦礦結(jié)構(gòu)；t < 0.77 時，以鐵鈦礦形式存在；t>1.1時，以方解石或文石型存在。   

（4）A、O離子半徑比較相近，A與O離子共同構(gòu)成立方密堆積。   

（5）正、負(fù)離子電價之間應(yīng)滿足電中性原則，A、B位正離子電價加和平均為（+6）便可。   （6）由于容差因子 t 范圍很寬及A、B離子電價加和為（+6）便可， 使結(jié)構(gòu)有很強的適應(yīng)性，可用多種不同半徑及化合價的正離子取代A位或B位離子。  

（6） 簡單的：A1+B5+O3，A2+B4+O3，A3+B3+O3  

復(fù)雜的：A（B?1-xB?x）O3，（A?1-xA?x）BO3，（A?1-xA?x）（B?1-yB?y）O3

圖2 鈣鈦礦結(jié)構(gòu)特點 
鈣鈦礦型復(fù)合氧化物的制備

機械球磨法 機械球磨法屬于固相法的一種，其通常做法是按化合物組成計量比例投入相應(yīng)的碳酸鹽、乙酸鹽或者對應(yīng)的硝酸鹽以及適量草酸在球磨機中研磨，充分反應(yīng)得前驅(qū)體，移出干燥處理后經(jīng)煅燒即得樣品。  

 機械球磨法優(yōu)點是：

（1）可以在常溫下進(jìn)行，降低克服了高溫固相法的一系列問題。

（2）可以制備具有大的比表面積和獨特的表面特性的催化劑用粉體，因為球磨可以使晶體產(chǎn)生大量缺陷，有利于催化性能的提高。   目前國內(nèi)研究發(fā)現(xiàn)，通過機械球磨法制備的催化劑粉體比表面積均在20m2/g以上。  

共沉淀法 共沉淀法是通過使溶液中已經(jīng)均勻的各個組分按化學(xué)計量比共同沉淀出前驅(qū)物，再把它煅燒分解制備出**粉體。

  共沉淀法優(yōu)點是可以制備均勻、分散的前驅(qū)體沉淀顆粒，所制備的鈣鈦礦氧化物粉體具有較高的比表面積和反應(yīng)活性。   

目前，用改進(jìn)的化學(xué)共沉淀法制備PLZST反鐵電陶瓷材料前驅(qū)體，與固相法合成條件比較，具有純度高、組分均勻、合成溫度低等特點。   

溶膠-凝膠法 溶膠-凝膠法是制備超微顆粒的一種濕化學(xué)方法。此法一般采用有機金屬醇鹽為原料，通過水解、聚合、干燥等過程得到固體的前驅(qū)物，經(jīng)適當(dāng)熱處理得到納米材料。采用溶膠-凝膠法合成BaZr0.9Y0.1O3-δ（BZY）、BaCe0.2Zr0.7Y0.1O3-δ（BZY），將其用于固態(tài)質(zhì)子傳導(dǎo)電池中，在常壓下以氮氣和氫氣為原料合成氨氣，氨的比產(chǎn)率可達(dá)2.93×10-9mol?s-1?cm-2。   

溶膠-凝膠法優(yōu)點是制備的鈣鈦礦氧化物粉體具有純度高、粒度均勻細(xì)小、燒結(jié)溫度低、反應(yīng)過程易于控制等特點。

其他合成方法

（1）脈沖激光沉積法 利用脈沖激光沉積法可以制備用于固體氧化物燃料電池陰極材料的La1-xSrxMnO3，通過控制沉積條件可以得到較低的表面粒子密度，同時在室溫下也有較好的離子電導(dǎo)率。   

（2）陰極還原電化學(xué)沉積 利用陰極還原電化學(xué)沉積的方法，在Pt電極上制備自摻雜非整比化合物La1-xMnO3+δ。該方法因電子參加反應(yīng),產(chǎn)物純度較高，并可通過調(diào)節(jié)電位或電流密度控制組成及顆粒大小。  

