通過塊材晶體機械剝離或物理氣相沉積合成的微米級薄片已經(jīng)顯示出大量應(yīng)用，從室溫下的低閾值激射到具有大響應(yīng)率和更快響應(yīng)的高性能光電探測器。然而，具有良好控制取向的PbI2外延薄膜的大面積厘米級生長一直具有挑戰(zhàn)性。此外，PbI2外延薄膜中晶界的性質(zhì)仍然難以捉摸。

有鑒于此，近日，我們使用云母作為模型襯底，揭示了大面積外延PbI2薄膜的生長機制。導(dǎo)致未聚結(jié)晶疇的部分生長揭示了云母上外延PbI2薄膜中反轉(zhuǎn)晶疇的存在。通過將實驗結(jié)果，還可以了解控制生長機制的熱力學(xué)和動力學(xué)因素，這為在其他襯底上合成大面積PbI2和在單晶石墨烯上合成PbI2異質(zhì)結(jié)鋪平了道路。

圖文導(dǎo)讀 

圖1. 在云母上以3 ℃/min升溫速率生長的PbI2薄膜的表征和晶體結(jié)構(gòu)。

圖2. 云母上PbI2薄膜的表征。

圖3. 未聚結(jié)的PbI2三角形和薄膜的EBSD測量。

圖4. 以37 ℃/min升溫速率生長的PbI2薄膜的晶體結(jié)構(gòu)表征。

圖5. PbI2環(huán)和襯底之間的相互作用

圖6. 生長速率對薄膜光學(xué)性能的影響。

圖7. 對于以37 ℃/min升溫速率生長的樣品，石墨烯晶體上PbI2薄膜的結(jié)構(gòu)表征。

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SrMoO4薄膜 光致發(fā)光薄膜

ZnO+Pt+Ti薄膜

SiO2/Pt薄膜

ZnO+鈉鈣玻璃薄膜

ZnO+SiO2薄膜

ITO+ZnO薄膜

二氧化鈦TiO2薄膜

GaAs InGaP薄膜

SrRuO3薄膜

InP上鍍InAlAs薄膜

摻雜ZnO薄膜

InP上鍍InAlAs薄膜

ZnO +Au+Cr薄膜

ZnO薄膜

康寧7980上鍍ITO膜

YIG單晶外延薄膜GGG襯底

Al2O3+YBCO薄膜

Si上鍍Ge薄膜

LaAlO3+SrTiO3薄膜

Si+SiO2薄膜

GaN系列薄膜

SiC 3C薄膜

GaAs+AlGaAs+GaAs薄膜

4H-SiC上鍍4H-SiC薄膜P型

SOI基片(Si+SiO2+Si)

Glass+FTO薄膜

Al2O3+Si薄膜(SOS)

Diamond金剛石膜

Si+SiO2+Si3N4薄膜

Si+Si3N4薄膜

YSZ+CeO2薄膜

Si+SiO2+Ti+Pt薄膜

Si+Cu薄膜

Si鍍Ni薄膜

Nb: SrTiO3+BiFeO3薄膜

CVD MoS2薄膜

Ba1-xSrxTiO3膜

玻璃上鍍Mo膜

Si+BN薄膜

La2Zr2O7薄膜

AL2O3+Al(0.1)Ga(0.9)N 薄膜

La1-xSrxTiO3薄膜

Si+SiO2+Cr+Au薄膜

La1-XSrXMnO3薄膜

Si片外延AIN薄膜

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