鐵電材料--鉍層狀共生結(jié)構(gòu)鐵電薄膜（制備過(guò)程詳解）
pg電子官方生物從產(chǎn)品種類及技術(shù)特點(diǎn)方面可以提供**廣泛的鈣鈦礦產(chǎn)品，這些產(chǎn)品均產(chǎn)于西安pg電子官方pg電子官方生物實(shí)驗(yàn)室。
我們采用溶膠-凝膠法制備Bi4Ti;O12-BisTiNbO,( BIT-BTN)Bi4Ti;O12-SrBiTi4O1s
(BIT-SBTi)鉍層狀鈣鈦礦共生結(jié)構(gòu)鐵電薄膜，研究了制備工藝和結(jié)構(gòu)變化對(duì)薄膜結(jié)
構(gòu)和性能的影響，為高性能、低成本鐵電材料的制備提供一種**方法。
利用P-100 硅為襯底，采用旋涂法制備薄膜，整個(gè)溶膠凝膠法制備鐵電鉍層狀共生結(jié)構(gòu)薄膜的工藝過(guò)程如圖所示。
混合勻膠法制備薄膜 | |
步驟一 | 根據(jù)實(shí)驗(yàn)配比需要，將BTN前驅(qū)液與BIT前驅(qū)液充分?jǐn)嚢?/span>2小時(shí)，制備出BIT-BTN前驅(qū)液;用同樣的方式制備BIT-SBTi前驅(qū)液;
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步驟二 | 設(shè)置好勻膠機(jī)參數(shù):轉(zhuǎn)速為4000R/min，啟動(dòng)時(shí)間為5s，甩膠時(shí)間為30s;
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步驟三 | 打開(kāi)真空泵，將襯底放置在勻膠機(jī)上，然后啟動(dòng)勻膠機(jī)，將前驅(qū)液用滴管滴到正在旋轉(zhuǎn)的襯底上; |
步驟四 | 將制備好的濕膜放置到120C的紅外干燥箱內(nèi)干燥5分鐘，使部分有機(jī)溶劑揮發(fā)，防止在后續(xù)的熱處理過(guò)程中薄膜升溫速度過(guò)快導(dǎo)致龜裂; |
步驟五 | 讓預(yù)熱過(guò)的薄膜放置在300C的恒溫?zé)岜P(pán)上進(jìn)行烘烤10min,使有機(jī)溶劑揮發(fā)和有機(jī)物燃燒，形成無(wú)定形態(tài)的薄膜，在烘烤過(guò)程中，為避免空氣中粉塵雜質(zhì)的影響，較好用蓋子蓋住硅片 |
步驟六 | 等薄膜自然冷卻后，重復(fù)上述過(guò)程，直到薄膜達(dá)到所需要的厚度;
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步驟七 | 把所獲得的薄膜放置到管式爐中，從室溫以15C/min的升溫速率升至設(shè)定溫度，在氧氣氣氛(約2L/min)中退火處理30min，即可獲得所需薄膜。 |
混合勻膠法制備薄膜流程圖
交替法制備薄膜
該方法制備工藝參數(shù)與混合勻股法相同，只是沉積薄膜的方式有所不同，其具體過(guò)程如圖所示。
交替勻膠法制備薄膜流程圖
研究結(jié)果:
采用溶膠-凝膠法能夠制備出表面平整、晶粒均勻的BIT-BTN 和BIT-SBTi共生結(jié)構(gòu)鐵電薄膜。在0.1mol/L的較佳前驅(qū)液濃度下制備出的薄膜表面均勻無(wú)裂痕，并且晶粒生長(zhǎng)呈現(xiàn)隨機(jī)取向;較佳的退火溫度為700°C，此時(shí)薄膜的鐵電性能較好。