 （3）自蔓延高溫合成法 目前，國內(nèi)研究者采用自蔓延高溫合成法設(shè)計了4類共9個化學(xué)反應(yīng)制備出固體氧化物燃料電池（SOFC）陰極材料，并與固相法等傳統(tǒng)制備方法比較，自蔓延高溫合成在合成時間、耗能、產(chǎn)物粒度、比表面積、燒結(jié)活性等方面具有**優(yōu)勢，能明顯降低材料制備成本，有利于推動SOFC的實用化和產(chǎn)業(yè)化。 

pg電子官方生物供應(yīng)產(chǎn)品列表：

鈣鈦礦太陽能電池(Perovskite solar cells,PSC)

有機金屬鹵化物鈣鈦礦/CH3NH3PbI3

有機-無機雜化鈣鈦礦

反式p-i-n鈣鈦礦太陽能電池

鈣鈦礦太陽能電池ABX3層

TiO2/ZnTiO3復(fù)合粉體

TiO2維度對TiO2/PVDF復(fù)合材料

石墨鎳粉PET基復(fù)合機敏材料

PS/TiO2復(fù)合球

聚乙烯/無機填料復(fù)合材料

CNT/GNs/PVDF電介質(zhì)復(fù)合材料

窄帶隙聚合物PDPP3T鈣鈦礦/BHJ雜化太陽能電池

聚合物PDTP-DFBT鈣鈦礦太陽能電池

EQE鈣鈦礦/BHJ雜化太陽能電池

碘化鉛(PbI2)混合離子鈣鈦礦薄膜

聚氧化乙烯-甲基溴化銨/溴化鉛(Ⅱ)復(fù)合材料薄膜

聚乳酸(PLA)/三碘化甲基鉛胺(MAPbI3)鈣鈦礦復(fù)合薄膜

二元/三元硫化物量子點材料

細(xì)胞膜包覆的介孔銅/錳硅酸鹽納米球(mCMSNs)

稀土Ho3+/Yb3+共摻SrBi4Ti4O*5陶瓷

稀土Er/Nb共摻Bi4Ti3O*2材料

無機鈣鈦礦量子點CsPbX 3(PQDs)

無機鈣鈦礦量子點(PQDs)

無機鈣鈦礦材料CsPbI2Br薄膜晶體

無機鈣鈦礦CsPbI3-CsPbBr3異質(zhì)結(jié)納米線陣列

烷基胺苯丙烯胺（PPA）鈣鈦礦量子點

透明質(zhì)酸修飾納米過氧化銅

銅鋅錫硫(CZTS)薄膜材料

銻基鈣鈦礦量子點

碳量子點CQD摻雜的鈣鈦礦膜

溴化物鈣鈦礦量子點

鈣鈦礦量子點納米晶

銫鉛鹵鈣鈦礦量子點

CsPbBr_3鈣鈦礦量子點

CsPbX_3鈣鈦礦量子點

紅光鈣鈦礦量子點

CsPbBr3鈣鈦礦量子點

Cs4PbBr6納米晶

正辛胺鈣鈦礦量子點

鈣鈦礦量子點熒光微球

鈣鈦礦量子點/介孔MOF?5復(fù)合發(fā)光材料

有機-無機雜化鈣鈦礦量子點CH3NH3PbX3

全無機鈣鈦礦量子點CsPbX3

有機-無機雜化鈣鈦礦單晶CH3NH3PbX3

PQDs@介孔MOF納米復(fù)合材料

二氧化硅包覆鈣鈦礦量子點

石墨烯-鈣鈦礦量子點

CsPbX鈣鈦礦量子點(PQDs)

介孔二氧化硅包裹鈣鈦礦量子點

MAPbBr3鈣鈦礦量子點

油酸修飾CsPbI3鈣鈦礦量子點

AET-CsPbI3鈣鈦礦量子點

配體C8/C18-CsPbI3鈣鈦礦量子點

CsPbBr3量子點/氧化石墨烯復(fù)合材料

鈣鈦礦/黑磷低維納米復(fù)合材料

MAPbI3@PCN-221鈣鈦礦量子點金屬有機框架

MAPbI3/TiO2二氧化鈦修飾鈣鈦礦量子點

Cs3Bi2Br9鈣鈦礦量子點

鈣鈦礦量子點復(fù)合纖維膜

鉍基鈣鈦礦納米材料

CsPbX3/ZnS Quantum Dot量子點

MoS2/CsPbBr3二硫化鉬鈣鈦礦量子點

CsPbBr3@Ag銀修飾鈣鈦礦量子點

CsPbBr3@NH4Br (CPBr–NB)量子點

ITO/Al2O3/CsPbBr3鈣鈦礦量子點

CsPbBr3@PS聚苯乙烯鈣鈦礦量子點

CsPbBr_3/C8-BTBT復(fù)合薄膜

PbS–CsPbBr3復(fù)合材料

CsPbBr3/聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)

