外延生長Fe薄膜的過程如下:

(1）準備單晶基底

要實現(xiàn)外延，需要保證單晶基底表面的絕對清潔，以產(chǎn)生用于束縛沉積原子的表面晶體場。對于不同的基底具有不同的處理工藝。對于單晶硅基底，**依次使用氯仿、丙酮、甲醇進行超聲清洗;其次用5%的HF對表面進行腐蝕2分鐘，以除去表面氧化層;之后用去離子水沖洗基底，用高純氮氣吹干后馬上將基底安裝至真空腔內(nèi)的樣品架上:最后，在高真空中加熱至700 °C進行除氣。對于單晶GaAs基底，**依次使用氯仿、丙酮、甲醇、去離子水進行超聲清洗;之后用高純氮氣吹干后馬上將基底安裝至真空腔內(nèi)的樣品架上;在高真空中將基底快速加熱至600°C左右，使得GaAs剛剛到達分解溫度，同時觀察RHEED，當出現(xiàn)細線衍射圖樣時立即停止加熱，逐漸冷卻至室溫，使GaAs表面經(jīng)過重構(gòu)變得平整。

(2）生長條件的選擇

在完成基底準備后，對生長腔持續(xù)抽真空8至12小時。在生長腔的真空度穩(wěn)定在10-1° mbar量級后，經(jīng)過兩個小時的時間，將Fe源升溫至1250 °C。Fe源的溫度決定了蒸發(fā)分子束的流量（生長速率)，以及原子與基底接觸時的動能（與基底溫度相配合決定是否能夠適當沉積)，經(jīng)過查閱文獻和反復試驗，確定了Fe源溫度為1250°c，基底溫度為30 °C。

(3）薄膜生長過程

在升溫完成后，打開Fe的擋板，開始薄膜生長。在生長過程中，實時監(jiān)測RHEED的圖樣并記錄，保證生長過程中及生產(chǎn)完成后RHEED圖樣始終保持條形，從而確定生長模式為layer by layer的生長（如果是核生長模式或?qū)雍松�長模式，則在生長過程中應當出現(xiàn)點狀圖樣與條形圖樣的轉(zhuǎn)化或交替轉(zhuǎn)化)。

如圖所示，當基底為（100）面的單晶GaAs時（晶格常數(shù)0.565 nm)，計算出生長完成后的Fe薄膜的晶格常數(shù)為0.28 nm，符合α相的固態(tài)Fe的bcc晶胞晶格常數(shù)。

對于Fe薄膜的微觀型貌特征，以在Si (111）表面生長的樣品為例，表面如圖下 (a)和(b)所示，樣品厚度均勻，界面清晰，晶體結(jié)構(gòu)完整。如圖上(c)

所示，通過AFM（原子力顯微鏡）的分析軟件可以確定樣品表面的均方根粗糙度為0.9 nm，由此可知樣品表面相當平整。需要說明的是，對于微觀型貌來說，不同基底生長的樣品均可以達到圖中下的標準。