研究表明，BIT-BTN 系列的共生結(jié)構(gòu)薄膜晶格畸變較大，對(duì)薄膜剩余極化的提高較大，其中BIT-BTN( 1:2)結(jié)構(gòu)薄膜在700C退火條件下2P,值可以達(dá)到44 μuC/cm2，將BIT薄膜2Pr值16 uC/cm2提高了2.75倍，同時(shí)BIT-BTN薄膜具有更大的相對(duì)介電常數(shù)和C-V曲線回滯窗口，但是BIT-BTN薄膜的介電損耗較大，疲勞特性相對(duì)較差，在109 次極化反轉(zhuǎn)后剩余極化值下降明顯; BIT-SBTi 共生結(jié)構(gòu)薄膜雖然晶格畸變相對(duì)較小，但是其矯頑場(chǎng)更小，BIT-SBTi(1:1)薄膜的2Ec約為150 kV/cm,比BIT薄膜約260 kV/cm的2E。值減少了近42.3%，同時(shí)BIT-SBTi薄膜介電損耗小, 抗疲勞性能優(yōu)秀，在10"次極化反轉(zhuǎn)后依然保持較好的鐵電性能。
產(chǎn)品供應(yīng)列表：
鈦酸鉍基贗鈣鈦礦結(jié)構(gòu)薄膜 | 98% | 西安pg電子官方 |
Bi系層狀鈣鈦礦薄膜 | 98% | 西安pg電子官方 |
層狀鈣鈦礦Bi4Ti3O12(BTO)鐵電陶瓷材料 | 98% | 西安pg電子官方 |
層狀、花形和棒狀鈦酸鉍納米材料 | 98% | 西安pg電子官方 |
鈦酸鉍基鈣鈦礦復(fù)合氧化物 | 98% | 西安pg電子官方 |
鉍系層狀鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的光催化材料 | 98% | 西安pg電子官方 |
層狀鈣鈦礦型結(jié)構(gòu)的Bi4Ti3O12x鐵電薄膜 | 98% | 西安pg電子官方 |
鈦酸鉍(Bi4Ti3O12)基鐵電薄膜 | 98% | 西安pg電子官方 |
鈦酸鉍(Bi4Ti3O12)陶瓷靶材材料 | 98% | 西安pg電子官方 |
Pt/Ti/SiO2/Si襯底鈦酸鉍(Bi4Ti3O12)薄膜 | 98% | 西安pg電子官方 |
高純Bi4Ti3O12鈦酸鉍納米粉體 | 98% | 西安pg電子官方 |
鑭摻雜鈦酸鉍粉體 | 98% | 西安pg電子官方 |
鈰(Ce)元素?fù)诫s鈦酸鉍(Bi4Ti3O12)材料 | 98% | 西安pg電子官方 |
鈦酸鉍(Bi4Ti3O12)鐵電薄膜 | 98% | 西安pg電子官方 |
摻雜Bi4Ti3O12鐵電陶瓷 | 98% | 西安pg電子官方 |
丙烯酸-丙烯酸酯共聚物對(duì)鈦酸鉍 | 98% | 西安pg電子官方 |
鈦酸鉍可控離子/納米球納米片納米帶 | 98% | 西安pg電子官方 |
Pr3+摻雜鈦酸鉍與ZnO納米棒復(fù)合鐵電薄膜 | 98% | 西安pg電子官方 |
稀土摻雜鈦酸鉍[Bi4-xLnxTi3O12(BLnT)]薄膜 | 98% | 西安pg電子官方 |
鈦酸鉍(Bi4Ti3O12,BTO)鉍系層狀鈣鈦礦 | 98% | 西安pg電子官方 |
硅基鈦酸鉍鐵電薄膜 | 98% | 西安pg電子官方 |
鈦酸鉍鈮鐵電薄膜 | 98% | 西安pg電子官方 |
球形鈦酸鉍復(fù)合氧化物光催化劑 | 98% | 西安pg電子官方 |
硅基鈮摻雜Bi4Ti3O12薄膜溶膠 | 98% | 西安pg電子官方 |
石英砂負(fù)載Bi4Ti3O12/SiO2光催化材料 | 98% | 西安pg電子官方 |
