高量子效率的近紅外二區(qū)熒光AgAuSe合金化量子點

無機半導體量子點具有很多獨特的物理化學性質(zhì)，包括尺寸依賴的熒光發(fā)射、高的發(fā)光強度、高的光物理/化學穩(wěn)定性和表面易功能化等，被廣泛應用于發(fā)光二極管（LED）、太陽能電池、激光器和生物成像等諸多領(lǐng)域。因此，設(shè)計和合成具有高熒光量子產(chǎn)率（PLQY）、可調(diào)的熒光發(fā)射和良好生物相容性的量子點一直是研究的熱點。  

**近紅外窗口（NIR-II，900-1700 nm）熒光由于活體組織對其光子的吸收和散射效應大大降低，在生物醫(yī)學成像和近紅外LED等方面得到了廣泛的研究。Ag基量子點（Ag2S和Ag2Se）是**的不含有毒性重金屬元素的NIR-II熒光探針。以Ag2Se為例，它具有窄的直接帶隙（0.15 eV），是一種理想的NIR-II熒光材料。然而，Ag2Se中Ag離子的高遷移率導致大量的陽離子空位和晶體缺陷，導致Ag2Se量子點的PLQY小于1%。因此，開發(fā)一種新的策略來獲得高PLQY的Ag基量子點具有重要意義。 

圖1. AgAuSe量子點的結(jié)構(gòu)和光學性質(zhì)表征 

圖2. AgAuSe量子點的變溫光譜和瞬態(tài)吸收光譜 

基于此，采用合金化的方法合成了銀金硒（AgAuSe）量子點。該量子點發(fā)射峰位于978 nm，其絕對PLQY為65.3%（為目前報道的不含毒性重金屬的NIR-II量子點PLQY的記錄），發(fā)射半峰寬為90 nm，壽命為4.58 μs。結(jié)合變溫光譜，表明該量子點PLQY增強的主要原因在于非輻射躍遷的****。進一步通過瞬態(tài)吸收光譜，表征了其激子動力學過程。這種合金化策略對不同尺寸的Ag2Se量子點具有普適性，可以在820-1170 nm范圍內(nèi)調(diào)節(jié)AgAuSe量子點的熒光發(fā)射光譜。這種具有無毒重金屬元素的高PLQY量子點在生物成像、發(fā)光二極管和光伏器件中表現(xiàn)出巨大的應用潛力。 

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MoSe/碳量子點

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二硫化鎢量子點溶液（WS2）

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超小粒徑(約2 nm)的二硫化鎢熒光量子點(WS2 QDs)

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二硫化鎢/二硫化鉬半導體量子點

WS2量子點修飾BiOClNSs

WS2 NTs/CdS QDs量子點

WS2 QDs/CNWs/Cu量子點復合物

過渡族金屬化合物層狀量子點溶液（MOS2、MOTe2、WS2、WSe2或WTe2）

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氨基化二硫化鎢量子點(NH2-WS2 QDs)

巰基修飾二硫化鎢量子點(SH-WS2 QDs)

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MoS2單層量子點溶液

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二硫化鉬量子點1317-33-5

鹽酸多西環(huán)素(DOX)修飾MoS2量子點

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藍色二硫化鉬量子點溶液

二硫化鉬量子點-氧化石墨烯復合材料

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氨基酸修飾二硫化鉬MoS2量子點

單分散水溶性單層二硫化鉬量子點

二硫化鉬量子點負載的周期性介孔有機硅納米載藥復合物

二硫化鉬量子點負載喜樹堿CPT

二硫化鉬量子點負載阿霉素DOX

二硫化鉬量子點負載紫杉醇PTX

氨基化二硫化鉬量子點(NH2-MoS2 QDs)

巰基修飾二硫化鉬量子點(SH-MoS2 QDs)

羧基修飾二硫化鉬量子點(COOH-MoS2 QDs)

PEG修飾MoS2單層量子點

硫化鉬量子點/**二氧化鈦異質(zhì)結(jié)納米帶

二硫化鉬量子點修飾**二氧化鈦

二硫化鎢/二硫化鉬半導體量子點

MoS2納米花

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MoS2量子點(QD)

二硫化鉬量子點修飾二氧化鈦納米管陣列

尺寸小于20 nm的MoS2量子點(MoS2 QDs)

二硫化鉬量子點改性石墨狀碳氮烯GO@MoS2 QDs

MoS2量子點嵌入有機聚合物

L-半胱氨酸功能化的MoS2熒光量子點MoS2 QDs

硫化鉬量子點(MoS2 QDs)/過二硫酸鉀(K2 S2 O8)復合物

MOS2量子點修飾LL4Ti5O12納米片

MoS2量子點均勻地生長在石墨烯表面MoS2 QDs@GS

納米片上負載Cd0.5Zn0.5S量子點

二硫化鉬-氧化鋅量子點復合物

二硫化鉬-硒化鎘量子點

小編zhn2021.03.30