供應產(chǎn)品目錄：

磷化鎵GaP薄膜

柔性銅銦鎵硒(CIGS)薄膜

硫化鋅(ZnS)緩沖層薄膜

鎵硫碲GaSTe薄膜

基于鍺鎵碲硫鹵玻璃薄膜

ZnS1-x Tex薄膜

碲基硫?qū)倩�合物薄�?/p>

二硫化鉿HfS2薄膜

二硒化鉿HfSe2納米薄膜

二氧化鉿圖案化薄膜

具有V型能帶結(jié)構(gòu)的銻硫硒薄膜

二氧化鉿(HfO2)納米晶態(tài)薄膜

花菁染料薄膜

碲化鎘(CdTe)多晶薄膜

納米厚度的鈮基超導超薄薄膜

摻雜鈮和鈷元素的鋯鈦酸鉛(PZT)薄膜

碲化銣薄膜

二碲化鎳NiTe2薄膜

連續(xù)半導體薄膜

二硒化鉑PtSe2薄膜

大面積的二維PtSe2薄膜

TiO2/Pt/TiO2, TiO2/TiO2/Pt和Pt/TiO2/TiO2薄膜

高遷移率層狀硒氧化鉍Bi2O2Se半導體薄膜

碲氧濺射薄膜

碲納米線柔性薄膜

三硫化二錫Sn2S3薄膜

銅鋅錫硫和硫化亞錫（CZTS和SnS）薄膜

銅錫鋅硒硫Cu2ZnSn(SSe)4薄膜

硫硒化鎘和硫硒化鋅修飾的二氧化鈦薄膜

納米二氧化釩(VO2)薄膜

半導體硫(硒)化鋅-錳薄膜

無擴散阻擋層Cu-Ni-Sn三元薄膜

三元鎳磷鋁合金薄膜

鎢摻雜的硫硒化鎳薄膜

固溶體半導體碲硫鋅多晶薄膜ZnS1-x Tex

Zn(S,O)多晶薄膜

鋅基底表面超疏水薄膜

Zr-Al復合薄膜

大面積二硫化鋯薄膜

BaZrS3薄膜

碲化錳MnTe薄膜

碲化鎳NiTe薄膜

Cr摻雜ZnS的中間帶薄膜

銅鈷錫硫(硒)(CCTS(Se))薄膜

氧化石墨烯/硝酸銀復合薄膜

氧化石墨烯/PDDA薄膜

硫化砷AS2S3薄膜

硫化砷非晶態(tài)半導體薄膜

硫化砷玻璃薄膜

低溫生長富砷的鎵砷銻薄膜

As摻雜碲鎘汞薄膜

鍺砷硒半導體薄膜

三硒化二鉍Bi2Se3薄膜

Sb2Te3薄膜

三碲化二鉍Bi2Te3薄膜

晶界調(diào)控n型碲化鉍薄膜

碲化鉍取向納米柱狀薄膜

碲化鉍納米薄膜

碲化鉍(Bi2Te3)化合物熱電薄膜

碲化鎘硅基薄膜

錳鉍稀土(MnBiRE)磁光薄膜

二硫化銅銦薄膜

二硫化鎢固體潤滑薄膜

二硫化錸(ReS2)薄膜

二維二硫化鎢薄膜

二碲化鈦(TiTe2)過渡金屬二硫化物薄膜

二維碲化鉑納米薄膜

二硒化銅銦(CuInSe2,CIS )薄膜

CIGSeS/CIGSe復合薄膜

大尺寸單層硒分區(qū)摻雜二硫化鎢薄膜

銅銦鎵硒/硫/硒硫薄膜

具有光引出層的柔性氣密性薄膜

鋯鈦酸鉛(Pb(Zn0.53Ti0.47)O3,簡寫為PZT)薄膜

鋯鈦酸鉛 (PbZr0.5Ti0.5O3) 薄膜

強介電 Pb(Zr, Ti)O3 薄膜

強誘電體/高取向度PZT鐵電薄膜

Bi2-xSbxTe3基熱電薄膜

MOCVD-Pb(Zr,Ti)O_3薄膜

Pb(Zr,Ti)O3--CoFe2O4納米復合薄膜

多鐵性磁電復合薄膜

聚酰亞胺/納米Al2O3復合薄膜

金剛石薄膜

直流磁控濺射ZnO薄膜

WO3-TiO2薄膜

超疏水多孔陣列碳納米管薄膜

仿生超疏水性薄膜

摻錫TiO2復合薄膜

TiO2-SiO2超親水性薄膜

金屬離子摻雜的TiO2薄膜

納米碳纖維膜/鈷酸鋰三維同軸復合膜

含氫類金剛石薄膜

納米結(jié)晶金剛石碳膜

三明治結(jié)構(gòu)透明導電薄膜

三維納米多孔石墨烯(3D-npG)薄膜

高性能的碳納米纖維柔性薄膜

石墨烯基透明導電薄膜

球殼狀連續(xù)異質(zhì)結(jié)構(gòu)的3D納米多孔石墨烯(hnp-G)薄膜

聚丙烯腈納米纖維薄膜

石墨烯/多孔碳膜

三維多孔碳膜

二維氮化硼納米薄膜

高性能鈉離子薄膜

多孔石墨烯/碳納米管復合薄膜(PGNs-CNT)

石墨烯/二氧化錳復合薄膜

各向異性導電高分子復合薄膜

碳氮化物薄膜

微納結(jié)構(gòu)薄膜

三維階層多孔金膜

大內(nèi)徑碳納米管陣列薄膜

金納米顆粒-碳復合材料催化劑薄膜

納米反應器陣列薄膜

鐵氧體/石墨烯基納米復合薄膜

三維網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)鐵氧體/碳材料納米復合薄膜

具有大孔-中孔多級孔結(jié)構(gòu)的自支撐碳納米管薄膜

非晶碳基納米多層薄膜

離子液體/織構(gòu)化類金剛石碳復合潤滑薄膜

碳納米纖維薄膜

硫化鈷鎳納米棒-靜電紡絲碳納米纖維復合薄膜

金球/多壁碳管/聚苯胺薄膜

三維多孔碳納米管/石墨烯導電網(wǎng)絡(luò)的柔性薄膜

三維鎳納米線薄膜

超順排碳納米管薄膜

金屬摻雜DLC(Me-DLC)納米復合薄膜

C-TiO_2和C-Ni-TiO_2復合薄膜

碳基架負載二氧化錳納米片的復合薄膜

超潤滑非晶碳膜

網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)碳納米管薄膜

二維碳基薄膜

石墨烯基納米薄膜復合材料

超級電容器柔性可彎曲薄膜

三維石墨烯/多壁碳納米管/納米金鉑復合膜(3DGN/MWCNT/Au-PtNPs)

多孔C/TiO2納米復合薄膜

碳包覆磷酸鐵鋰薄膜

WC/類金剛石(DLC)/WS2納米復合薄膜

yyp2021.3.25