鈦酸鉍**粉體 | 98% | 西安pg電子官方 |
Ho摻雜Bi4Ti3O12鐵電薄膜 | 98% | 西安pg電子官方 |
鉍層狀鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的Bi4Ti3O12鐵電納米材料 | 98% | 西安pg電子官方 |
鈦酸鉍鈦酸鉍稀有金屬鐿元素的(Bi,Yb)4Ti3O12鐵電薄膜 | 98% | 西安pg電子官方 |
鈦酸鈣與鈦酸鉛及其摻雜物的光催化劑 | 98% | 西安pg電子官方 |
鋯摻雜鈣鈦礦型復(fù)合材料 | 98% | 西安pg電子官方 |
活性炭負(fù)載鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的鈦酸鈣納米材料 | 98% | 西安pg電子官方 |
(CaTiO3)鈦酸鈣/氧化鈣復(fù)合光催化劑 | 98% | 西安pg電子官方 |
CaTiO_3基復(fù)合材料 | 98% | 西安pg電子官方 |
高性能鈦酸鈣(CaTiO_3)晶體鈣鈦礦材料 | 98% | 西安pg電子官方 |
鈦酸鈣改性鈣鈦礦型復(fù)合氧化物 | 98% | 西安pg電子官方 |
鈦酸鈣基微粉 | 98% | 西安pg電子官方 |
CaTiO_3:Pr~(3+)的發(fā)光與光催化復(fù)合材料 | 98% | 西安pg電子官方 |
鈣鈦礦型鈦酸鈣鋇納米管 | 98% | 西安pg電子官方 |
熔鹽合成鈦酸銅鈣粉體 | 98% | 西安pg電子官方 |
鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的鈦酸銅鈣(CCTO)陶瓷粉體 | 98% | 西安pg電子官方 |
銀修飾鈣鈦礦LaBO3(B=Co,Ni) | 98% | 西安pg電子官方 |
納米顆粒修飾鈦基鈦酸鹽納米線生物支架材料 | 98% | 西安pg電子官方 |
鈦酸鋇和鈦酸鈣陶瓷材料 | 98% | 西安pg電子官方 |
鈦酸鈣為鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的納米粉體 | 98% | 西安pg電子官方 |
鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的鋰摻雜及鋰與稀土元素共摻雜鈦酸鈣 | 98% | 西安pg電子官方 |
無(wú)機(jī)雜化鈣鈦礦材料 | 98% | 西安pg電子官方 |
鈮鎂酸鈣/鈦酸鈣多層異質(zhì)薄膜 | 98% | 西安pg電子官方 |
鈦酸鈣光催化劑摻雜改性材料 | 98% | 西安pg電子官方 |
三價(jià)釤離子摻雜鈦酸鈣發(fā)光材料 | 98% | 西安pg電子官方 |
微米級(jí)片狀鈦酸鈣晶體 | 98% | 西安pg電子官方 |
形狀和尺寸可控的鈦酸鈣顆粒 | 98% | 西安pg電子官方 |
鈦礦基上轉(zhuǎn)換發(fā)光納米顆粒 | 98% | 西安pg電子官方 |
純相鈦酸鎂納米晶及其復(fù)合材料 | 98% | 西安pg電子官方 |
鈦酸鎂（MgTiO3）基微波介質(zhì)陶瓷 | 98% | 西安pg電子官方 |
鈦酸鉍基鈣鈦礦相熱敏陶瓷復(fù)合材料 | 98% | 西安pg電子官方 |
二氧化鈦(TiO2)的修飾對(duì)鈣鈦礦材料 | 98% | 西安pg電子官方 |
鐵電體鈣鈦礦-TiO2和金屬硫化物-TiO2復(fù)合材料 | 98% | 西安pg電子官方 |