十二烷二酸修飾TiO2

量子點修飾的介孔鈣鈦礦

鈣鈦礦-量子點雜化薄膜

基于CuBr2二維鈣鈦礦材料

鈣鈦礦錳氧化物薄膜

二維三氧化鎢納米片

鈣鈦礦鈮酸鹽晶

PbIxCl3-x鈣鈦礦復(fù)合石墨烯

(PEA)_2BiBr_5(PEA:苯乙胺)鈣鈦礦納米片

Cs_3Bi_2Br_9納米粒子

Bi4Ti3O12鈦酸鉍基贗鈣鈦礦

Bi4Ti3O12 薄膜

層狀鈣鈦礦Bi-ErTi-3O-(12)(BErT)薄膜

鈣鈦礦BET/ZnO復(fù)合薄膜

稀土Er/Nb共摻Bi4Ti3O12材料

稀土Ho3+/Yb3+共摻SrBi4Ti4O15陶瓷

Pr/Nb共摻Bi4Ti3O(12)鉍層狀陶瓷

氧化物基上轉(zhuǎn)換發(fā)光材料

共摻氧化鋯及其復(fù)合氧化物上轉(zhuǎn)換發(fā)光材料

BNKTx薄膜 鈦酸鉍鈉鉀無鉛鐵電薄膜

鈣鈦礦鈮酸鉀納米材料(KNbO3)

鈣鈦礦MAPbI3納米片

低維鎢酸鉍基異質(zhì)結(jié)構(gòu)納米材料

鉍鉭基納米片

全無機鉛鹵鈣鈦礦CsPbX3晶體

銫鉛鹵(CsPbX_3)鈣鈦礦量子點

銦錫氧化物鈣鈦礦納米晶體(ITONPs)

黑色立方相CsPbBr3鈣鈦礦薄膜

CsPbBr3單晶鈣鈦礦納米材料

石墨烯鈣鈦礦量子點復(fù)合材料

Ag修飾石墨烯基鈣鈦礦材料

鈣鈦礦量子點與分子篩復(fù)合材料

MPbX3(M=CH3NH3,Cs;X=Cl,Br,I)

CH3NH3PbBr3鈣鈦礦量子點

CH3NH3PbCl3鈣鈦礦量子點

CH3NH3PbI3鈣鈦礦量子點

CdTe/MCM-41納米復(fù)合材料

負(fù)載型SrTiO3/HZSM-5光催化材料

BiFeO3納米顆粒

BaTiO3鈣鈦礦納米材料

PbTiO3鈣鈦礦納米材料

二維層狀鈣鈦礦型鐵電材料

BaTiO3單晶納米線

鈣鈦礦層狀化合物SrO(SrTiO3)

鈣鈦礦型氧化物SrTiO3/BaTiO3多層膜

CH3NH3PbI3(MAPbI3)鈣鈦礦

硫氰酸鹽在甲脒鈣鈦礦薄膜

鈣鈦礦氧化物LaAlO3/SrTiO3

鈣鈦礦結(jié)構(gòu)PbTiO3納米材料

鈣鈦礦結(jié)構(gòu)BaCrO3納米材料

鈦酸鍶(SrTiO3)鈣鈦礦納米材料

二氧化錫基鈣鈦礦二維納米材料

鹵素鈣鈦礦CsPbBr3單晶薄膜

有機無機鹵素鈣鈦礦MAPbX3

Sn-Pb二元鈣鈦礦材料

碘化鉛甲銨MAPbI3鈣鈦礦二維材料

多巴胺交聯(lián)二氧化鈦/鈣鈦礦薄膜

鈣鈦礦太陽能電池空穴傳輸材料

鈣鈦礦/黑磷低維復(fù)合納米材料

新型鈣鈦礦材料FAPbI3薄膜

鈣鈦礦氧化物SrTiO3（STO）

BiFeO3（BFO）鈣鈦礦薄膜

CsPbCl3納米晶

上述產(chǎn)品部分現(xiàn)貨，期貨1-2周，僅用于科研，不可用于人體！

wyf 03.01