具有“很紅”發(fā)光的磷化銦量子點(diǎn)(InP QDs)的制備

西安pg電子官方生物科技有限公司是國(guó)內(nèi)的納米靶向試劑及材料供應(yīng)商，2017年我公司實(shí)驗(yàn)室新開(kāi)發(fā)上市熒光量子點(diǎn)系列產(chǎn)品（Fluorescent Quantum Dot），我們可以提供4種不同核殼型的熒光量子包括有：CdSe/ZnS硒化鎘-硫化鋅量子點(diǎn) ，CdS/ZnS硫化鎘-硫化鋅熒光量子點(diǎn)，InP/ZnS磷化銦-硫化鋅熒光量子點(diǎn)，ZnSe/ZnS硒化鋅-硫化鋅熒光量子點(diǎn)四種。同時(shí)我們還提供不同表面配體的核殼型熒光量子點(diǎn)產(chǎn)品包括有：十八胺、alkyl、油酸、氨基和羧基。我們的Fluorescent nanocrystals產(chǎn)品還包括脂溶性的和水溶性的，水溶性的是通過(guò)外圍包裹一層聚乙二醇PEG而實(shí)現(xiàn)水溶性的，表面可以修飾氨基和羧基。

InP是制備出的III-V族化合物，由于其激子波爾半徑比II-VI族的大，量子限域效應(yīng)明顯，消光系數(shù)大，發(fā)射光譜頻率覆蓋整個(gè)可見(jiàn)光范圍，并延伸至近紅外區(qū)域，尤其是不含有重金屬元素，因而在平板顯示背光源、照明、生物醫(yī)學(xué)標(biāo)記、指紋識(shí)別，以及太陽(yáng)能領(lǐng)域備受關(guān)注。

本公司應(yīng)用獨(dú)特專(zhuān)有*合成的InP/ZnS量子點(diǎn)具有穩(wěn)定性好，熒光發(fā)射峰范圍廣，發(fā)光*，波長(zhǎng)可調(diào)，耐化學(xué)腐蝕等**特性。

構(gòu)建了具有“很紅”發(fā)光的磷化銦量子點(diǎn)(InP QDs)，它具有可調(diào)的近紅外(NIR)光致發(fā)光(PL)，可用于活體多路成像，并且不含有毒性成分。

本文要點(diǎn)：

（1）這種合成策略克服了InP的“生長(zhǎng)瓶頸”，利用反轉(zhuǎn)的QD異質(zhì)結(jié)構(gòu)，即ZnSe/InP/ZnS的核/殼/殼納米粒子以將InP量子點(diǎn)的發(fā)射峰延伸至光學(xué)組織窗口。該量子點(diǎn)表現(xiàn)出與InP殼層厚度相關(guān)的可調(diào)諧發(fā)射，峰值范圍為515-845 nm。InP的高吸收率也使得該QD可以被紫外、可見(jiàn)和近紅外波長(zhǎng)的光激發(fā)。

（2）這些納米粒子擴(kuò)展了基于InP的納米結(jié)構(gòu)的可調(diào)諧直接帶隙發(fā)射范圍，**地解決了基于InP的量子點(diǎn)在近紅外顯像方面的缺陷問(wèn)題。實(shí)驗(yàn)也在小鼠模型中通過(guò)多路淋巴結(jié)成像證明了NIR發(fā)射的InP粒子具有很好的體內(nèi)成像性能。

西安pg電子官方生物科技有限公司可以合成各種復(fù)雜定制類(lèi)的核殼型熒光量子點(diǎn)產(chǎn)品，我們的產(chǎn)品涉及到各種的多肽、蛋白、多糖修飾的熒光量子點(diǎn)產(chǎn)品，pg電子官方生物提供產(chǎn)品的熒光量子產(chǎn)率高，質(zhì)量穩(wěn)定 ，價(jià)格較為便宜 如需要的可以可以直接聯(lián)系我們。

定制產(chǎn)品：

InP量子點(diǎn)（半導(dǎo)體量子點(diǎn)）

InP/ZnSe/ZnS核殼型熒光量子點(diǎn)

ZnSe/InP/ZnS三核殼熒光量子點(diǎn)

InP/ZnS熒光量子點(diǎn)

InP-ZnS 量子點(diǎn)

水溶性InP-ZnS 量子點(diǎn) -發(fā)射峰位置 690±25 nm

水溶性InP-ZnS 量子點(diǎn) -發(fā)射峰位置 640±25 nm

水溶性InP-ZnS 量子點(diǎn) -發(fā)射峰位置 590±25 nm

水溶性InP-ZnS 量子點(diǎn) -發(fā)射峰位置 540±25 nm

水溶性InP/ZnS 高亮綠光和紅光 PL 520 nm-- 750 nm

油溶性Cu摻雜ZnInS 量子點(diǎn) PL 500 nm--700 nm

油溶性InP/ZnS 量子點(diǎn)

油溶性CdS 量子點(diǎn) PL 360 nm--460 nm

油溶性InP/ZnS 高亮綠光和紅光 PL 490 nm -- 750 nm

Cu摻雜的InP@ZnSe+ZnS核殼量子點(diǎn)

InP@ZnSeS熒光量子點(diǎn)

InGaP@ZnS熒光量子點(diǎn)

InP/CdS核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)

InAs/InP量子點(diǎn)

InAs/InP QDs

InAs/InGaAsP/InP量子點(diǎn)

GaP和AlP殼的INP量子點(diǎn)

InAs/InGaAsP/InP疊層結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)

InP/ZnS核殼量子點(diǎn)

Li,zn金屬離子摻雜的InP量子點(diǎn)(分別記為L(zhǎng)i:InP和Zn:InP)

近紅外熒光發(fā)射的InP量子點(diǎn)

InAs/InP共面條狀量子點(diǎn)

InP/GaP/ZnS量子點(diǎn)

InP與ZnSe基熒光量子點(diǎn)

小編zhn2021.03.30