二氧化鈦致密層與復(fù)合多孔層材料 | 98% | 西安pg電子官方 |
三維ZnO/TiO2復(fù)合納米材料 | 98% | 西安pg電子官方 |
染料/鈣鈦礦敏化多形貌納米TiO_2材料 | 98% | 西安pg電子官方 |
TiO2/SnO2雙層復(fù)合薄膜 | 98% | 西安pg電子官方 |
TiO2納米棒陣列的鈣鈦礦材料 | 98% | 西安pg電子官方 |
二氧化鈦/鈣鈦礦新型復(fù)合納米材料 | 98% | 西安pg電子官方 |
十二烷二酸修飾TiO2電子傳輸層改善鈣鈦礦 | 98% | 西安pg電子官方 |
納米鈣鈦礦型復(fù)合氧化物 | 98% | 西安pg電子官方 |
二氧化鈦(TiO2)鈣鈦礦電子傳輸材料 | 98% | 西安pg電子官方 |
復(fù)合二氧化鈦膜厚 | 98% | 西安pg電子官方 |
表面覆蓋TiO2層的納米銀顆粒(Ag-TiO2) | 98% | 西安pg電子官方 |
TiO_2NRAs/ZrO_2/C結(jié)構(gòu)鈣鈦礦材料 | 98% | 西安pg電子官方 |
有機(jī)與有機(jī)—無(wú)機(jī)雜化鈣鈦礦材料 | 98% | 西安pg電子官方 |
硅襯底的全無(wú)機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn) | 98% | 西安pg電子官方 |
硅襯底的介孔二氧化鈦復(fù)合物 | 98% | 西安pg電子官方 |
N/Zr共摻雜TiO2納米柱陣列的鈣鈦礦材料 | 98% | 西安pg電子官方 |
TiO2(c-TiO2)型平面異質(zhì)結(jié)鈣鈦礦材料 | 98% | 西安pg電子官方 |
D-π-A小分子修飾鈣鈦礦材料 | 98% | 西安pg電子官方 |
納米鈣鈦礦型TiO2包覆型磁性復(fù)合光催化劑 | 98% | 西安pg電子官方 |
石墨烯/二氧化鈦材料 | 98% | 西安pg電子官方 |
二氧化鈦(TiO2)嵌入式鈣鈦礦材料 | 98% | 西安pg電子官方 |
TiO2-ZnTiO3納米復(fù)合薄膜 | 98% | 西安pg電子官方 |
芐胺溴銅鈣鈦礦光吸收材料 | 98% | 西安pg電子官方 |
甲胺鉛溴鈣鈦礦量子點(diǎn) | 98% | 西安pg電子官方 |
苯甲胺溴和苯乙胺溴鈣鈦礦薄膜 | 98% | 西安pg電子官方 |
二氧化硅包覆的銫鉛溴鈣鈦礦納米晶復(fù)合物 | 98% | 西安pg電子官方 |
鈣鈦礦型甲胺鉛碘薄膜 | 98% | 西安pg電子官方 |
鉛基復(fù)合鈣鈦礦型材料 | 98% | 西安pg電子官方 |
鉛系復(fù)合鈣鈦礦Pb(Fe1/2Ta1/2)O3鐵電陶瓷材料 | 98% | 西安pg電子官方 |
甲胺溴化鉛鈣鈦礦納米晶(CH3NH3PbBr3PNCs) | 98% | 西安pg電子官方 |
鈣鈦礦發(fā)光二極管 | 98% | 西安pg電子官方 |
金屬溴化物鈣鈦礦量子點(diǎn) | 98% | 西安pg電子官方 |
無(wú)機(jī)鈣鈦礦CsPbBr3微米棒 | 98% | 西安pg電子官方 |
金屬鹵化物鈣鈦礦材料 | 98% | 西安pg電子官方 |
全無(wú)機(jī)鈣鈦礦單晶 | 98% | 西安pg電子官方 |
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